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據(jù)悉,SK 海力士 HBM4 內(nèi)存的 I/O 接口位寬為 2048-bit,每個針腳帶寬達 10Gbps,因此單顆帶寬可高達 2.5TB/s。這一里程碑不僅標(biāo)志著 AI 存儲器正式邁入 “2TB/s 帶寬時代”,更進一步鞏固了 SK 海力士在 AI 存儲器市場的絕對領(lǐng)導(dǎo)地位。不過,SK 海力士暫未透露該產(chǎn)品的具體堆疊層數(shù),業(yè)內(nèi)人士推測其為 12 層結(jié)構(gòu)。
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技術(shù)躍遷:從參數(shù)突破到架構(gòu)革新
HBM作為 AI 芯片的 “神經(jīng)中樞”,其性能直接決定大模型訓(xùn)練與推理的效率。根據(jù) JEDEC(全球半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織)制定的 HBM4 標(biāo)準(zhǔn),該代內(nèi)存采用 2048 位接口,傳輸速率為 8Gb/s,總帶寬提升至 2TB/s,支持 4/8/12/16 層 DRAM 堆棧設(shè)計,單堆棧最大容量可達 64GB。此外,HBM4 的通道數(shù)量從 HBM3 的 16 個增至 32 個,同時引入 0.7V-0.9V VDDQ 電壓與 1.0V-1.05V VDDC 電壓選項以優(yōu)化能效,并搭載 DRFM(定向刷新管理)功能增強數(shù)據(jù)安全性。按照這一標(biāo)準(zhǔn),HBM4 的總帶寬較上一代 HBM3E 實現(xiàn) 60% 的跨越式增長。?
而此次 SK 海力士量產(chǎn)的 HBM4,每針腳帶寬達到 10Gbps,遠超 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的 8Gbps 上限。這不僅意味著數(shù)據(jù)處理速度的飛躍,更將為 AI 應(yīng)用帶來革命性變革。SK 海力士預(yù)測,HBM4 在 AI 系統(tǒng)中的應(yīng)用可使服務(wù)性能最高提升 69%,有效解決數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)傳輸瓶頸問題。
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在研發(fā)過程中,SK 海力士采用了兩項關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù):自主開發(fā)的 MR-MUF(批量回流模塑底部填充)封裝技術(shù),以及第五代 10nm 級(1b)DRAM 工藝。其中,MR-MUF 技術(shù)在堆疊半導(dǎo)體芯片后,通過填充液體保護材料并使其固化,既能提高生產(chǎn)效率與散熱效果,又能有效控制芯片翹曲現(xiàn)象;相比傳統(tǒng) “每堆疊一顆芯片就鋪設(shè)一層薄膜材料” 的工藝,該技術(shù)顯著提升了產(chǎn)品穩(wěn)定性。
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配合第五代 10nm 級(1b)DRAM 工藝,SK 海力士的 HBM4 在性能提升的同時,實現(xiàn)了 40% 的能效優(yōu)化,為數(shù)據(jù)中心大幅降低功耗與散熱成本。
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此次量產(chǎn)的 HBM4 單顆容量達 36GB,采用 24Gb DRAM 顆粒,已通過英偉達下一代 GPU 平臺 “Vera Rubin” 的認(rèn)證,預(yù)計將于 2025 年底前實現(xiàn)規(guī)?;鲐?。若業(yè)內(nèi)推測屬實,此次量產(chǎn)的為 12 層堆棧(12Hi)版本;更高端的 16 層堆棧(16Hi)版本容量將擴展至 64GB,計劃于 2026 年量產(chǎn),主要面向英偉達 Rubin Ultra 等高端 AI 加速器平臺。
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從市場格局來看,當(dāng)前 SK 海力士在全球 HBM 市場的份額已超 70%;2025 年第一季度,其 DRAM 市占率更以 36.7% 首次超越三星,終結(jié)了三星長達 30 年的 DRAM 市場霸主地位。隨著 HBM4 的量產(chǎn),SK 海力士不僅在技術(shù)上領(lǐng)先三星、美光一個梯隊,更通過鎖定英偉達等核心客戶,提前占據(jù) 2026 年 AI 高端存儲市場的先發(fā)優(yōu)勢。
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行業(yè)重構(gòu):算力革命與地緣競合
在 AI 算力基礎(chǔ)設(shè)施中,HBM 性能直接決定 AI 芯片運算效率的天花板。在傳統(tǒng) GDDR 內(nèi)存架構(gòu)下,數(shù)據(jù)傳輸能耗占系統(tǒng)總功耗的 60% 以上,已成為制約大模型訓(xùn)練效率的 “內(nèi)存墻”;而 HBM 通過 3D 堆疊技術(shù)與硅通孔(TSV)工藝,實現(xiàn)了帶寬與能效的雙重突破,完美契合 AI 算力的核心需求。?
與傳統(tǒng)內(nèi)存相比,HBM 通過垂直堆疊 8-16 層 DRAM 芯片,在相同體積下實現(xiàn)了數(shù)倍于 GDDR 的帶寬密度;對于并行計算需求強烈的 AI 訓(xùn)練場景,HBM 的多通道架構(gòu)能顯著降低數(shù)據(jù)延遲,提升 GPU 利用率。HBM4 的量產(chǎn),標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式進入 “內(nèi)存即戰(zhàn)略資產(chǎn)” 的新時代 —— 在 AI 算力需求每 3-4 個月翻一番的 “新摩爾定律” 范式下,HBM4 憑借 2.5TB/s 的帶寬與 64GB 的容量,將直接縮短大模型訓(xùn)練周期,降低生成式 AI 的應(yīng)用門檻。
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技術(shù)路線的分化正重塑全球 HBM 產(chǎn)業(yè)生態(tài):SK 海力士選擇與臺積電合作優(yōu)化 CoWoS 封裝技術(shù),三星依托自身存儲與代工業(yè)務(wù)協(xié)同開發(fā) “X-Cube” 3D 集成技術(shù),美光則側(cè)重 HBM4E 的定制化邏輯基底選項。這種技術(shù)路線的競爭不僅決定企業(yè)自身的市場地位,更將影響全球 AI 產(chǎn)業(yè)鏈的格局 —— 采用不同 HBM 技術(shù)的 AI 芯片將形成差異化性能表現(xiàn),進而引導(dǎo)下游應(yīng)用場景的發(fā)展方向。
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地緣政治因素為 HBM 競爭增添了復(fù)雜變量:SK 海力士推進韓國本土與美國工廠的擴建計劃,三星恢復(fù)平澤第五工廠建設(shè),美光加碼新加坡工廠投資,三者共同構(gòu)成了 HBM 產(chǎn)能的全球布局。在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重構(gòu)的背景下,HBM 作為 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的核心組件,已成為各國科技競爭的戰(zhàn)略要地,這也讓國內(nèi)行業(yè)對國產(chǎn) HBM 的進展更為關(guān)注。
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當(dāng)前,國內(nèi)大模型研發(fā)正面臨嚴(yán)峻的算力瓶頸,而 HBM 短缺是核心癥結(jié)之一。訓(xùn)練一個千億參數(shù)的大模型需萬卡級 GPU 集群支撐,單臺 AI 服務(wù)器的 HBM 容量已從早期的 40GB 躍升至 80GB、140GB。一方面,國內(nèi)在高端算力卡采購上受限,現(xiàn)有算力儲備難以滿足需求;更嚴(yán)峻的是,美國對 HBM 相關(guān)設(shè)備的出口管制已形成 “技術(shù)陷阱”—— 允許出口降級版 AI 芯片,卻限制高端 HBM 供應(yīng),直接導(dǎo)致國產(chǎn) AI 芯片性能落后國際領(lǐng)先水平至少 2-3 代,嚴(yán)重制約國內(nèi) AI 算力基礎(chǔ)設(shè)施的升級步伐。
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不過,國產(chǎn) HBM 的替代進程雖任重道遠,但已取得階段性進展。根據(jù)東方證券此前報道,長鑫存儲今年將在去年大幅增產(chǎn)的基礎(chǔ)上,進一步實現(xiàn)近 50% 的產(chǎn)能同比增長;到 2025 年末,長鑫存儲按比特出貨量計的市占率將從 2025 年一季度的 6% 提升至 8%,其 DDR5/LPDDR5 產(chǎn)品的市場份額預(yù)計將從一季度的 1% 左右,分別提升至 7% 和 9%。先進存儲產(chǎn)能的擴充,以及國產(chǎn) HBM 產(chǎn)品逐步進入量產(chǎn)階段,將持續(xù)利好上游設(shè)備與材料環(huán)節(jié)。另有消息顯示,長鑫存儲的 HBM3 產(chǎn)品已完成送樣,HBM3E 產(chǎn)品正處于研發(fā)當(dāng)中。
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當(dāng)前,HBM4 的研發(fā)已進入全球競爭階段,若國內(nèi)企業(yè)能加速 HBM4 技術(shù)攻關(guān),將為國產(chǎn)算力水平的提升帶來巨大增益。
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結(jié)語
SK 海力士全球率先量產(chǎn) HBM4,以 2.5TB/s 帶寬突破 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn),不僅標(biāo)志著 AI 存儲正式邁入 “2TB/s 時代”,更將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推向 “內(nèi)存即戰(zhàn)略資產(chǎn)” 的新階段。從全球競合視角看,SK 海力士的領(lǐng)先并非孤例 —— 三星 “X-Cube” 技術(shù)、美光 HBM4E 定制化路線的追趕,疊加韓、美、新等地的產(chǎn)能布局,讓 HBM 成為各國科技博弈的核心賽道。?
不難看出,HBM 的競爭早已超越 “技術(shù)與產(chǎn)能比拼” 的范疇,本質(zhì)上是全球 AI 產(chǎn)業(yè)話語權(quán)的爭奪;而國產(chǎn) HBM 力量的每一步突破,都將成為重塑這一格局的重要變量。?
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