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功率器件靜態(tài)參數(shù)有哪些?怎樣去測量?用什么設(shè)備更好?

黃輝 ? 來源:jf_81801083 ? 作者:jf_81801083 ? 2025-05-19 10:31 ? 次閱讀
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功率器件靜態(tài)參數(shù)分類與解析

功率器件的靜態(tài)參數(shù)反映了其在穩(wěn)態(tài)下的基本電氣和熱特性,是評估器件性能與可靠性的核心指標(biāo)。以下是主要分類及具體參數(shù)說明:

一、電壓相關(guān)參數(shù)

?擊穿電壓?

?BVDSS?(漏源擊穿電壓):表征MOSFET在柵源短接時的最大耐壓能力;

?VCES?(集射極阻斷電壓):IGBT在關(guān)斷狀態(tài)下可承受的最高電壓。

?導(dǎo)通電壓?

?VGS(th)?(柵極開啟閾值電壓):MOSFET導(dǎo)通所需的最小柵極驅(qū)動電壓;

?VGE(th)?(柵射極閾值電壓):IGBT的導(dǎo)通門檻電壓。

二、電流相關(guān)參數(shù)

?漏電流?

?IDSS?(漏源漏電流):MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下的漏極電流;

?IGSS?(柵源漏電流):柵極絕緣特性指標(biāo)。

?導(dǎo)通電流與飽和電流?

?飽和電流?:器件在飽和區(qū)的最大承載電流能力;

?靜態(tài)工作電流?:穩(wěn)態(tài)下的功耗水平參數(shù)。

三、阻抗特性

?導(dǎo)通電阻?

?RDS(on)?:MOSFET導(dǎo)通時漏源極間的電阻,直接影響導(dǎo)通損耗;

?VCES(飽和壓降)?:IGBT在飽和區(qū)的集射極電壓,反映導(dǎo)通壓降。

?跨導(dǎo)(gm)?

MOSFET柵極電壓對漏極電流的控制能力。

四、熱特性參數(shù)

?最大允許功耗(Ptot)?

器件在特定溫度下的功率耗散極限;

?熱阻(RthJC)?

結(jié)到殼的散熱效率指標(biāo)。

測試方法要點

?穩(wěn)態(tài)施加?:通過精密電源施加穩(wěn)定電壓/電流信號,測量響應(yīng)參數(shù);

?典型配置?:柵極/基極施加階梯信號,記錄電壓-電流特性曲線;

?測試條件?:需在固定溫度(如25℃)及完全導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)下進(jìn)行。

功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試需根據(jù)器件類型(如MOSFET、IGBT)選擇對應(yīng)測試方案,并結(jié)合熱特性

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PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設(shè)計測試方法靈活,能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。

產(chǎn)品特點

●高電壓達(dá)3500V(最大擴(kuò)展至10kV)

●大電流達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

●nA級漏電流μΩ級導(dǎo)通電阻

高精度測量0.1%

●模塊化配置,可添加或升級測量單元,可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試

●測試效率高,自動切換、一鍵測試

●溫度范圍廣,支持常溫、高溫測試

●兼容多種封裝,根據(jù)測試需求定制夾具

審核編輯 黃宇

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