該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋，集成柵極驅(qū)動器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動器的集成簡化了設計，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。支持半橋和兩個獨立的開關拓撲、可配置的死區(qū)時間和可配置的直通互鎖保護，有助于支持各種應用和實現(xiàn)。
*附件：tps7h6101-sep.pdf

特性

• 輻射性能：
  • 輻射批次驗收測試 （RLAT） 至 50krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單事件瞬態(tài) （SET）、單事件燒毀 （SEB） 和單事件柵極破裂 （SEGR） 不受線性能量轉移 （LET） = 43MeV-cm2/mg 的影響
  • 單事件瞬態(tài) （SET） 和單事件故障中斷 （SEFI） 表征高達 （LET） = 43MeV-cm2/mg
• 200V e-mode GaN FET 半橋
  • 15mΩRDS（ON）（典型值）
  • 100kHz至2MHz工作
• LGA封裝：
  • 散熱優(yōu)化的 12mm × 9mm LGA 封裝，帶導熱墊
  • 集成柵極驅(qū)動電阻器
  • 低共源電感封裝
  • 電氣隔離高側和低側
• 靈活控制各種半橋和雙開關電源拓撲
  • 低傳播延遲
  • 兩種作模式
    • 單PWM輸入，死區(qū)時間可調(diào)
    • 兩個獨立的輸入
  • 可編程死區(qū)時間控制
  • 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
  • 5V 柵極驅(qū)動電源，用于穩(wěn)健的 FET作

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPS7H6101-SEP是一款輻射耐受型200V增強模式GaN功率FET半橋模塊，集成柵極驅(qū)動器和隔離電源，采用12mm×9mm LGA封裝。專為衛(wèi)星電源系統(tǒng)（EPS）、電機驅(qū)動等高可靠性應用設計，支持100kHz至2MHz高頻操作，具有低導通電阻（典型15mΩ）和優(yōu)化的熱性能。

?2. 關鍵特性?

• ?輻射性能?：通過50krad(Si)總電離劑量（TID）測試，單粒子效應（SET/SEB/SEGR）免疫至LET=43MeV-cm2/mg。
• ?高效設計?：集成e-mode GaN FET和柵極驅(qū)動器，減少元件數(shù)量和PCB空間。
• ?靈活控制?：支持半橋和雙獨立開關拓撲，可編程死區(qū)時間（20-100ns），提供兩種工作模式（PWM模式與獨立輸入模式）。
• ?熱管理?：LGA封裝配備散熱焊盤，低熱阻（θJC(HS)=2.4°C/W，θJC(LS)=4.6°C/W）。

?3. 電氣參數(shù)?

• ?電壓/電流?：工作電壓10-14V，連續(xù)輸出電流10A（峰值72A）。
• ?開關特性?：傳播延遲低至35ns（典型），死區(qū)時間匹配精度±5ns。
• ?線性穩(wěn)壓器?：集成5V（BP5L/BP5H）和7V（BP7L）穩(wěn)壓輸出，精度±5%。

?4. 應用與實現(xiàn)?

• ?典型應用?：100V至28V同步降壓轉換器（效率>95%），支持開環(huán)或閉環(huán)配置（需搭配PWM控制器如TPS7H5005-SEP）。
• ?布局建議?：優(yōu)化功率回路阻抗，多層板設計優(yōu)先，參考EVM布局示例。

?5. 文檔支持?

• 包含EV評估模塊指南、輻射測試報告（TID/SEE/NDD）及機械封裝信息（64引腳LGA，250單元卷帶）。

?6. 注意事項?

• ?啟動要求?：BOOT-SW電壓需>6.65V以確保高側驅(qū)動正常啟動。
• ?負壓瞬態(tài)?：需防范開關節(jié)點負壓導致的過壓風險，建議添加BOOT-SW齊納鉗位。