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一文讀懂3D NAND存儲(chǔ)器進(jìn)化史

Micron美光科技 ? 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2018-04-16 08:59 ? 次閱讀
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最近,美光科技推出的業(yè)界首款 64 層 3D NAND 企業(yè)級(jí) SSD可能會(huì)引發(fā)您的好奇:“為什么 64 層 3D NAND 具有如此重大的意義?”——人們可能很難意識(shí)到存儲(chǔ)技術(shù)的改變會(huì)對(duì)日常生活有什么影響,今天的文章就將帶您了解美光科技 NAND 技術(shù)的最新進(jìn)展如何幫助滿足人們不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。


64 3D NAND 的問(wèn)世意味著單個(gè)存儲(chǔ)芯片可以提供 64GB 存儲(chǔ)容量。對(duì)于拍攝自拍照的人來(lái)說(shuō),這能意味著在社交媒體上發(fā)布的 9000 多張照片;對(duì)家庭而言,則可能意味著記錄美好回憶的 10 小時(shí)高清視頻;或者是我們?nèi)粘2シ诺?5000 多首歌曲。

作為一種革命性的存儲(chǔ)技術(shù),3D NAND 能將 64GB 的存儲(chǔ)空間置于比指甲還小的封裝芯片內(nèi)?;叵?000 年推出的首款基于 NAND 的 USB 盤的計(jì)量密度是以兆字節(jié) (MB) 為單位,在不到 20 年的時(shí)間里,業(yè)界已經(jīng)見(jiàn)證了技術(shù)的巨大進(jìn)步,如今的 USB 閃存盤以 TB 計(jì)量,而不是 MB,就會(huì)發(fā)覺(jué)到這是一個(gè)令人驚訝的進(jìn)步。多年來(lái),業(yè)界通過(guò)縮小每代電路的寬度(以納米計(jì)量,1 納米 = 十億分之一米)來(lái)提高存儲(chǔ)密度并降低每 GB 的存儲(chǔ)成本。在認(rèn)識(shí)到不斷縮小的光刻技術(shù)的擴(kuò)展局限性之后,行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者們需要一種新的方法來(lái)增加每個(gè)設(shè)備的密度,同時(shí)降低每 GB 的相對(duì)成本。如同通過(guò)建造摩天大樓使得單位面積內(nèi)容納更多人口,行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者將這一實(shí)踐應(yīng)用于NAND技術(shù)領(lǐng)域,通過(guò)3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái),促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。

此外,為了繼續(xù)改進(jìn) NAND 設(shè)計(jì),美光科技在 3D NAND 產(chǎn)品中引入了邏輯邊緣架構(gòu)設(shè)計(jì)的新方法。美光科技已將通常被稱為“陣列下 CMOS”的技術(shù)添加到其3D NAND 中,它已成為實(shí)現(xiàn)當(dāng)今市場(chǎng)上最高的每平方毫米 GB 密度和效率的一項(xiàng)關(guān)鍵因素。就像對(duì)于大城市居民出行至關(guān)重要的地鐵系統(tǒng)一樣,美光科技利用存儲(chǔ)陣列下的空間縮小了每個(gè)硅片存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)所需的總物理尺寸。

最后但同樣重要的是,對(duì)于各種 NAND 設(shè)備始終需要衡量的一個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)編程吞吐量(以 MB/秒為計(jì)量單位)。為了改善這方面的表現(xiàn),美光科技正在開(kāi)發(fā)四面 NAND 架構(gòu) (quad plane NAND architecture),使主機(jī)能夠?qū)υO(shè)備進(jìn)行高效地編程,提高數(shù)據(jù)吐量。如果將 NAND 設(shè)備比作洗

車場(chǎng),位面數(shù)量相當(dāng)于可供車輛進(jìn)出的清洗艙數(shù)量,那么美光科技在這些 NAND 設(shè)計(jì)中增加更多位面就等于增加了清洗艙。無(wú)論是在洗車場(chǎng)中增加清洗艙或是在 NAND 中增加更多位面,都是增加吞吐量的合理方法,即增加通過(guò)洗車設(shè)備的車輛數(shù)量或增加通過(guò)NAND 的數(shù)據(jù)量。

隨著個(gè)人、專業(yè)、移動(dòng)和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的存儲(chǔ)需求不斷增長(zhǎng),技術(shù)無(wú)疑將在未來(lái)繼續(xù)發(fā)展以滿足市場(chǎng)需求。美光科技將繼續(xù)尋找創(chuàng)新方法來(lái)增加 NAND 的存儲(chǔ)容量,提升每個(gè)設(shè)備的性能,并引入可擴(kuò)展 NAND 有效實(shí)施的功能。盡管如此,思考已經(jīng)取得了哪些成就,當(dāng)前的技術(shù)還有哪些用武之地,以及是哪些進(jìn)步為每一次發(fā)展奠定了基礎(chǔ)仍然具有深遠(yuǎn)意義。

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原文標(biāo)題:NAND 進(jìn)化史

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