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LM2103 107V半橋驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-08-15 15:03 ? 次閱讀
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Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動半橋或同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅(qū)動器用于雙或單PWM輸入應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊.pdf

SH引腳具有固定死區(qū)時間和–1V直流和–19.5V瞬態(tài)負(fù)電壓處理能力,可提高高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。Texas Instruments LM2103采用8引腳SOIC封裝,與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳分配兼容。在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供欠壓鎖定 (UVLO) 功能,以在上電和斷電期間提供保護(hù)。

特性

  • 可驅(qū)動兩個采用半橋配置的N溝道MOSFET
  • GVDD上的8V典型欠壓閉鎖
  • BST上的絕對最大電壓:107V
  • SH上–19.5V負(fù)瞬態(tài)電壓處理(絕對最大值)
  • 峰值拉/灌電流:0.5A/0.8A
  • 475ns典型固定內(nèi)部死區(qū)時間
  • 內(nèi)置防交叉?zhèn)鲗?dǎo)功能
  • 傳播延遲:115ns(典型值)
  • 反相輸入引腳INL

功能框圖

1.png

LM2103 107V半橋驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

LM2103是德州儀器(TI)推出的高性能半橋驅(qū)動器,具有以下核心特性:

  • ?高壓驅(qū)動能力?:107V絕對最大電壓,支持高達(dá)95V的SH引腳工作電壓
  • ?雙通道驅(qū)動?:0.5A/0.8A峰值源/灌電流能力,可驅(qū)動兩個N溝道MOSFET
  • ?增強(qiáng)可靠性?:-19.5V負(fù)瞬態(tài)電壓處理能力,內(nèi)置死區(qū)時間(典型475ns)
  • ?靈活控制?:支持反相輸入(INL)引腳,兼容TTL/CMOS輸入閾值
  • ?多重保護(hù)?:8V典型欠壓鎖定(UVLO),交叉導(dǎo)通預(yù)防功能

二、關(guān)鍵參數(shù)與性能

1. 極限參數(shù)

參數(shù)最小值最大值單位
GVDD電壓-0.3V19.5VV
BST-SH電壓-0.3V19.5VV
SH引腳電壓(DC)-1V95VV
SH引腳電壓(瞬態(tài))-19.5V95VV
工作結(jié)溫-40°C125°C°C

2. 典型電氣特性

  • ?傳播延遲?:115ns典型值(INH到GH/INL到GL)
  • ?死區(qū)時間?:475ns固定值(防止交叉導(dǎo)通)
  • ?輸入閾值?:
    • 高電平:1.45V(最小值)
    • 低電平:0.8V(最大值)
  • ?靜態(tài)電流?:
    • GVDD靜態(tài)電流:430μA(典型值)
    • BST靜態(tài)電流:150μA(典型值)

三、功能架構(gòu)解析

1. 引腳配置與功能

引腳名稱類型功能描述
1GVDD電源柵極驅(qū)動正電源軌,需就近布置低ESR去耦電容
2INH輸入高側(cè)控制輸入,兼容TTL/CMOS電平
3INL輸入低側(cè)反相控制輸入,內(nèi)置200kΩ上拉電阻
4GND所有信號的參考地
5GL輸出低側(cè)柵極驅(qū)動輸出,連接MOSFET柵極
6SH電源高側(cè)源極連接,接自舉電容負(fù)端
7GH輸出高側(cè)柵極驅(qū)動輸出,連接MOSFET柵極
8BST電源自舉電源輸入,接自舉電容正極

2. 核心功能模塊

  1. ?輸入級?:
    • 獨立控制INH和INL輸入
    • 內(nèi)置200kΩ下拉(INH)/上拉(INL)電阻
    • 當(dāng)INH高且INL低時自動關(guān)閉雙路輸出
  2. ?保護(hù)電路?:
    • 雙路UVLO保護(hù)(GVDD和BST-SH)
    • GVDD UVLO閾值:8.15V(上升)/7.7V(下降)
    • BST UVLO閾值:7.6V(上升)/7.15V(下降)
  3. ?電平移位器?:
    • 高速低功耗設(shè)計
    • 提供控制邏輯到高側(cè)驅(qū)動的電平轉(zhuǎn)換

四、PCB布局指南

  1. ?關(guān)鍵回路最小化?:
    • 功率回路(高/低側(cè)MOSFET)
    • 柵極驅(qū)動回路(GH/GL到MOSFET)
    • 自舉電容充電回路
  2. ?電容布置原則?:
    • GVDD去耦電容:1μF陶瓷電容(緊靠引腳)
    • BST去耦電容:100nF陶瓷電容(緊靠BST-SH)
    • 輸入電容:低ESR電解+陶瓷電容組合
  3. ?熱設(shè)計考慮?:
    • 充分利用散熱焊盤
    • 增加散熱過孔陣列
    • 高溫環(huán)境需降額使用

五、應(yīng)用場景推薦

  1. ?電機(jī)驅(qū)動?:
  2. ?消費電子?:
    • 無線吸塵器
    • 電動工具
  3. ?交通電子?:
    • 電動自行車/滑板車
    • 車載充電器(OBC)
  4. ?工業(yè)電源?:
    • 離線式UPS
    • 電池測試設(shè)備
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