對于相同勢壘高度，肖特基二極管的反向飽和電流比PN結(jié)的大得多。這使得在同樣使用電流下，肖特基勢壘二極管的正向?qū)妷狠^低，一般為0.3V左右。

肖特基勢壘二極管的應用

在高速集成電路中的應用：以硅高速TTL電路為例，將肖特基二極管連接到晶體管的基極與集電極之間組成鉗位晶體管，可大大提高電路速度。制作肖特基二極管的常用方法是把鋁蒸發(fā)到n型集電區(qū)上，然后在520-540℃的真空中或氮氣中恒溫加熱約十分鐘，形成鋁和硅的良好接觸。SOD - 123封裝的肖特基二極管1N5817W適用于鉗位晶體管，有較低的正向壓降，正向電壓0.45V，正向電流1A。

在微波技術(shù)中的應用

如摻有濃度約為5×1015cm-3的n型外延硅襯底與PtSi接觸，經(jīng)鈍化制成的金屬—半導體雪崩二極管，能產(chǎn)生連續(xù)的微波振蕩，且可在大功率下工作。高頻應用中SOD-123封裝可減少寄生參數(shù)，推薦肖特基二極管1N5818W型號，1N5818W，直流反向電壓為 30V，正向電流為 1A，一定頻率范圍內(nèi)可能有較好的表現(xiàn)。

在其他方面可以用金屬—半導體勢壘作為控制柵極，制成肖特基勢壘柵場效應晶體管，其中砷化鎵肖特基勢壘柵場效應晶體管的功率及噪聲性能比各種砷化鎵晶體管都好。

結(jié)語

總之肖特基勢壘二極管與PN結(jié)二極管的二者的本質(zhì)區(qū)別在于，載流子類型與輸運機制的不同。肖特基二極管以 “高頻、低壓降、多數(shù)載流子導電” 特性，在高速通信、微波器件、功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域不可替代；PN 結(jié)二極管則在低頻整流、高壓場景保持優(yōu)勢。隨著電子技術(shù)向高頻化、集成化演進，肖特基勢壘器件將持續(xù)推動微波通信、新能源等領(lǐng)域的技術(shù)革新，與 PN 結(jié)器件形成場景互補，共同構(gòu)建多樣化的半導體整流解決方案。

審核編輯 黃宇