半導體分立器件分類、靜態(tài)參數及測量是什么？
根據半導體分立器件的功能與結構差異，可將其分為以下核心類別，各類型典型器件及應用場景如下：
?一、基礎二極管類?
| ?類型? | ?代表器件? | ?核心功能? | ?典型應用? |
|---|---|---|---|
| ?整流二極管? | 1N4007系列 | 交流轉直流（單向導電） | 電源適配器、充電電路 |
| ?穩(wěn)壓二極管? | Zener系列 | 電壓鉗位保護 | 電路過壓保護（如TVS管） |
| ?肖特基二極管? | BAT54系列 | 低壓降、高速開關（VF＜0.3V） | 高頻開關電源、太陽能逆變器6 |
| ?變容二極管? | BBY系列 | 電容值隨電壓變化 | 調頻電路、壓控振蕩器 |
?二、晶體管類?
?功能特性?：
BJT：電流放大（HFE參數）
MOSFET：電壓控制開關（低RDS(on)）
?三、功率控制器件?
?晶閘管家族?：
?單向可控硅（SCR）?：整流調壓（如BT151）
?雙向可控硅（TRIAC）?：交流相位控制（照明調光）
?門極可關斷晶閘管（GTO）?：兆瓦級功率切換（工業(yè)變頻）
?整流橋堆?：
GBJ系列整流橋（集成多二極管）
?四、特種器件與傳感器?
| ?類別? | ?器件示例? | ?功能特性? |
|---|---|---|
| ?光電器件? | 光耦（PC817） | 電→光→電隔離信號傳輸 |
| ?磁敏器件? | 霍爾傳感器 | 磁場強度檢測（電機轉速監(jiān)控） |
| ?壓敏/溫敏器件? | 壓敏電阻（MOV） | 過電壓吸收、溫度監(jiān)控 |
| ?射頻器件? | PIN二極管 | 微波信號衰減/切換 |
?五、第三代半導體器件?
?SiC基器件?：
SiC MOSFET（1700V耐壓，電動汽車主驅）
SiC Schottky二極管（高頻低損耗）
?GaN基器件?：
GaN HEMT（＞100MHz開關，手機快充）
六、核心靜態(tài)參數測量方法?
?1. 基礎電參數?
| ?參數? | ?測量方法? | ?關鍵設備? |
|---|---|---|
| ?閾值電壓? | 逐步增加柵極電壓，監(jiān)測漏極電流達到特定值（如1mA）時的電壓 | SMU（源測量單元） |
| ?擊穿電壓? | 反向施加階梯電壓，限定電流閾值（如1mA）作為擊穿點 | 高壓源表（限流模式） |
| ?漏電流? | 反向偏置下用高精度電流表（pA級）測量漏源極/集電極電流，引腳浮空時需接地降噪 | 皮安表+屏蔽箱 |
| ?導通壓降? | 在飽和電流下直接測量器件兩端壓降（BJT測V | 四線制開爾文連接 |
?2. 熱相關參數?
| ?參數? | ?測量方案? |
|---|---|
| ?最大功耗? | 逐步增加功率負載至器件失效，記錄臨界值（需配合散熱器） |
| ?熱阻 | 測量結溫與環(huán)境溫度差值 |
?七、關鍵測試技術?
?抗自熱干擾?
大電流測試使用?脈沖法?（脈寬≤100μs）替代直流，避免溫升影響精度
示例：測IGBT時，脈沖電流可縮短至10ms內
?高精度連接?
低阻參數必須采用?四線開爾文法?消除引線誤差
?安全防護?
高壓測試（＞100V）需設置電流鉗位（如1mA）并啟用高壓警示區(qū)
穩(wěn)壓管測試時串聯(lián)限流電阻防燒毀
西安中昊芯測的SC2010半導體分立器件測試系統(tǒng)是國內自主研發(fā)的高端測試設備，完美替代美國STI5000系列測試機。該系統(tǒng)具有以下核心優(yōu)勢：
精準測試能力：
采用ATE系統(tǒng)逐點建立I-V特性曲線
測試精度高達0.2%+2LSB
支持6~20ms快速測試，百點曲線僅需數秒
智能化功能：
支持自動生成功率器件I-V曲線
可定制功能測試方案
數據可導出為Excel/Word格式
安全防護系統(tǒng)：
集成過電保護功能
門極過電保護適配器
內置自診斷測試代碼
便捷操作體驗：
圖形化人機交互界面
570×450×280mm緊湊設計
審核編輯 黃宇
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