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半導(dǎo)體測(cè)試儀使用注意事項(xiàng)

jf_11801126 ? 來(lái)源:jf_11801126 ? 作者:jf_11801126 ? 2026-01-26 10:56 ? 次閱讀
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本篇內(nèi)容聊一下半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試,LADCT2000 半導(dǎo)體分立器件直流參數(shù)測(cè)試設(shè)備-半導(dǎo)體測(cè)試儀 是技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合半導(dǎo)體功率器件測(cè)試的多 年經(jīng)驗(yàn),以及眾多國(guó)內(nèi)外測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后,完全自主開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)的全新一代“ 晶體管高精度直流參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)”。軟件及硬件均由團(tuán)隊(duì)自主完成。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性能夠得到持續(xù)完善和不斷的提升,核心技術(shù)可控,設(shè)備可靠性值得廣泛客戶信賴。具備常規(guī)靜態(tài)參數(shù)(標(biāo)配)+高速光耦開(kāi)關(guān)時(shí)間動(dòng)態(tài)參數(shù)模塊+二極管反恢選配模塊+IV曲線掃描選配模塊。


脈沖信號(hào)源輸出方面,高壓源配置2000V,高流源標(biāo)配 200A,柵極電壓 40V,柵極電流100mA,分辨率最高至 1.5uV / 1.5pA,精度最高可至 0.1%。 程控軟件基于 Lab VIEW 平臺(tái)編寫(xiě),填充式菜單界面。采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座, 自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降,保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。產(chǎn)品可測(cè)試 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等 7 大類 26 分類的電子元器件。涵蓋電子產(chǎn)品中幾乎所有的常見(jiàn)器件。無(wú)論電壓電流源還是功能配置都有著極強(qiáng)的擴(kuò)展性。


產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu),由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器,還能夠通過(guò) Prober 接 口、Handler 接口可選(16Bin)連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站,實(shí)現(xiàn)快速批量化測(cè)試。通過(guò)軟件設(shè)置可依照被測(cè)器件的參數(shù)等級(jí)進(jìn)行自動(dòng)分類存放。能夠極好的應(yīng)對(duì)“來(lái)料檢驗(yàn) ”“失效分析 ”“選型配對(duì) ”“量產(chǎn)測(cè)試 ”等不同場(chǎng)景。產(chǎn)品的可靠性和測(cè)試數(shù)據(jù)的重復(fù)性以及測(cè)試效率都有著非常優(yōu)秀的表現(xiàn)。創(chuàng)新的“ 點(diǎn)控式夾具 ”讓操作人員在夾具上實(shí)現(xiàn)一點(diǎn)即測(cè)。操作更簡(jiǎn)單效率更高。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存為 EXCEL文檔。

wKgZPGly8NOAIdCxAAP0L-qK0zY504.pngwKgZO2ly8RuAQ2JTAANNdXzbvuA193.png

二、技術(shù)方案

(1) 測(cè)試范圍 (部分特殊器件需配置對(duì)應(yīng)適配器,測(cè)試范圍廣泛,配置靈活)


夾具工裝及適配器選型 對(duì)應(yīng)的被測(cè)元件
常規(guī)夾具
適用于1~16
針對(duì)不同封裝外觀提供對(duì)應(yīng)的開(kāi)爾文接線測(cè)試座
(1) 二極管
(2) 穩(wěn)壓二極管 ZD
(3) 瞬態(tài)二極管(普通夾具)
(4) 三端肖特基(雙組二極管)
(5) 整流橋
(6) 三相整流橋堆
(7) 三極管
(8) 雙向可控硅
(9) 單向可控硅
(10) MOSFET
(11) 雙 MOSFET
(12) JFET
(13) IGBT
(14) 三端開(kāi)關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器
(15) 高邊功率開(kāi)關(guān)
(16) 壓敏電阻

綜合適配器加DUT轉(zhuǎn)接頭可直接兼容
17-24
部分增加適配板適用于 17~24
內(nèi)置不同器件工作條件的電路,以便對(duì)相應(yīng)器件的功能和直流參數(shù)進(jìn)行全面測(cè)試
(17) 三端穩(wěn)壓器
(18) 四端穩(wěn)壓
(19) 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓集成器
(20) 光耦(各類光耦)
(21) 基準(zhǔn) IC(TL431)
(22) 電壓復(fù)位 IC
(23) 固態(tài)繼電器
(24) 達(dá)林頓陣列


(2)產(chǎn)品配置選型

測(cè)試主機(jī)和電腦


? DC2000V(2000V,2.5KV,3KV 的高壓源) ? DC200A(100A,200A,300A,500A,1000A 的高流源


(3)測(cè)試種類及測(cè)試參數(shù) (部分器件需配置對(duì)應(yīng)適配器)
常規(guī)靜態(tài)參數(shù)(標(biāo)配)+光耦開(kāi)關(guān)時(shí)間動(dòng)態(tài)參數(shù)模塊+二極管反恢選配模塊

(1) 二極管類: 二極管 Diode
Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm;
(2) 二極管類:穩(wěn)壓二極管 ZD(zenerDiode)
Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;
(3) 二極管類:穩(wěn)壓二極管 ZD(zenerDiode)
Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;
(4) 二極管類: 三端肖特基二極管SBD(schottkyBarrierDiode)
Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm;
(5) 二極管類:瞬態(tài)二極管 TVS
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;
(6) 二極管類:整流橋堆
Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;
(7) 二極管類:三相整流橋堆
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;
(8) 三極管類:三極管
Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、 Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、Vbe、lcm、Vsd;
(9) 三極管類:雙向可控硅
Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、 Irrm_drm、Ih、IL;
(10)三極管類: 單向可控硅
Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL;
(11) 三極管類: MOSFET
Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、 Ig ss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvg s ;
(12)三極管類:雙MOSFET
Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2 、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lg ss1、lg ss2、Idss1、 Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss;
(13)三極管類: JFET
Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lg ss、Idss(off)、Idss(on)、vds(on)
、
Vsd;
(14)三極管類: IGBT
Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;
(15)三極管類: 三端開(kāi)關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器
Kelvin、Vbb(AZ)、 Von (CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;
(16)三極管類: 七端半橋驅(qū)動(dòng)器
Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;
(17)三極管類:高邊功率開(kāi)關(guān)
Kelvin、Vbb(AZ)、Von (CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt;
(18)保護(hù)類:壓敏電阻
Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka;
(19)穩(wěn)壓集成類:三端穩(wěn)壓器
Kelvin 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、 VD、ISC;
(20)穩(wěn)壓集成類 基準(zhǔn) IC(TL431)
Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;
(21)穩(wěn)壓集成類: 四端穩(wěn)壓
Kelvin、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、、VD、Isc;
(21)光耦類: 4 腳光耦、6腳光耦、8腳光耦、16腳光耦(光耦選配模塊可以測(cè)試各類動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)參數(shù))
Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat);

![曲線1](https://img2024.cnblogs.com/blog/3756833/202601/3756833-20260120143004898-1226203705.png)

![曲線2](https://img2024.cnblogs.com/blog/3756833/202601/3756833-20260120143021304-328056494.png)

曲線掃描模塊功能如下:

wKgZO2ly8TyAJPogAAaTU__Iixs650.png


二極管:
IF vs.VF
IR vs.VR
三極管:
IC_VS_VCE
HFE_VS_IC
BVCE_VS_IC
BVEBO_VS_IE

ICBO_VS_VCBO

ICEO_VS_VCE

IEBO_VS_VEB

VCE_(SAT)_VS_IB

VBE_(SAT)_VS_IC

VBE_(ON)_VS_IC

MOS管:
ID_VS_VDS
ID_VS_VGS
IS_VS_VSD
RDS_VS_VGS
RDS_VS_ID
IDSS_VS_VDS
BVDS_VS_IDS
IGBT:
IC_VS_VCE
IC_VS_VGE
ICES_VS_VCE
IF_VS_VF
VSAT_VS_VGE
BVCE_VS_IC
(5) 參數(shù)指標(biāo)

1. 電流/電壓源 VIS 自帶 VI測(cè)量單元

1). 加壓(FV)

量程 分辨率 精度
±40V 625uV ±0.1% 設(shè)定值±3mV
±20V 320uV ±0.1% 設(shè)定值±3mV
±10V 160uV ±0.1% 設(shè)定值±3mV
±5V 80uV ±0.1% 設(shè)定值±2mV
±2V 32uV ±0.1% 設(shè)定值±2mV
2).加流(FI):

量程 分辨率 精度
±200A 31.25mA ±0.5% 設(shè)定值±250mA
±100A 15.625mA±0.5% 設(shè)定值±125mA
±40A 625uA ±0.5% 設(shè)定值±30mA
±4A 62.5uA ±0.2% 設(shè)定值±2mA
±400mA 6.25uA ±0.1% 設(shè)定值±500uA
±40mA 625nA ±0.1% 設(shè)定值±50uA
±4mA 62.5nA ±0.1% 設(shè)定值±5uA
±400uA 6.25nA ±0.1% 設(shè)定值±500nA
±40uA 625pA ±0.1% 設(shè)定值±50nA
說(shuō)明:電流大于 1.5A 自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出,脈寬范圍 300us-1000us 可調(diào)
3). 電流測(cè)量(MI)

量程 分辨率 精度
±200A 7.8mA ± 1% 讀數(shù)值±250mA
±100A 3.9mA ±0.5% 讀數(shù)值±125mA
±40A 1.22mA ±1% 讀數(shù)值±20mA
±4A 122uA ±0.5% 讀數(shù)值±2mA
±400mA 12.2uA ±0.5% 讀數(shù)值±200uA
±40mA 1.22uA ±0.5% 讀數(shù)值±20uA
±4mA 122nA ±0.5% 讀數(shù)值±2uA
±400uA 12.2nA ±0.5% 讀數(shù)值±200nA
±40uA 1.22nA ±1% 讀數(shù)值±20nA


4). 電壓測(cè)量


量程 分辨率 精度
±2000V 30.5mV ±0.5% 讀數(shù)值±200mV
±1000V 15.3mV ±0.2% 讀數(shù)值±20mV
±40V 1.22mV ±1% 讀數(shù)值±20mV
±20V 122uV ±0.5% 讀數(shù)值±2mV
±10V 12.2uV ±0.5% 讀數(shù)值±200uV
±5V 1.22uV ±0.5% 讀數(shù)值±20uV

2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM

16 位 ADC,1M/S 采樣速率
1). 電壓測(cè)量w

量程 分辨率 精度
±2000V 30.5mV ±0.5% 讀數(shù)值±200mV
±1000V 15.3mV ±0.2% 讀數(shù)值±20mV
±100V 1.53mV ±0.1% 讀數(shù)值±10mV
±10V 153uV ±0.1% 讀數(shù)值±5mV
±1V 15.3uV ±0.1% 讀數(shù)值±2mV
±0.1V 1.53uV ±0.2% 讀數(shù)值±2mV
2). 漏電流測(cè)量MI)

量程 分辨率 精度
±100mA 1.53uA ±0.2% 讀數(shù)值±100uA
±10mA 153nA ±0.1% 讀數(shù)值±3uA
±1mA 15.3nA ±0.1% 讀數(shù)值±300nA
±100uA 1.53nA ±0.1% 讀數(shù)值±100nA
±10uA 153pA ±0.1% 讀數(shù)值±20nA
±1uA 15.3pA ±0.5% 讀數(shù)值±5nA
±100nA 1.53pA ±0.5% 讀數(shù)值±0.5nA
3). 電容容量測(cè)量(MC)

量程 分辨率 精度
6nF 10PF ±5% 讀數(shù)值±50PF
60nF 100PF ±5% 讀數(shù)值±100PF


3. 高壓源 HVS(基本)16位 DAC

1).加壓(FV)

量程 分辨率 精度
2000V/10mA 30.5mV ±0.5% 設(shè)定值±500mV
200V/10mA 30.5mV ±0.2% 設(shè)定值±50mV
40V/50mA 30.5mV ±0.1% 設(shè)定值±5mV


2).加流(FI):

量程 分辨率 精度
10mA 3.81uA ±0.5% 設(shè)定值±10uA
2mA 381nA ±0.5% 設(shè)定值±2uA
200uA 38.1nA ±0.5% 設(shè)定值±200nA
20uA 3.81nA ±0.5% 設(shè)定值±20nA
2uA 381pA ±0.5% 設(shè)定值±2nA

正確使用測(cè)試設(shè)備,能夠提升生產(chǎn)測(cè)試效率,提升客戶產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

審核編輯 黃宇

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    電子器件、材料、半導(dǎo)體和有源/無(wú)源元器件。 可以在 CV 和 IV 測(cè)量之間快速切換,無(wú)需重新連接線纜。 能夠捕獲其他傳統(tǒng)測(cè)試儀器無(wú)法捕獲的超快速瞬態(tài)現(xiàn)象。 能夠檢測(cè) 1 kHz 至 5 MHz
    發(fā)表于 10-29 14:28

    華科智源半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀

    半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀產(chǎn)品介紹產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu),由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器,還能夠通過(guò)Prober接口、Handler接口可選(16Bin)連接分選機(jī)和機(jī)械手建立
    的頭像 發(fā)表于 10-29 10:28 ?689次閱讀
    華科智源<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>分立器件<b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>

    emWin AppWizard 開(kāi)發(fā)注意事項(xiàng)有哪些?

    emWin AppWizard 開(kāi)發(fā)注意事項(xiàng)
    發(fā)表于 09-04 06:18

    半導(dǎo)體制造防震基座安裝 RC 銑孔操作注意事項(xiàng)-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

    RC 銑孔作為半導(dǎo)體防震基座安裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其操作質(zhì)量直接影響設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性,需嚴(yán)格遵循以下注意事項(xiàng),確保精度、潔凈度及安全性
    的頭像 發(fā)表于 08-19 15:28 ?1009次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造防震基座安裝 RC 銑孔操作<b class='flag-5'>注意事項(xiàng)</b>-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

    IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)

    IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過(guò)程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:55 ?2217次閱讀

    手機(jī)喇叭氣密性檢測(cè)注意事項(xiàng)

    使用手機(jī)喇叭氣密性檢測(cè)注意事項(xiàng)包括以下幾點(diǎn):一、使用前注意事項(xiàng)仔細(xì)閱讀手機(jī)喇叭氣密性檢測(cè)的使用說(shuō)明書(shū),了解設(shè)備的操作方法和注意事項(xiàng)。檢
    的頭像 發(fā)表于 05-15 13:38 ?919次閱讀
    手機(jī)喇叭氣密性檢測(cè)<b class='flag-5'>儀</b>的<b class='flag-5'>注意事項(xiàng)</b>

    設(shè)置射頻網(wǎng)絡(luò)分析測(cè)試條件有哪些注意事項(xiàng)

    射頻網(wǎng)絡(luò)分析(VNA)的測(cè)試條件設(shè)置直接影響測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。以下從儀器配置、被測(cè)器件(DUT)特性、環(huán)境干擾、校準(zhǔn)與驗(yàn)證四個(gè)維度,系統(tǒng)梳理關(guān)鍵注意事項(xiàng)及解決方案。一、儀器配置與參數(shù)設(shè)置
    發(fā)表于 05-06 16:02