當前全球存儲芯片主要為韓美日三國所占有，中國的三大存儲芯片企業(yè)長江存儲、合肥長鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機臺預(yù)計今年下半年投產(chǎn)存儲芯片，這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。

存儲芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士，市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%；在DRAM市場份額前三名分別為三星、SK海力士、美光，市場份額分別為45%、28%、21%。

由上可見，全球存儲芯片一哥無疑是三星，其在NAND flash和DRAM市場均占據(jù)優(yōu)勢的市場份額，而按國家來說韓國是全球存儲芯片的龍頭，擁有三星和SK海力士兩大存儲芯片企業(yè)。

中國是全球最大制造國，對存儲芯片有巨大需求，中國采購的存儲芯片占全球約兩成比例，近兩年全球存儲芯片價格持續(xù)上漲對中國產(chǎn)生了巨大影響，導(dǎo)致本來就利潤微薄的行業(yè)飽受其苦，要打破這種局面發(fā)展自己的存儲芯片無疑是最好的辦法，正是在這種背景下，中國開始積極發(fā)展自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè)。

在之前國內(nèi)按集成電路產(chǎn)業(yè)的分類，全國的產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)“三超多強”。即北京、上海、深圳為“三超”，蘇州、無錫、成都、西安、武漢為“多強”。上述人士回憶，當時北上深依托“中芯國際”和“海思”成為三強。而無錫、上海一帶則有908、902工程作依托，成都有封測產(chǎn)業(yè)，西安還有三星的制造業(yè)基地，武漢則憑借著武漢新芯成為多強之一。

國內(nèi)的內(nèi)存還是閃存產(chǎn)品在國際競爭格局上，基本均被韓國、日本、美國等國壟斷。其中在DRAM領(lǐng)域，三星、海力士及美光（它于2012年兼并日本的爾必達）為行業(yè)龍頭，在NAND領(lǐng)域，也由三星、東芝、新帝，海力士以及美光、英特爾共同掌握全球話語權(quán)。

反觀國內(nèi)，企業(yè)在存儲領(lǐng)域既沒有技術(shù)優(yōu)勢，也沒有生產(chǎn)規(guī)模，每年進口的芯片金額高達2500億美元，在主流與DRAM和NAND Flash芯片的制造上是零?！霸诖鎯ζ鳟a(chǎn)業(yè)中，韓美日廠商幾乎壟斷了全球存儲器市場?！鄙鲜鋈耸恳脖硎緹o奈。

現(xiàn)在長江存儲、合肥長鑫、福建晉華擔(dān)起了這個重任，共同發(fā)力，長江存儲主要發(fā)展NAND flash，合肥長鑫和福建晉華主要發(fā)展DRAM，三家企業(yè)在去年底實現(xiàn)了廠房封頂，近期開始陸續(xù)搬入機臺等生產(chǎn)設(shè)備，按計劃它們今年下半年將開始試產(chǎn)存儲芯片。

當然中國的存儲芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲芯片企業(yè)，長江存儲當下準備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash，長江存儲希望在未來兩三年實現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破，把技術(shù)差距盡量縮短到兩年以內(nèi)來。

合肥長鑫、福建晉華兩家公司計劃將要投產(chǎn)DRAM，韓國三星當下已開始采用18nm工藝生產(chǎn)DRAM，并正研發(fā)更先進的生產(chǎn)工藝，合肥長鑫和福建晉華在投產(chǎn)后預(yù)計在工藝方面較這些存儲芯片巨頭還有較大差距，在正式投產(chǎn)后還將面臨著良率問題等，需要時間。

值得驚喜的關(guān)注，北京兆易創(chuàng)新公司，他們在DRAM技術(shù)上取得了突破，其也與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團達成了合作協(xié)議，計劃投資180億元，采用19nm工藝生產(chǎn)來存儲芯片，預(yù)計今年底前將投入生產(chǎn)，不過它產(chǎn)品良率不高，表示今年計劃達到10%，這說明了生產(chǎn)存儲芯片是面臨著很多的技術(shù)難題，只是良率方面就是一座大山難以跨越。

對于中國龐大的制造業(yè)，即使是中國存儲芯片企業(yè)他們在初期在技術(shù)方面步伐有些落后，但是我國對低端存儲芯片依然有強烈需求，這為中國存儲芯片企業(yè)提供了發(fā)展的沃土，它們終將趕上韓美日存儲芯片企業(yè)，中國的許多那么多產(chǎn)業(yè)不就是從低端做起，從無到有，從有再到強的發(fā)展軌跡嗎？