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基于激光摻雜與氧化層厚度調(diào)控的IBC電池背表面場(chǎng)區(qū)圖案化技術(shù)解析

美能光伏 ? 2025-04-23 09:03 ? 次閱讀
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IBC太陽能電池因其背面全電極設(shè)計(jì),可消除前表面金屬遮擋損失,成為硅基光伏技術(shù)的效率標(biāo)桿。然而,傳統(tǒng)圖案化技術(shù)(如光刻、激光燒蝕)存在工藝復(fù)雜或硅基損傷等問題。本研究創(chuàng)新性地結(jié)合激光摻雜與濕法氧化特性,通過局部高濃度磷摻雜增強(qiáng)氧化速率并結(jié)合美能在線膜厚測(cè)試儀實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)SiO?厚度,實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)圖案化與高效鈍化。

實(shí)驗(yàn)方法

Millennial Solar


材料:p型CZ-Si(180 μm,4 Ω·cm),POCI?與BBr?液態(tài)摻雜源。關(guān)鍵步驟:

  • PSG層沉積與激光選擇性摻雜;
  • 濕法熱氧化(850°C,30分鐘)生成厚/薄氧化層;
  • HF選擇性蝕刻與KOH織構(gòu)化;
  • BBr?擴(kuò)散形成p?發(fā)射極,PECVD沉積SiN?鈍化層,絲網(wǎng)印刷金屬化。

Deal-Grove模型模擬與氧化特性

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磷表面摻雜濃度對(duì)濕法與干法熱氧化氧化層厚度的影響基于Deal-Grove硅氧化動(dòng)力學(xué)模型,模擬濕法(H?O)與干法(O?)氧化中磷表面濃度(Ns)對(duì)氧化層厚度(dox)的影響。結(jié)果顯示:

  • 濕法氧化在Ns=7×1019?cm?3時(shí)dox=125?nm,是輕摻雜區(qū)(48nm)的2.6倍;
  • 干法氧化速率低(dox<20?nm),無法滿足選擇性蝕刻需求。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與模擬值的偏差源于激光摻雜的非均勻分布(誤差函數(shù) vs. 理想矩形分布)。

激光摻雜參數(shù)調(diào)控

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激光摻雜n??區(qū)域的電學(xué)特性上圖顯示激光脈沖能量密度(Hp)對(duì)薄層電阻Rsh)及氧化層厚度(dox)的影響:

  • Zone-I(Hp<1.1?J/cm2):能量不足,無摻雜效應(yīng);
  • Zone-II(1.1p<2.1?J/cm2):Rsh線性下降(160→75 Ω/sq),Ns從4×1018?cm?3升至6×1019?cm?3,dox增至123 nm;
  • Zone-III(Hp>2.1?J/cm2):硅表面蒸發(fā)導(dǎo)致Ns降低,dox減少至75 nm。

優(yōu)化Hp=2.1?J/cm2可實(shí)現(xiàn)高摻雜濃度與氧化層厚度的平衡。

IBC電池工藝流程與優(yōu)化

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IBC電池結(jié)構(gòu)及制造流程圖a展示了IBC電池的橫截面結(jié)構(gòu):n型硅基底上交替分布p?發(fā)射極與n??BSF,表面覆蓋SiN?鈍化層與金屬電極。圖b詳述了制造流程:

  • 激光摻雜與氧化:POCI?擴(kuò)散生成磷硅玻璃(PSG),激光選擇性摻雜后濕法氧化(850°C,30分鐘),形成厚/薄氧化層分區(qū)。
  • 選擇性蝕刻與織構(gòu)化:HF蝕刻去除非摻雜區(qū)薄氧化層(48 nm),保留BSF區(qū)厚氧化層(75 nm)作為KOH織構(gòu)化的蝕刻阻擋層(蝕速比Si慢200-400倍)。
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掩模SiO?厚度對(duì)BBr?擴(kuò)散的影響

  • BBr?擴(kuò)散與鈍化:55 nm氧化層完全屏蔽硼擴(kuò)散,形成p?發(fā)射極(Rsh=350?Ω/sq,基區(qū)電阻主導(dǎo))。PECVD沉積SiN?鈍化層后,絲網(wǎng)印刷金屬電極完成電池制備。

IBC電池性能

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表1. IBC太陽能電池的電流-電壓特性匯總

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表1總結(jié)了概念驗(yàn)證電池的I-V特性:中值效率為20.09%(Voc=652.3?mV,Jsc=40.22?mA/cm2,F(xiàn)F = 76.79%),最高效率達(dá)20.42%。限制因素包括:

  • 激光誘導(dǎo)體缺陷與氧化層堆垛層錯(cuò);
  • p?發(fā)射極與n?? BSF的鈍化質(zhì)量差異。

研究表明,通過利用局部激光摻雜n??背表面場(chǎng)(BSF)區(qū)域的增強(qiáng)氧化特性,可在IBC電池背面實(shí)現(xiàn)圖案化,并屏蔽激光摻雜n??BSF區(qū)域免受后續(xù)BBr?擴(kuò)散的影響。研究系統(tǒng)探究了激光脈沖能量密度(Hp)對(duì)激光摻雜n??c-Si薄層電阻(Rsh)及濕法熱氧化后SiO?厚度(dox)的影響。

美能在線膜厚測(cè)試儀

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采用微納米薄膜光學(xué)測(cè)量技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)超廣測(cè)量范圍20nm-2000nm和0.5nm超高重復(fù)性精度,可對(duì)樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的5點(diǎn)同步掃描。

Poly膜厚測(cè)試范圍20nm-2000nm

快速、自動(dòng)的5點(diǎn)同步掃描

非接觸、無損測(cè)量,零碎片率

24小時(shí)自動(dòng)且不停線校準(zhǔn),保證生產(chǎn)效率

實(shí)驗(yàn)過程中采用美能在線膜厚測(cè)試儀對(duì)氧化層厚度進(jìn)行非接觸式動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè),其0.5nm超高重復(fù)性精度和五點(diǎn)多維同步掃描技術(shù),有效保障了摻雜區(qū)(125nm)與非摻雜區(qū)(48nm)氧化層的精準(zhǔn)區(qū)分。此方法通過簡化工藝質(zhì)量控制環(huán)節(jié),有望推動(dòng)IBC電池的低成本產(chǎn)業(yè)化。

原文參考:Structuring Interdigitated Back Contact Solar Cells Using the Enhanced Oxidation Characteristics Under Laser-Doped Back Surface Field Regions*特別聲明:「美能光伏」公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我司進(jìn)行刪除。

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