半導體分立器件的靜態(tài)參數(shù)是指在直流穩(wěn)態(tài)下測量的關鍵電氣性能指標，主要用于評估器件的導通能力、耐壓特性和功耗特性等。以下是主要分類及參數(shù)說明：

一、基本電參數(shù)

?閾值電壓（Vth/VGS(th)）?

MOSFET/IGBT開始導通的最低柵極電壓，決定器件導通的門檻。

?導通電壓（VBE/VCESAT）?

BJT/IGBT導通時基極-發(fā)射極或集電極-發(fā)射極的電壓降，影響導通功耗。

?擊穿電壓（BV）?

反向偏置下器件能承受的最大電壓，如BVCBO（基極-集電極擊穿電壓）、BVDSS（漏源擊穿電壓）等。

二、電流特性參數(shù)

?漏電流（Ioff/IDSS/ICEO）?

關斷狀態(tài)下漏源或集電極-發(fā)射極的微小電流，反映絕緣性能。

?飽和電流（IDSS/ICES）?

器件在飽和區(qū)的最大承載電流，用于評估電流容量。

?靜態(tài)工作電流?

穩(wěn)態(tài)下的電流值，直接影響功耗與效率。

三、阻抗特性參數(shù)

?導通電阻（RDS(on)）?

MOSFET導通時漏源極間的電阻，決定導通損耗。

?飽和壓降（VCES）?

BJT/IGBT在飽和區(qū)的集電極-發(fā)射極電壓，反映導通阻抗。

四、放大與傳輸特性

?電流放大系數(shù)（hFE/β）?

BJT集電極電流與基極電流的比值，衡量放大能力。

?跨導（gm）?

漏極電流隨柵極電壓變化的比率，表征MOSFET的放大效率。

五、熱相關參數(shù)

?最大允許功耗（Ptot）?

器件可承受的功率耗散極限，與散熱設計直接相關。

?熱阻（RthJC）?

結到外殼的散熱能力，影響溫度穩(wěn)定性。

六、其他關鍵參數(shù)

?反向電壓（VR）?

二極管等器件在反向工作時的耐壓能力。

?絕緣電阻?

正負極間在高電壓下的絕緣特性，影響器件安全性。

怎樣去測量這些參數(shù)呢？今天介紹一種半導體分立器件測試儀——

半導體分立器件測試系統(tǒng)SC2010是一款非常具有代表性的新型半導體晶體管參數(shù)測試圖示系統(tǒng)，是美國STI5000系列測試機的完美國產(chǎn)替代機型，本系統(tǒng)可自動生成功率器件的I-V曲線，也可根據(jù)客戶的實際需求設置功能測試，直接讀取數(shù)顯結果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來料檢驗及高校實驗室等部門有廣泛的應用。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點建立，保證了數(shù)據(jù)的準確可靠。系統(tǒng)典型的測試時間6~20ms,通常上百個數(shù)據(jù)點曲線只需要幾秒鐘時間便可以展現(xiàn)出來，數(shù)據(jù)捕獲的曲線可導入EXCEL等格式進一步分析研究，是一款高效多功能的高端半導體測試設備。

本系統(tǒng)使用方便，只需要通過USB或者RS232與電腦連接，通過電腦中友好的人機界面操作，即可完成測試。并可以實現(xiàn)測試數(shù)據(jù)以EXCEL和WORD的格式保存。系統(tǒng)提供過電保護功能，門極過電保護適配器提供了廣泛的診斷測試。這些自我測試診斷被編成測試代碼,以提供自我測試夾具,在任何時間都可以檢測。對診斷設備狀態(tài)和測試結果提供了可靠地保證。

1.2關鍵指標

1.測試電壓： 0-2000V

2.測試電流： 0-100A

3.電壓分辨率：1mV

4.電流分辨率：0.1nA

5.測試精度： 0.2%+2LSB

6.測試速度： 約0.5mS/參數(shù)

7.測 試 方 式：程控脈沖式

8.脈 沖 寬 度：300us至5ms

9.規(guī) 格 尺 寸： 570*450*280mm

1.3 測試能力及特點

SC2010測試系統(tǒng)是專為測試半導體分立器件而研發(fā)設計，它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力，能夠真實準確測試以下類型的半導體器件以及相關器件組成的組合器件、器件陣列：

審核編輯 黃宇