9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 近日，SK海力士在官網(wǎng)宣布，適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動(dòng)端DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）產(chǎn)品已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)。 自從10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品開(kāi)始，半導(dǎo)體
2021-07-12 10:57:065592 及高性能計(jì)算提供澎湃算力支持。 瀾起科技第四代津逮 ? CPU，以英特爾 ? 第四代至強(qiáng) ? 可擴(kuò)展處理器（代號(hào)：Sapphire Rapids）為內(nèi)核，通過(guò)了瀾起科技安全預(yù)檢測(cè)(PrC)測(cè)試，是面向本土市場(chǎng)的x86架構(gòu)服務(wù)器處理器。相較上一代產(chǎn)品，第四代津逮 ? CPU采用先進(jìn)的
2023-01-12 10:09:252188 
包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182 
電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 目前東芝已經(jīng)提出了創(chuàng)紀(jì)錄的96層堆疊3D閃存——第四代BiCS閃存。它的內(nèi)部是如何工作的？一顆閃存芯片又是,如何演變成我們能看到的閃存顆粒？
2017-09-20 09:39:1426286 在三星、東芝存儲(chǔ)器（TMC）、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動(dòng)下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 第四代CSR8670開(kāi)發(fā)板開(kāi)發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
全新的第四代北斗芯片，較上一代芯片有了全面的提升。芯片采用雙核架構(gòu)設(shè)計(jì)，計(jì)算能力提升100%；存儲(chǔ)效能提升一個(gè)數(shù)量級(jí)；觀測(cè)通道數(shù)提升一倍以上，可以跟蹤更多衛(wèi)星信號(hào)；工作功耗下降50%，為更多應(yīng)用場(chǎng)景提供
2023-09-21 09:52:00
第四代移動(dòng)通信技術(shù)是什么？有什么主要特點(diǎn)？第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:07:28
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲(chǔ)器高速（NVMe）固態(tài)硬盤(pán)。 這些固態(tài)硬盤(pán)要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動(dòng)通信領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)和重點(diǎn)？
2021-05-27 06:39:06
據(jù)我所知，第五代capsense相比第四代將電容（包括自電容+互電容技術(shù)）和電感觸摸技術(shù)集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同時(shí)功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應(yīng)模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+層，并即將進(jìn)入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06
娛樂(lè)等，未來(lái)AI實(shí)時(shí)應(yīng)用、分析、移動(dòng)性，對(duì)存儲(chǔ)要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長(zhǎng)的需求，西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND，F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
組合包括50多種解決方案，用于企業(yè)、數(shù)據(jù)通信、移動(dòng)通信和顯示等應(yīng)用中的物理層一致性測(cè)試、特性分析和調(diào)試。同時(shí)適用于第三代標(biāo)準(zhǔn)和第四代標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，提供自動(dòng)測(cè)試設(shè)置和執(zhí)行、內(nèi)置報(bào)告選項(xiàng)、深入分析等多種
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測(cè)試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了，這里就不重復(fù)敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測(cè)試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進(jìn)化，如PCIe，我們的測(cè)試測(cè)量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過(guò)對(duì)本田第四代混合動(dòng)力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設(shè)計(jì)思想和工作原理，對(duì)于國(guó)內(nèi)輕度混聯(lián)混合動(dòng)力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
階段，可見(jiàn)未來(lái)5年工地對(duì)第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的需求會(huì)越來(lái)越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應(yīng)當(dāng)是怎樣的標(biāo)準(zhǔn)呢？ 第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹： 攪拌機(jī)開(kāi)機(jī)后，罐內(nèi)的砂漿通過(guò)手動(dòng)蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個(gè)方面全面介紹了第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)，并簡(jiǎn)單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動(dòng)通信中的應(yīng)用。
2009-11-28 11:46:59
42 iPod nano(第四代)功能指南手冊(cè)
2009-12-10 15:29:1259 Intel 第四代Xeon?可擴(kuò)展處理器Intel第4代Xeon? 可擴(kuò)展處理器設(shè)計(jì)旨在加速以下增長(zhǎng)最快工作負(fù)載領(lǐng)域的性能：人工智能 (AI)、數(shù)據(jù)分析、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)器和高性能計(jì)算 (HPC) 。這些
2024-02-27 12:19:48
9294第四代智VCD維修解碼板使用說(shuō)明
第四代智能VCD維修解碼板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED數(shù)碼屏
2009-04-28 15:39:251718
第四代TOPSwitch?GX系列單片開(kāi)關(guān)電源
摘要：TOPSwitch?GX是美國(guó)PowerIntegratio
2009-07-08 11:12:031478 淺析第四代移動(dòng)通信
引言 移動(dòng)通信技術(shù)飛速發(fā)展，已經(jīng)歷了3個(gè)主要發(fā)展階段。每一代的發(fā)展都是技術(shù)的突破和觀念的創(chuàng)新。第一代起源于20世紀(jì)80年
2010-01-23 10:19:451394 第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光
北京時(shí)間2月9日早間消息，美國(guó)數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文，曝光了蘋(píng)果第四代iPhone的更多細(xì)節(jié)及圖片，第四代iPhone要比當(dāng)前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光
2010-02-22 10:25:18522 S2C在中國(guó)推出ALLEGRO公司的廣播級(jí)、第四代H.264 High Profile編碼器。相對(duì)于前面三代，第四代的特點(diǎn)是支持MVC(3D)、支持低延遲、支持低比特率、支持藍(lán)光和B幀
2011-07-21 09:07:091903 第四代移動(dòng)通信技術(shù)研究，很好的網(wǎng)絡(luò)資料，快來(lái)下載學(xué)習(xí)吧。
2016-04-19 11:30:480 SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開(kāi)始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317 
而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到
2018-06-03 09:50:556262 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031683 美系存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。下面就隨小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2018-08-07 09:46:001013 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 vivo X23第四代屏幕指紋，追求穩(wěn)定和高效手機(jī)的屏幕指紋對(duì)于vivo來(lái)說(shuō)，已然到了第四代，經(jīng)過(guò)了前面幾代的不斷進(jìn)步，vivo X23上搭載的屏幕指紋技術(shù)在硬件基礎(chǔ)得到穩(wěn)定提升的同時(shí)，識(shí)別效率也是
2018-08-24 15:12:433143 趙偉國(guó)認(rèn)為，中國(guó)的集成電路已經(jīng)初步擺脫了抄人家、學(xué)人家的狀態(tài)。他透露，紫光會(huì)在今年底量產(chǎn)32層64G的存儲(chǔ)器，在明年會(huì)量產(chǎn)64層128G的存儲(chǔ)器，并同步研發(fā)128層256G的存儲(chǔ)器。
2018-08-26 10:38:153176 市場(chǎng)。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)從36層起步，不過(guò)真正量產(chǎn)的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片，它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存，但美光警告稱，使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨也迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲(chǔ)巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043 NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 金山云宣布基于全新Intel Cascade Lake CPU、最新六通道DDR4內(nèi)存的第四代云服務(wù)器正式上線。
2020-03-19 13:44:592974 日前，美光發(fā)布第二季度財(cái)報(bào)，其在電話會(huì)議中美光透露，即將開(kāi)始批量生產(chǎn)其基于公司新的RG（replacement gate）架構(gòu)的第四代3D NAND存儲(chǔ)設(shè)備。
2020-04-07 14:36:082868 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 解析中國(guó)乃至全球 3D 打印行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)，以及 UNIZ 在新品發(fā)布后的戰(zhàn)略解讀。 此次，UNIZ 在進(jìn)博會(huì)上發(fā)布了兩款產(chǎn)品，分別對(duì)應(yīng) B 端和 C 端用戶，其中 IBEE，就是搭載了第四代光固化技術(shù)的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。李厚民介紹，光固化技術(shù)的發(fā)展，大致分為四代：第一代是激光光固
2020-11-06 17:17:462548 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。 美光科技表示，與美光的上一代大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比，176 層 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫(xiě)入延遲縮短了 35% 以上。美光的 176 層
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 / s，高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比，讀（寫(xiě)）延遲提高了35% 以上，與128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開(kāi)始批量生產(chǎn)
2020-11-13 14:25:132185 日前，存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)的應(yīng)用效能。
2020-11-20 17:10:122392 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開(kāi)始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493617 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 AN65--第四代LCD背光技術(shù)
2021-04-19 11:43:336 wifi技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)第四代是第四代移動(dòng)通信技術(shù)的意思，第五代就是第五代移動(dòng)通信技術(shù)，那么這兩代之間有什么區(qū)別呢？
2022-01-01 16:43:0041538 美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過(guò) 200 層，可謂存儲(chǔ)創(chuàng)新的分水嶺。此項(xiàng)突破性技術(shù)得益于廣泛
2022-07-28 09:49:5922968 第四代半導(dǎo)體我們其實(shí)叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個(gè)方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價(jià)電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點(diǎn)幾電子伏特（eV），比超窄禁帶更窄的材料便稱為導(dǎo)體；
2022-08-22 11:10:3918941 物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展推動(dòng)了對(duì)高性能存儲(chǔ)設(shè)備需求的激增?；诖耍腥A發(fā)布全新第四代SQFlash PCIe SSD解決方案產(chǎn)品：SQF 930與SQF ER-1。
2022-10-12 09:25:161403 服務(wù)器客戶 韓國(guó)首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級(jí)（1a）DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:261496 作為全球首款支持第四代Intel至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器平臺(tái)的高端存儲(chǔ)，這種先發(fā)優(yōu)勢(shì)是非常明顯的，PCIe5.0、DDR5、CXL、QAT硬件加速器等新硬件形態(tài)的支持，都會(huì)大大提高M(jìn)S9000G3的性能，同時(shí)降低單位功耗，實(shí)現(xiàn)綠色節(jié)能的效果。
2023-04-27 11:46:243489 
現(xiàn)預(yù)計(jì)蘋(píng)果自研的5G調(diào)制解調(diào)器要等到2025年才能進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。因此，第四代iPhone SE的發(fā)布時(shí)間也會(huì)相應(yīng)延后。第四代iPhone SE的計(jì)劃也隨之被推遲了。
2023-06-25 15:20:432392 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823 采用AMD 3D V-Cache技術(shù)的第四代AMD EPYC處理器進(jìn)一步擴(kuò)展了AMD EPYC 9004系列處理器，為計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)(CFD)、有限元分析(FEA)、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)和結(jié)構(gòu)分析等技術(shù)計(jì)算工作負(fù)載提供更強(qiáng)大的x86 CPU。
2023-08-14 14:38:111128 
最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 Sk海力士期望通過(guò)在無(wú)錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程，隨后將芯片運(yùn)回韓國(guó)總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理，最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需一層使用EUV工藝，但公司仍認(rèn)為增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:582000 三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 2024年4月18日，國(guó)民技術(shù)第四代可信計(jì)算芯片NS350 v32/v33系列產(chǎn)品正式發(fā)布并開(kāi)始量產(chǎn)供貨。NS350 v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0 （TCM 2.0）安全芯片，適用于PC、服務(wù)器平臺(tái)和嵌入式系統(tǒng)。
2024-04-18 16:22:421701 
2024年4月18日，國(guó)民技術(shù)第四代可信計(jì)算芯片NS350v32/v33系列產(chǎn)品正式發(fā)布并開(kāi)始量產(chǎn)供貨。NS350v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0（TCM2.0）安全芯片
2024-04-19 08:24:101553 
ATX是一款平臺(tái)型產(chǎn)品，沿用AT平臺(tái)并搭載第四代芯片架構(gòu)，升級(jí)了光機(jī)設(shè)計(jì)和激光收發(fā)模塊。
2024-04-20 10:49:181628 國(guó)民技術(shù)近日正式推出了其第四代可信計(jì)算芯片NS350 v32/v33系列，并已開(kāi)始量產(chǎn)供貨。這款芯片是高性能、高安全性的TCM 2.0安全芯片，能夠滿足PC、服務(wù)器平臺(tái)和嵌入式系統(tǒng)等不同領(lǐng)域的需求。
2024-05-13 15:17:252303 7月10日，雅虎財(cái)經(jīng)獨(dú)家報(bào)道了亞馬遜網(wǎng)絡(luò)服務(wù)（AWS）即將推出的重大技術(shù)進(jìn)展——其第四代Graviton處理器，即Graviton4芯片。這一重要信息由AWS的計(jì)算與人工智能產(chǎn)品管理總監(jiān)拉胡爾·庫(kù)爾卡尼在德克薩斯州奧斯汀的亞馬遜芯片研發(fā)中心親自披露。
2024-07-10 15:51:391262 知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布，搭載其研發(fā)的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已然問(wèn)世，并已批量上市，成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達(dá)
2024-07-31 17:11:171680 日前,國(guó)內(nèi)全棧式3D掃描解決方案提供商積木易搭在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上新了新一代消費(fèi)級(jí)手持3D掃描儀Moose,這也是積木易搭推出的第四代消費(fèi)級(jí)手持3D掃描儀。 據(jù)介紹,Moose屬于積木易搭推出的新一代高精度
2024-08-28 17:25:471047 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對(duì)
2024-10-12 11:30:592195 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:12:250 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208 Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動(dòng)力總成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232328 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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