在半導(dǎo)體制造中,工藝溫度的精確控制直接關(guān)系到晶圓加工的良率與器件性能。傳統(tǒng)的測(cè)溫技術(shù)(如有線測(cè)溫)易受環(huán)境干擾,難以在等離子刻蝕環(huán)境中實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。On Wafer WLS無線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過自主研發(fā)的傳感器集成技術(shù),將微型溫度傳感器直接嵌入晶圓載體(wafer),實(shí)現(xiàn)了對(duì)制程溫度的原位、實(shí)時(shí)、全流程監(jiān)控。

該系統(tǒng)的核心突破在于DUAL SHIELD技術(shù),解決了在干法刻蝕工藝中監(jiān)測(cè)溫度的難題,DUAL SHIELD技術(shù)具有強(qiáng)抗干擾能力,在干法刻蝕(如等離子體刻蝕)等高電磁噪聲環(huán)境中,確保信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。系統(tǒng)通過無線傳輸溫度數(shù)據(jù),無需改造設(shè)備硬件,即可為工藝工程師提供動(dòng)態(tài)溫度曲線,幫助優(yōu)化刻蝕溫度均勻性等關(guān)鍵參數(shù)。溫度波動(dòng)對(duì)臨界尺寸(CD)的影響可通過該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制,顯著提升工藝窗口(Process Window)的穩(wěn)定性。
【On Wafer WLS-EH無線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)系列產(chǎn)品】
On Wafer WLS-EH 刻蝕無線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
On Wafer WLS-CR-EH 低溫刻蝕無線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)
【應(yīng)用場(chǎng)景】干法刻蝕

【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】
1. 無線測(cè)溫采集:傳感器無需有線連接即可傳輸數(shù)據(jù),滿足晶圓在復(fù)雜性狀況下通過無線通信方式進(jìn)行溫度測(cè)量。
2. 實(shí)時(shí)測(cè)溫監(jiān)測(cè):系統(tǒng)可以提供實(shí)時(shí)溫度讀數(shù),通過測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)觀察晶圓在工藝過程中的溫度變化過程。
3. 滿足高精度測(cè)量:采用高精度溫度傳感器確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,晶圓生產(chǎn)過程中精確控制工藝條件至關(guān)重要。
4. 測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)分析能力:測(cè)量后的數(shù)據(jù)通過軟件分析和優(yōu)化工藝參數(shù),提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。
5. 支持過程調(diào)整與驗(yàn)證:通過分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)調(diào)整蝕刻和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件,以確保最佳性能。
6. 全面熱分布區(qū)監(jiān)測(cè):在晶圓上支持多達(dá)12寸128個(gè)位置同時(shí)進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè),從而獲得全面的熱分布圖。
【參數(shù)配置】
Wafer尺寸 | 8”、12” | 厚度 | 1.2mm |
測(cè)溫點(diǎn)數(shù) | 53 點(diǎn) /65點(diǎn)/81 點(diǎn) / 可定制測(cè)溫點(diǎn) | 晶圓材質(zhì) | 硅片 |
溫度范圍 | 干法刻蝕15-100℃ 低溫刻蝕-40-40℃ | 通信方式 | 無線通信傳輸 |
溫度精度 | ±0.1℃/±0.2℃ | 充電方式 | |
sensor tosensor | <0.2℃ | 采樣頻率 | 1-4Hz |
測(cè)溫元件 | IC | 配套主機(jī) | 測(cè)溫系統(tǒng)配套主機(jī) |
測(cè)溫軟件 | 無線測(cè)溫專用軟件,實(shí)時(shí)顯示溫度場(chǎng)剖面圖及實(shí)時(shí)升溫曲線圖 | ||
On Wafer WLS-EH無線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)在半導(dǎo)體制程干法刻蝕工藝中溫度監(jiān)測(cè)的應(yīng)用,為智能制造中的實(shí)時(shí)反饋控制提供了數(shù)據(jù)基礎(chǔ),是推動(dòng)半導(dǎo)體工藝走向高精度與高可靠性的重要工具。
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