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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>全球首款HBM4量產(chǎn):2.5TB/s帶寬超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn),AI存儲邁入新紀(jì)元

全球首款HBM4量產(chǎn):2.5TB/s帶寬超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn),AI存儲邁入新紀(jì)元

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2024-03-14 09:58:542109

三星電子HBM存儲技術(shù)進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091347

SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標(biāo)2026年投產(chǎn)HBM4

4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄(MOU),推進 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù),目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。 根據(jù)雙方簽署的諒解備忘錄,兩家公司初期目標(biāo)是改善
2024-04-20 08:36:51350

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211076

英偉達R系列AI芯片預(yù)計2025年量產(chǎn),內(nèi)含8顆HBM4存儲芯片,關(guān)注耗能問題

據(jù)悉,R100將運用臺積電的N3制程技術(shù)及CoWoS-L封裝技術(shù),與之前推出的B100保持一致。同時,R100有望搭載8顆HBM4存儲芯片,以滿足高性能計算需求。
2024-05-08 09:33:041257

三星電子組建HBM4獨立團隊,力爭奪回HBM市場領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團隊將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā),而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:39950

三星電子組建HBM4團隊,旨在縮短開發(fā)周期,提升競爭力

據(jù)此,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團隊將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化,而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術(shù)——HBM4。
2024-05-11 18:01:151817

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09819

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計,HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:35852

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術(shù)團隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131245

臺積電在歐洲技術(shù)研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優(yōu)勢;而N5基礎(chǔ)Dies則可在較低功耗條件下實現(xiàn)HBM4的預(yù)期速度。
2024-05-17 10:07:081152

三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存

早前在Memcon 2024行業(yè)會議上,三星電子代表曾表示,該公司計劃在年底前實現(xiàn)對1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn);而關(guān)于HBM4,他們預(yù)見在明年會完成研發(fā),并在2026年開始量產(chǎn)。
2024-05-17 15:54:15963

臺積電將采用HBM4,提供更大帶寬和更低延遲的AI存儲方案

在近期舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會上,臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎(chǔ)芯片的部分新信息。據(jù)悉,未來HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn),而臺積電計劃利用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務(wù)。
2024-05-20 09:14:111559

臺積電準(zhǔn)備生產(chǎn)HBM4基礎(chǔ)芯片

在近日舉行的2024年歐洲技術(shù)研討會上,臺積電透露了關(guān)于HBM4基礎(chǔ)芯片制造的新進展。據(jù)悉,未來HBM4將采用邏輯制程進行生產(chǎn),臺積電計劃使用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務(wù)。
2024-05-21 14:53:141101

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221275

臺積電攜手創(chuàng)意電子斬獲HBM4關(guān)鍵界面芯片大單

在科技浪潮的涌動下,臺積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》6月24日報道,繼獨家代工英偉達、AMD等科技巨頭AI芯片之后,臺積電近日攜手旗下創(chuàng)意電子,成功斬獲下一代HBM4(高帶寬內(nèi)存
2024-06-24 15:06:431358

ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進中,韓國后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據(jù)悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內(nèi)存(HBM)生產(chǎn)的演示熱壓(TC)鍵合機,雙方將攜手開發(fā)下一代鍵合技術(shù),以支持HBM4的生產(chǎn)。
2024-07-01 11:04:151538

成都匯陽投資關(guān)于跨越帶寬增長極限,HBM 賦能AI新紀(jì)元

? ? ?【AI 時代新需求,HBM 應(yīng)運而生】 隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的 GDDR 內(nèi)存逐漸達到其技術(shù)發(fā)展的瓶頸: 1)GDDR5 無法跟上 GPU 性能發(fā)展:AI 訓(xùn)練的參數(shù)量每兩年
2024-07-04 10:55:001309

英偉達、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內(nèi)存。這一合作不僅標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數(shù)據(jù)處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-07-15 17:28:051323

SK海力士探索無焊劑鍵合技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動高帶寬內(nèi)存(HBM)的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中,這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471605

SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕,也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531074

今日看點丨余承東:鴻蒙智行旗下車型將實現(xiàn)全系標(biāo)配華為智駕;傳通用汽車大裁軟件與服務(wù)部門逾1000人

1. 傳三星電子今年底啟動HBM4 流片 為明年底量產(chǎn)做準(zhǔn)備 ? 有消息稱,三星電子將于今年年底開始其第6代高帶寬存儲HBM4的流片工作,這是為明年年底12層HBM4產(chǎn)品量產(chǎn)所做的前期工作。流片
2024-08-20 10:57:22940

三星電子加速推進HBM4研發(fā),預(yù)計明年底量產(chǎn)

三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準(zhǔn)備。
2024-08-22 17:19:071189

三星攜手臺積電,共同研發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片技術(shù)

據(jù)最新報道,三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來,雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器(HBM4)芯片,旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領(lǐng)先地位。在Semicon Taiwan
2024-09-06 16:42:092229

三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片

在科技日新月異的今天,三星電子與臺積電兩大半導(dǎo)體巨頭的強強聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報道,雙方正攜手并進,共同開發(fā)下一代高帶寬存儲器(HBM4)人工智能(AI)芯片,旨在進一步鞏固并提升在快速增長的AI芯片市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-09-09 17:37:511205

鐵威馬NAS新品發(fā)布:存儲升級新紀(jì)元,全面革新存儲體驗

,不負(fù)眾望地宣布了其秋季九NAS新品的全球盛大發(fā)布,這一系列新品不僅彰顯了鐵威馬對技術(shù)創(chuàng)新的不懈追求,更以卓越性能、靈活擴展性及用戶友好設(shè)計,引領(lǐng)我們邁向存儲技術(shù)的新紀(jì)元。
2024-09-26 14:11:58983

跨越地理限制:動態(tài)海外住宅IP技術(shù)引領(lǐng)全球化網(wǎng)絡(luò)新紀(jì)元

跨越地理限制:動態(tài)海外住宅IP技術(shù)引領(lǐng)全球化網(wǎng)絡(luò)新紀(jì)元這一主題,凸顯了動態(tài)海外住宅IP技術(shù)在全球化網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中的重要作用。
2024-09-27 08:30:00691

2025年全球HBM產(chǎn)能預(yù)計大漲117%

近日,市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce在“AI時代半導(dǎo)體全局展開──2025科技產(chǎn)業(yè)大預(yù)測”研討會上發(fā)布了一項重要預(yù)測。據(jù)該機構(gòu)指出,隨著全球前三大HBM(高帶寬存儲器)廠商持續(xù)擴大產(chǎn)能,預(yù)計到2025年,全球HBM產(chǎn)能將同比大幅增長117%。
2024-10-18 16:51:251685

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001287

英偉達向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求

HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品,具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲能力,對于提升計算機系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此,英偉達作為全球領(lǐng)先的圖形處理器(GPU)制造商,對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:48874

HBM4需求激增,英偉達與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新

隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加,對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切,這直接推動了高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的快速增長,并對HBM的性能提出了更為嚴(yán)苛的要求。近日,韓國SK集團
2024-11-05 14:13:031094

英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲

日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:091539

SK海力士展出全球16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05970

Rambus推出業(yè)界首HBM4控制器IP

Rambus Inc.,業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,近日宣布了一項重大突破:推出業(yè)界首HBM4(High Bandwidth Memory 4,高帶寬內(nèi)存4代)內(nèi)存控制器IP。這一創(chuàng)新成果
2024-11-14 16:33:041090

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

科技巨頭主要采購定制化芯片不同,特斯拉此次選擇的是通用HBM4芯片。特斯拉的這一選擇旨在強化其超級計算機Dojo的性能,以滿足自動駕駛技術(shù)開發(fā)和訓(xùn)練中對高存儲帶寬的需求。 HBM4技術(shù)以其更高的傳輸帶寬、更高的存儲密度、更低的功耗以及更小的尺寸
2024-11-21 14:22:441184

特斯拉也在搶購HBM 4

據(jù)報道,特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導(dǎo)體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存芯片原型。據(jù)KEDGlobal報道,特斯拉已要求三星和SK海力士供應(yīng)通用的HBM4芯片。預(yù)計
2024-11-22 01:09:321204

美光發(fā)布HBM4HBM4E項目新進展

近日,據(jù)報道,全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項目的最新研發(fā)進展。 據(jù)悉,美光科技的下一代HBM4內(nèi)存將采用
2024-12-23 14:20:391081

中國信通院栗蔚:云計算與AI加速融合,如何開啟智算時代新紀(jì)元?

中國信通院栗蔚:云計算與AI加速融合,如何開啟智算時代新紀(jì)元?
2025-01-17 18:48:361164

三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計,力保HBM4量產(chǎn)

據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設(shè)計進行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:51950

Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內(nèi)存系統(tǒng)解決方案

近日,Cadence(NASDAQ:CDNS)近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案,以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對 SoC 日益增長的內(nèi)存帶寬
2025-05-26 10:45:26876

美光12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存已向主要客戶出貨

隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長,高性能內(nèi)存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存。
2025-06-18 09:41:53918

步科倍福手拉手,ModbusTCP主轉(zhuǎn)EtherCAT從,伺服壓接邁入新紀(jì)元

步科倍福手拉手,ModbusTCP主轉(zhuǎn)EtherCAT從,伺服壓接邁入新紀(jì)元
2025-07-25 10:38:26220

深蘭科技發(fā)布全球兒童心理健康AI陪伴玩偶產(chǎn)品

近日,深蘭科技在上海舉辦“AI機器人場景應(yīng)用渠道合作峰會”,會議上重磅發(fā)布了全球兒童心理健康AI陪伴玩偶產(chǎn)品,標(biāo)志著深蘭科技叩響C端消費級市場大門、開啟戰(zhàn)略新篇,正式宣告兒童成長陪伴領(lǐng)域邁入“人機共育”的全新紀(jì)元
2025-08-16 08:50:011444

Kioxia成功研發(fā)5TB大容量、64GB/s帶寬閃存模塊原型

全球存儲解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation成功研發(fā)出一大容量、高帶寬閃存模塊原型,該模塊對于大規(guī)模人工智能(AI)模型而言至關(guān)重要。這一成果是在日本國家研發(fā)機構(gòu)——日本
2025-08-26 17:50:26319

SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片,引領(lǐng)AI存儲新變革

HBM4 的開發(fā),并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系,這一消息猶如一顆重磅炸彈,在半導(dǎo)體行業(yè)乃至整個科技領(lǐng)域激起千層浪。 ? 高帶寬存儲器(HBM)作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)高速、寬帶寬數(shù)據(jù)傳輸?shù)南乱淮?DRAM 技術(shù),自誕生以來便備受矚目。其核心結(jié)構(gòu)是將多個 DRAM 芯片通過
2025-09-16 17:31:14174

HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!

有消息說提前到2025年。其他兩家三星電子和美光科技的HBM4量產(chǎn)時間在2026年。英偉達、AMD等處理器大廠都規(guī)劃了HBM4與自家GPU結(jié)合的產(chǎn)品,HBM4將成為未來AI、HPC、數(shù)據(jù)中心等高性能應(yīng)用至關(guān)重要的芯片。 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定中 近日,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會發(fā)布的新聞稿表示,
2024-07-28 00:58:136154

HBM4到來前夕,HBM熱出現(xiàn)兩極分化

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)高帶寬存儲HBM由于生成式AI的到來而異軍突起,成為AI訓(xùn)練不可或缺的存儲產(chǎn)品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光科技也因HBM的供應(yīng)迎來了業(yè)績的高增長。只是
2024-09-23 12:00:113321

400層閃存、HBM4、122TB SSD等,成為2025年存儲市場牽引力

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)在人工智能、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、智能終端等應(yīng)用的帶動下,存儲新技術(shù)新產(chǎn)品加速到來。例如數(shù)據(jù)中心市場,不僅是高帶寬HBM持續(xù)進階,HBM3E到HBM4的演進,企業(yè)級
2024-12-16 07:24:003648

GPU猛獸襲來!HBM4AI服務(wù)器徹底引爆!

3E/HBM4有了新進展,SK海力士的HBM4性能更強。同時,DDR4的陸續(xù)減產(chǎn),更多資源投向了DDR5和HBM。 ? AI服務(wù)器帶動業(yè)績增長 ? 戴爾科技發(fā)布2026財年第一財季(截至2025年5月2日)業(yè)績報告。數(shù)據(jù)顯示,第一財季戴爾營收達233.8億美元,同比增長5%,non-GAAP下,營業(yè)利潤為
2025-06-02 06:54:006128

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