B2M600170H與B2M600170R——國產1700V SiC MOSFET在輔助電源中的全面進口替代方案

引言

隨著新能源、工業(yè)電源及電動汽車等領域的快速發(fā)展，輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴苛的性能要求，而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的開關速度、低導通損耗和高溫耐受能力，成為理想選擇。然而，進口SiC MOSFET的高成本與供應鏈風險制約了其廣泛應用。

BASiC Semiconductor基本半導體推出的B2M600170H(TO-247-3封裝)與B2M600170R(TO-263B-7封裝)，以國產化技術實現(xiàn)1700V高壓平臺的全覆蓋，在性能、成本及可靠性上全面對標進口產品，為輔助電源設計提供高效替代方案。

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產業(yè)鏈。

產品概述

核心優(yōu)勢

低導通損耗：600 mΩ的典型導通電阻顯著降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。

高頻開關性能：

開關延遲時間低至7-24 ns(B2M600170H)，支持MHz級開關頻率，減少磁性元件體積。

柵極電荷 QGQG僅14 nC，驅動損耗較進口競品降低15%-20%。

高溫穩(wěn)定性：

175°C結溫下，RDS(on)溫升系數(shù)優(yōu)于進口方案(如175°C時僅增至1.23Ω)。

雪崩能量 EAS達18 mJ，確保極端工況下的可靠性。

封裝靈活性：

TO-247-3(B2M600170H)適合高功率場景，兼容傳統(tǒng)散熱設計。

TO-263B-7(B2M600170R)支持Kelvin源極引腳，優(yōu)化高頻開關噪聲，適合緊湊型輔助電源。

技術優(yōu)勢與進口替代價值

1. 效率與功率密度提升

高開關頻率：結合低反向恢復電荷(Qrr38-98 nC)，B2M600170H/在LLC諧振拓撲中可將效率提升，同時縮小變壓器和濾波電容體積，助力電源模塊小型化。

低熱阻設計：TO-247-3封裝熱阻低至2.00 K/W，減少散熱需求，降低系統(tǒng)成本。

2. 高溫環(huán)境適應性

寬溫域性能：在175°C結溫下，B2M600170H的連續(xù)電流仍保持5A(進口競品通常衰減至4A)，適用于高溫場景。

魯棒性強：單脈沖雪崩能量(18 mJ)與體二極管反向恢復特性(trr28-39 ns)優(yōu)于多數(shù)進口方案，確保短路保護與浪涌耐受能力。

3. 成本與供應鏈優(yōu)勢

國產化成本降低：較進口器件價格低20%-30%，且供貨周期穩(wěn)定。

兼容性設計：引腳定義與主流進口型號一致，支持直接替換，無需修改PCB布局。

典型應用場景

光伏逆變器輔助電源：

利用高頻優(yōu)勢，實現(xiàn)輔助電源效率>96%，MTBF提升30%。

儲能變流器輔助電源：

在-55°C至175°C寬溫范圍內穩(wěn)定運行，支持高功率設計。

工業(yè)電機驅動輔助電源：

TO-263B-7封裝的Kelvin源極設計，有效抑制開關振鈴，提升控制精度。

結論

BASiC Semiconductor基本半導體的B2M600170H與B2M600170R通過技術創(chuàng)新與國產化制造，不僅在性能參數(shù)上全面對標進口1700V SiC MOSFET，更以高性價比、高可靠性和靈活封裝，為輔助電源設計提供了優(yōu)質替代方案。在“雙碳”目標驅動下，其廣泛應用將加速新能源與工業(yè)領域的技術升級，助力國產功率半導體實現(xiàn)進口替代的突破。