B2M600170H與B2M600170R——國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案

引言

隨著新能源、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，輔助電源對(duì)高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的開關(guān)速度、低導(dǎo)通損耗和高溫耐受能力，成為理想選擇。然而，進(jìn)口SiC MOSFET的高成本與供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)制約了其廣泛應(yīng)用。

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體推出的B2M600170H(TO-247-3封裝)與B2M600170R(TO-263B-7封裝)，以國產(chǎn)化技術(shù)實(shí)現(xiàn)1700V高壓平臺(tái)的全覆蓋，在性能、成本及可靠性上全面對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品，為輔助電源設(shè)計(jì)提供高效替代方案。

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

產(chǎn)品概述

核心優(yōu)勢(shì)

低導(dǎo)通損耗：600 mΩ的典型導(dǎo)通電阻顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。

高頻開關(guān)性能：

開關(guān)延遲時(shí)間低至7-24 ns(B2M600170H)，支持MHz級(jí)開關(guān)頻率，減少磁性元件體積。

柵極電荷 QGQG僅14 nC，驅(qū)動(dòng)損耗較進(jìn)口競(jìng)品降低15%-20%。

高溫穩(wěn)定性：

175°C結(jié)溫下，RDS(on)溫升系數(shù)優(yōu)于進(jìn)口方案(如175°C時(shí)僅增至1.23Ω)。

雪崩能量 EAS達(dá)18 mJ，確保極端工況下的可靠性。

封裝靈活性：

TO-247-3(B2M600170H)適合高功率場(chǎng)景，兼容傳統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)。

TO-263B-7(B2M600170R)支持Kelvin源極引腳，優(yōu)化高頻開關(guān)噪聲，適合緊湊型輔助電源。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)與進(jìn)口替代價(jià)值

1. 效率與功率密度提升

高開關(guān)頻率：結(jié)合低反向恢復(fù)電荷(Qrr38-98 nC)，B2M600170H/在LLC諧振拓?fù)渲锌蓪⑿侍嵘?，同時(shí)縮小變壓器和濾波電容體積，助力電源模塊小型化。

低熱阻設(shè)計(jì)：TO-247-3封裝熱阻低至2.00 K/W，減少散熱需求，降低系統(tǒng)成本。

2. 高溫環(huán)境適應(yīng)性

寬溫域性能：在175°C結(jié)溫下，B2M600170H的連續(xù)電流仍保持5A(進(jìn)口競(jìng)品通常衰減至4A)，適用于高溫場(chǎng)景。

魯棒性強(qiáng)：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量(18 mJ)與體二極管反向恢復(fù)特性(trr28-39 ns)優(yōu)于多數(shù)進(jìn)口方案，確保短路保護(hù)與浪涌耐受能力。

3. 成本與供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)

國產(chǎn)化成本降低：較進(jìn)口器件價(jià)格低20%-30%，且供貨周期穩(wěn)定。

兼容性設(shè)計(jì)：引腳定義與主流進(jìn)口型號(hào)一致，支持直接替換，無需修改PCB布局。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

光伏逆變器輔助電源：

利用高頻優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)輔助電源效率>96%，MTBF提升30%。

儲(chǔ)能變流器輔助電源：

在-55°C至175°C寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，支持高功率設(shè)計(jì)。

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)輔助電源：

TO-263B-7封裝的Kelvin源極設(shè)計(jì)，有效抑制開關(guān)振鈴，提升控制精度。

結(jié)論

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體的B2M600170H與B2M600170R通過技術(shù)創(chuàng)新與國產(chǎn)化制造，不僅在性能參數(shù)上全面對(duì)標(biāo)進(jìn)口1700V SiC MOSFET，更以高性價(jià)比、高可靠性和靈活封裝，為輔助電源設(shè)計(jì)提供了優(yōu)質(zhì)替代方案。在“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下，其廣泛應(yīng)用將加速新能源與工業(yè)領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)，助力國產(chǎn)功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代的突破。