TPS22975 具有可調(diào)上升時間、可選輸出放電和熱關(guān)斷功能的 5.7V、6A、16mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22975 產(chǎn)品系列由兩個器件組成：TPS22975 和 TPS22975N。每個器件都是一個單通道負(fù)載開關(guān)，可提供可配置的上升時間，以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.6 V 至 5.7 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 6 A 的最大連續(xù)電流。該開關(guān)由開和關(guān)輸入 （ON） 控制，該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。TPS22975具有一個可選的 230 Ω片上負(fù)載電阻器，可在開關(guān)關(guān)閉時進行快速輸出放電。
*附件：tps22975.pdf
TPS22975采用節(jié)省空間的小型 2mm × 2mm 8 引腳 SON 封裝 （DSG），并帶有集成導(dǎo)熱墊，可實現(xiàn)高功率耗散。該器件的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +105°C 的自由空氣溫度。
特性
- 集成單通道負(fù)載開關(guān)
- 輸入電壓范圍：0.6 V 至 V
偏見 - V
偏見電壓范圍：2.5 V 至 5.7 V - 導(dǎo)通電阻 （R
上)- R
上VIN = 0.6 V 至 5.7 V、V 時 = 16 mΩ（典型值）偏見= 5.7 伏
- R
- 最大連續(xù)開關(guān)電流 6A
- 低靜態(tài)電流
- V 時為 37 μA（典型值）
在= V偏見= 5 伏
- V 時為 37 μA（典型值）
- 低控制輸入閾值支持使用
1.2V、1.8V 、2.5V 和 3.3V 邏輯 - 可配置的上升時間
- 熱關(guān)斷
- 快速輸出放電 （QOD）（可選）
- 帶導(dǎo)熱墊的 SON 8 引腳封裝
- ESD 性能測試符合 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)
- 2000V HBM 和 1000V CDM
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
- ?類型?：5.7V, 6A, 16mΩ單通道負(fù)載開關(guān)
- ?特點?：
- 集成單通道負(fù)載開關(guān)
- 輸入電壓范圍：0.6V至VBIAS（2.5V至5.7V）
- 可配置上升時間
- 低靜態(tài)電流（37μA @ VIN = VBIAS = 5V）
- 可選快速輸出放電（QOD）功能
- 小型SON 8引腳封裝，帶熱墊
- ESD性能：±2000V HBM, ±1000V CDM
2. 應(yīng)用場景
3. 主要特性
- ?低導(dǎo)通電阻?：RON = 16mΩ（典型值）
- ?最大連續(xù)開關(guān)電流?：6A
- ?控制輸入閾值低?：支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯
- ?熱關(guān)斷保護?：結(jié)溫超過160°C時自動關(guān)斷
- ?快速輸出放電?：可選230Ω內(nèi)部放電電阻，防止輸出懸浮
4. 電氣特性
- ?靜態(tài)電流?：37μA（典型值）@ VIN = VBIAS = 5V
- ?關(guān)斷電流?：2.3μA（典型值）@ VBIAS = 5V
- ?導(dǎo)通電阻?：RON隨VIN和VBIAS變化，范圍在16mΩ至26mΩ之間
- ?上升/下降時間?：可通過CT引腳上的電容調(diào)整，典型值從幾微秒到幾百微秒不等
5. 功能描述
- ?可調(diào)上升時間?：通過CT引腳上的電容設(shè)置，減少大容性負(fù)載引起的浪涌電流
- ?快速輸出放電?：當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時，可選的內(nèi)部放電電阻迅速放電輸出電容，防止輸出懸浮
- ?熱關(guān)斷?：結(jié)溫超過160°C時自動關(guān)閉開關(guān)，保護器件免受過熱損壞
6. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?：8引腳SON（DSG）封裝，2mm × 2mm，帶熱墊
- ?熱阻?：θJA = 74.8°C/W
7. 布局與熱考慮
- ?布局指南?：所有跡線應(yīng)盡可能短，輸入和輸出電容應(yīng)靠近器件放置，以減少寄生電感的影響
- ?熱考慮?：最大結(jié)溫應(yīng)限制在125°C以下，使用公式計算最大允許功耗，并注意板級布局對熱阻的影響
8. 文檔與支持
9. 注意事項
- 使用過程中需遵守靜電放電（ESD）防護措施
- 設(shè)計時應(yīng)確保符合所有安全、監(jiān)管和其他要求
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