一個(gè)朋友給筆者打電話：“中興停牌你知道不？美國(guó)政府禁止中興采購(gòu)了”。此時(shí)筆者的注意力還集中在今年女生節(jié)新出的條幅上，不以為然的答道："看到報(bào)道了，估計(jì)美國(guó)政府也就做做樣子吧"。然而兩天過(guò)后，事件發(fā)酵，先有中興網(wǎng)友爆出，除了不允許采購(gòu)芯片之外，美國(guó)供應(yīng)商已經(jīng)全面停止對(duì)中興的技術(shù)支持：不再回復(fù)郵件，打電話過(guò)去，對(duì)方說(shuō)，“你的郵件我就當(dāng)沒(méi)看到，電話以后也別打了，否則我會(huì)有麻煩?！苯又?，看到中興宣布正在配合美國(guó)政府申請(qǐng)出口許可，雖然這種申請(qǐng)通常會(huì)被駁回。再后來(lái)，聽(tīng)說(shuō)ARM這家英國(guó)公司，因?yàn)楣敬蟛糠盅邪l(fā)放在美國(guó)，也被迫停止對(duì)中興的支持和商務(wù)合作。如此種種，讓筆者深吸一口涼氣，看來(lái)這次美國(guó)玩兒真的了。

對(duì)于這次事件的反應(yīng)，有些人認(rèn)為沒(méi)什么大不了，努比亞沒(méi)了高通，不是還有中興微電子么，用自己的唄。有些人認(rèn)為，最好全部禁運(yùn)，此刻正是國(guó)產(chǎn)芯片的好機(jī)會(huì)。但筆者卻認(rèn)為，若美國(guó)政府的斷貨制裁持續(xù)過(guò)久，會(huì)帶來(lái)中興乃至整機(jī)產(chǎn)業(yè)的滅頂之災(zāi)。所謂皮之不存毛將焉附，對(duì)于國(guó)產(chǎn)芯片而言，若失去國(guó)產(chǎn)整機(jī)廠作應(yīng)用支撐，又談何發(fā)展機(jī)會(huì)。所以，目前當(dāng)務(wù)之急是讓美國(guó)政府盡快解除禁運(yùn)，度過(guò)眼下難關(guān)，再圖將來(lái)。

雖然這些年，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進(jìn)，自給率逐年提高。華為海思最新的麒麟芯片可以和高通驍龍820一比高下；龍芯積累了十多年，也終于可以和北斗衛(wèi)星一起上天；隨便拆開(kāi)一個(gè)藍(lán)牙音箱、機(jī)頂盒、冰箱洗衣機(jī)，里面的核心芯片已經(jīng)大部分是國(guó)產(chǎn)品牌。但不可忽視的現(xiàn)狀是，這些國(guó)產(chǎn)芯片的成功應(yīng)用大多在消費(fèi)類(lèi)領(lǐng)域。在對(duì)穩(wěn)定性和可靠性要求很高的通信、工業(yè)、醫(yī)療以及軍事的大批量應(yīng)用中，國(guó)產(chǎn)芯片距離國(guó)際一般水平差距較大。尤其是一些技術(shù)含量很高的關(guān)鍵器件：高速光通信接口、大規(guī)模FPGA、高速高精度ADC/DAC等領(lǐng)域，還完全依賴美國(guó)供應(yīng)商。

進(jìn)入二十一世紀(jì)第二個(gè)十年，西方國(guó)家遏制中國(guó)，限制高技術(shù)產(chǎn)品出口中國(guó)的瓦森納協(xié)議依然生效。上述幾種芯片是限制出口的重災(zāi)區(qū)。如果想看看中國(guó)這幾個(gè)方向的真實(shí)水平，每年查查瓦森納協(xié)議的更新就可以了。而現(xiàn)代相控陣?yán)走_(dá)里面，他們都是必需品，只能通過(guò)”你懂的”渠道獲得。每生產(chǎn)一臺(tái)國(guó)產(chǎn)示波器，里面的ADC都需要美國(guó)政府的同意才能進(jìn)口，同時(shí)要承諾不被轉(zhuǎn)做軍事用途。打開(kāi)中興、華為出產(chǎn)的基站，電路板上除了幾顆數(shù)字基帶芯片是自產(chǎn)的，通信鏈路上RF，PLL，ADC/DAC乃至外圍測(cè)量電源電壓的芯片都見(jiàn)不到國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商的身影。雖然整機(jī)廠通過(guò)自產(chǎn)基帶芯片掌握核心算法，但是，卻無(wú)法解決被國(guó)外芯片供應(yīng)商“卡脖子”的問(wèn)題。了解整機(jī)產(chǎn)業(yè)的人都知道，一臺(tái)基站假如有100顆芯片，其中只要有1顆被禁運(yùn)，整臺(tái)基站就無(wú)法交付。就算找到團(tuán)隊(duì)重新設(shè)計(jì)，根據(jù)IC研發(fā)的固有規(guī)律，一顆芯片從設(shè)計(jì)、測(cè)試到量產(chǎn)至少要1年以上，高可靠性的工業(yè)級(jí)芯片需要時(shí)間更長(zhǎng)。如果制裁持續(xù)1年，這期間中興的所有產(chǎn)品全面斷貨，合同無(wú)法履行，完全沒(méi)有收入，結(jié)果不言而喻。唇亡齒寒，就算國(guó)產(chǎn)ICer們一年后把芯片給中興做出來(lái)，又有什么用呢？這一次，美國(guó)政府是捏住了中興的脈門(mén)。

誠(chéng)然，這些年來(lái)中國(guó)電子整機(jī)行業(yè)水平突飛猛進(jìn)。華為超越愛(ài)立信成為世界第一大通信設(shè)備公司。逼的其他幾家公司只能不斷合并，最后中興得以擠進(jìn)世界前四。聯(lián)影、邁瑞等國(guó)產(chǎn)大型醫(yī)療器械的產(chǎn)品水平直逼GE、飛利浦等巨頭。國(guó)產(chǎn)雷達(dá)完成主動(dòng)相控陣的跨越式超越，052C/052D、殲16等高性能武器服役，其雷達(dá)制式和性能已經(jīng)直逼美國(guó)，超越歐洲和俄羅斯。就在軍迷們彈冠相慶，褲衩紅的不能再紅的時(shí)候，不能掩蓋的事實(shí)是缺”芯”的命門(mén)其實(shí)一直掌握在美國(guó)人手中。

縱覽歷史，中國(guó)電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的突破其實(shí)也是電子技術(shù)演進(jìn)和世界分工變化的結(jié)果。電子設(shè)備的核心是算法、軟件和硬件。算法和軟件有其自身的特點(diǎn)，中國(guó)人依靠聰明和勤奮容易完成趕超。客戶需要一個(gè)feature，華為可以連夜派工程師加班編寫(xiě)；都是4G基站，華為可以做到一鍵配置完成，而對(duì)手需要按照操作手冊(cè)一步步完成。早年的華為靠這些逐步建立起市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。而硬件隨著IC技術(shù)的發(fā)展，芯片集成的功能越來(lái)越多，實(shí)際上技術(shù)含量都集中到了芯片中。以前一塊電路板上上百個(gè)元件，調(diào)試和良率都是門(mén)檻，而現(xiàn)在變成一兩顆芯片。只要你能買(mǎi)到芯片，照著參考電路設(shè)計(jì)一下，八成能用。除了軍用的高端芯片，華為中興之流幾乎可以買(mǎi)到世界上最先進(jìn)的商用芯片。盡管有瓦森納協(xié)議，但美國(guó)供應(yīng)商們?cè)诰薮蟮睦嬲T惑面前，也在幫助我們想辦法繞過(guò)限制。于是，買(mǎi)了一流的芯片，就有了一流的硬件，再加上勤奮鑄就的軟件和聰明凝聚的算法，打敗懶惰的歐洲通信商們就是順理成章的事情。于是中國(guó)成了世界工廠，有著世界上最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)。但3月7日，美國(guó)政府的制裁來(lái)了，我們才發(fā)現(xiàn)，世界領(lǐng)先的整機(jī)產(chǎn)業(yè)實(shí)際上是建立在沙子一般的地基之上，皇帝的新衣被人扒的一干二凈。

互聯(lián)網(wǎng)我們有BAT可以和facebook/google過(guò)過(guò)招，電子整機(jī)有華為中興可以對(duì)抗思科愛(ài)立信，IT行業(yè)里面為什么獨(dú)獨(dú)集成電路，沒(méi)有能跟美國(guó)抗衡的能力呢？這還要從IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)來(lái)說(shuō)起。IC設(shè)計(jì)相對(duì)于互聯(lián)網(wǎng)和整機(jī)設(shè)備，有兩個(gè)重要特點(diǎn)，試錯(cuò)成本高和排錯(cuò)難度大?；ヂ?lián)網(wǎng)做一個(gè)app，可以一天出一個(gè)版本，有些bug沒(méi)關(guān)系，第2天就可以修復(fù)，試錯(cuò)和修改的成本幾乎為零。整機(jī)硬件的電路板設(shè)計(jì)周期在1天到1個(gè)月之間，生產(chǎn)周期在3天到2周之間，出了錯(cuò)重新投板費(fèi)用在幾百到幾千之間，最多數(shù)萬(wàn)塊錢(qián)。而IC設(shè)計(jì)，不算架構(gòu)設(shè)計(jì)，從電路設(shè)計(jì)開(kāi)始，到投片，最少要半年時(shí)間。投片送到工廠加工生產(chǎn)，一般要2個(gè)月到3個(gè)月。最重要的是一次投片的費(fèi)用最少也要數(shù)十萬(wàn)元，先進(jìn)工藝高達(dá)一千萬(wàn)到幾千萬(wàn)。如此高的試錯(cuò)和時(shí)間成本對(duì)一次成功率的要求極高，不得不把流程拖長(zhǎng)，反復(fù)驗(yàn)證，需要多個(gè)工種密切配合，團(tuán)隊(duì)中一個(gè)人出錯(cuò)，3個(gè)月后回來(lái)的芯片可能就是一塊兒石頭。修改一輪，又三個(gè)月出去了。

與試錯(cuò)成本高并存的是排錯(cuò)難度大?；ヂ?lián)網(wǎng)編個(gè)軟件，調(diào)試起來(lái)幾乎可以在程序任意地方設(shè)斷點(diǎn)，查看變量當(dāng)時(shí)的狀態(tài)或者打出log。硬件電路板上，幾乎任何一根信號(hào)線可以拉到示波器上看波形。而一顆手指甲蓋大小的芯片，里面有上億個(gè)晶體管，而最終能在電路板上測(cè)量到的信號(hào)線卻只有十幾根到幾百根。如何根據(jù)這少得可憐的信息，推理出哪個(gè)晶體管設(shè)計(jì)錯(cuò)誤，難度不言而喻。

兩大特點(diǎn)導(dǎo)致對(duì)IC從業(yè)人員的素質(zhì)要求極高，試錯(cuò)周期長(zhǎng)需要邏輯嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)致的工作態(tài)度，排錯(cuò)難度大需要一套科學(xué)的實(shí)驗(yàn)方法。而這兩方面，恰恰是國(guó)內(nèi)教育的軟肋。過(guò)分重視知識(shí)的記憶，而忽略邏輯和方法。所以當(dāng)軟件工程師們靠自己的聰明和勤奮，不斷快速迭代的時(shí)候，ICer們卻經(jīng)常遇到豬隊(duì)友的困惑，導(dǎo)致原地打轉(zhuǎn)。加班已經(jīng)不能再多，卻還是一次次的delay，上市時(shí)間依然落后。更有很多bug無(wú)法找到原因，反復(fù)投片實(shí)驗(yàn)也無(wú)結(jié)果，最后只能以項(xiàng)目失敗收?qǐng)觥?/p>

高難度的產(chǎn)業(yè)背后蘊(yùn)藏的是巨大的利益和商業(yè)價(jià)值。集成電路被譽(yù)為電子工業(yè)的糧食，除了對(duì)國(guó)家和行業(yè)安全有著巨大的意義，利潤(rùn)率也隨著技術(shù)含量水漲船高。芯片本身的材料是二氧化硅，成本極低，上面凝聚的技術(shù)就決定了利潤(rùn)。消費(fèi)類(lèi)芯片產(chǎn)品一般毛利率在30%~40%，工業(yè)用產(chǎn)品一般能在50%~60%以上，更有甚者，以高性能模擬芯片為主的美國(guó)Linear公司，平均毛利率能達(dá)到90%！很多我們無(wú)法設(shè)計(jì)的芯片，例如高端交換芯片，毛利率都在99%以上。一旦中美開(kāi)戰(zhàn)，即便沒(méi)有禁運(yùn)，美國(guó)政府利用行政手段把自己電子武器的批量成本壓到我們的1/10是分分鐘的事情，細(xì)思極恐。

嘗試突破

我們一直努力，從未放棄。

高校。有些高性能關(guān)鍵器件芯片規(guī)模不大，看起來(lái)挺適合高校來(lái)作為突破的主力軍。但多年下來(lái)，業(yè)內(nèi)公認(rèn)是高校的水平不如工業(yè)界。這不是中國(guó)特有的，美國(guó)也這樣。這和前述集成電路產(chǎn)業(yè)的特點(diǎn)密切相關(guān)。高校的優(yōu)勢(shì)是出新idea，對(duì)于算法這類(lèi)領(lǐng)域挺合適，仿真實(shí)驗(yàn)看到結(jié)果快且準(zhǔn)，仿出來(lái)有效果基本實(shí)際就會(huì)有效，頂多實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度太高。芯片試錯(cuò)成本高，流程長(zhǎng)，參與協(xié)作的工種多，任何一個(gè)環(huán)節(jié)出問(wèn)題，就看不到好結(jié)果。能把一個(gè)芯片做成業(yè)界普遍水平，不掉坑里，就已經(jīng)不容易，需要多年積累。學(xué)生們積累少，縱有好的idea，往往躲不過(guò)路上無(wú)數(shù)的暗坑，還沒(méi)看到idea的效果，就死在半路了。學(xué)校的特長(zhǎng)是做更前沿的研究，適合彎道超車(chē)。而集成電路恰恰不好彎道超車(chē)，尤其是模擬芯片，你不解決100MHz的問(wèn)題，到200MHz的時(shí)候那些問(wèn)題還在。

仿制、抄襲。軍迷們引以為自豪的山寨能力，就是看美軍有什么，我們就抄一個(gè)。集成電路也可以抄，學(xué)名反向設(shè)計(jì)。雖然芯片很小，電路密度極大，但仍然可以通過(guò)顯微、照相等方式獲得他的全部版圖信息，然后復(fù)制一份，送到工廠生產(chǎn)，似乎看起來(lái)就可以得到一模一樣的產(chǎn)品了。其實(shí)不然，版圖相當(dāng)于軟件編譯后的機(jī)器代碼，可讀性很差，無(wú)法了解其原理和架構(gòu)。而版圖提取本身存在物理誤差和人為錯(cuò)誤，尤其對(duì)于高性能的模擬混合信號(hào)芯片，對(duì)工藝又非常敏感，稍有不一致都可能導(dǎo)致芯片性能和良率的巨大差異。而此時(shí)設(shè)計(jì)人員無(wú)法了解原理，定位錯(cuò)誤猶如一個(gè)盲人在大海里撈針。軍工研究所普遍采用這種方法，每次反向猶如一場(chǎng)賭博，有時(shí)候做出來(lái)OK最好，一旦出現(xiàn)問(wèn)題，基本束手無(wú)策。所以多年下來(lái)，除了電路比較簡(jiǎn)單的射頻和功放芯片，上述高性能PLL，ADC等關(guān)鍵器件反向成功，能量產(chǎn)裝備的例子寥寥無(wú)幾。

科研項(xiàng)目。國(guó)家近十幾年來(lái)，一直通過(guò)863/973/核高基等國(guó)家級(jí)科研計(jì)劃對(duì)關(guān)鍵器件進(jìn)行支持，投入巨大。后期也要求工業(yè)界和整機(jī)廠加入，以解決應(yīng)用脫節(jié)的問(wèn)題。但這些年下來(lái)，真正能量產(chǎn)并轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品的成果寥寥。究其原因，一個(gè)是目標(biāo)脫節(jié)。IC界有個(gè)說(shuō)法，實(shí)驗(yàn)室測(cè)試通過(guò)只是邁出了一小步，到量產(chǎn)還有巨大的工作量。科研項(xiàng)目只需要在評(píng)審的時(shí)候能夠提供幾顆樣片，演示出所需性能即可拿到尾款。而工業(yè)級(jí)應(yīng)用需要在各種溫度和環(huán)境變化條件下保持性能穩(wěn)定，以及解決批量生產(chǎn)的良率問(wèn)題。如何保證量產(chǎn)是需要從設(shè)計(jì)一開(kāi)始就考慮的，有些科研單位選擇的架構(gòu)本身就決定了成果只能交差，而不能量產(chǎn)。二是指標(biāo)脫節(jié)?？蒲许?xiàng)目的立項(xiàng)單位不考慮國(guó)內(nèi)實(shí)際水平，盲目追趕世界領(lǐng)先水平。不管上一周期的項(xiàng)目是否完成，今年的指標(biāo)一定要更近一步。申請(qǐng)單位惡意競(jìng)爭(zhēng)，不考慮自身實(shí)力，申請(qǐng)時(shí)競(jìng)報(bào)指標(biāo)，誰(shuí)提的指標(biāo)高誰(shuí)拿到項(xiàng)目，才不管2年以后如何交差。這樣的制度下，本來(lái)按照已有技術(shù)積累，做100MHz還能量產(chǎn)，指標(biāo)競(jìng)價(jià)完成后目標(biāo)變成500MHz，最后誰(shuí)都搞不定。

人才引進(jìn)。2000年前后，國(guó)家利用人才政策吸引海外留學(xué)人員歸國(guó)創(chuàng)業(yè)。這期間有陳大同、武平回來(lái)創(chuàng)立了展訊，魏述然回來(lái)創(chuàng)立了銳迪科等一批國(guó)產(chǎn)IC設(shè)計(jì)公司。這批公司一開(kāi)始也許有想做工業(yè)級(jí)產(chǎn)品、關(guān)鍵器件的雄心，但很快發(fā)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)環(huán)境不合適，中國(guó)整機(jī)還沒(méi)有強(qiáng)大到今天華為中興的地位，市場(chǎng)容量小，技術(shù)可靠性要求高，design-in周期長(zhǎng)，所以這批中成功活下來(lái)的這批企業(yè)都是靠消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)和08年附近一波中國(guó)山寨手機(jī)熱潮完成了原始積累，進(jìn)入良性循環(huán)。然而對(duì)于引入工業(yè)級(jí)、關(guān)鍵器件的人才就沒(méi)有那么一帆風(fēng)順。

首先合適的人選就非常少。例如在美國(guó)，由于瓦森納協(xié)議的限制，華人無(wú)法進(jìn)入ADI/TI等公司最核心的ADC產(chǎn)品研發(fā)部門(mén)，即使在他們?cè)O(shè)立在中國(guó)的研發(fā)中心，大陸工程師可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)看到絕大部分母公司的設(shè)計(jì)，但高性能的ADC產(chǎn)品除外。這簡(jiǎn)直是90年代氣象局被玻璃房子鎖住超級(jí)計(jì)算機(jī)的另一個(gè)翻版。

2009年從美國(guó)ADI公司回來(lái)了一位李博士，通過(guò)非法手段帶回了高性能DAC產(chǎn)品的版圖，一下子提高了國(guó)產(chǎn)DAC產(chǎn)品的性能指標(biāo)。但2013年事件被曝光，遭到ADI和美國(guó)政府的抗議。李事件導(dǎo)致美國(guó)政府對(duì)華人參與關(guān)鍵器件研發(fā)的控制更加嚴(yán)格，并對(duì)往來(lái)中國(guó)的留學(xué)生進(jìn)行更嚴(yán)格的審查，相繼查出Vanchip剽竊RFMD事件和天大教授張浩被FBI誘捕事件，不論是真是假，對(duì)海外留學(xué)生歸國(guó)從事關(guān)鍵器件研發(fā)造成了心里陰影，很多人為了保住往來(lái)美國(guó)的人身自由，放棄參與國(guó)內(nèi)高性能的關(guān)鍵器件研發(fā)工作的機(jī)會(huì)。

于此同時(shí)，在國(guó)際市場(chǎng)上，華為中興需要遵守國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)的游戲規(guī)則，李的方法和產(chǎn)品無(wú)法被正規(guī)整機(jī)廠采用，實(shí)際上并沒(méi)有解決工業(yè)界的問(wèn)題。相反華為中興對(duì)引入國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商在知識(shí)產(chǎn)權(quán)上更加擔(dān)心，要求國(guó)產(chǎn)廠家自證清白，有的甚至到了要求國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商的創(chuàng)始人不能有ADI/TI履歷的夸張地步，進(jìn)一步導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)度的嚴(yán)重落后。最后，在沒(méi)有知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題的軍用領(lǐng)域，由于受2013年被曝光的影響，到目前還沒(méi)有看到李博士的產(chǎn)品被裝備使用，甚是可惜。

整機(jī)廠自己努力。國(guó)內(nèi)真正算在高性能關(guān)鍵器件領(lǐng)域有所突破的應(yīng)該只有華為旗下的海思了。海思因?yàn)橛腥A為不計(jì)成本的投入，麒麟的成就眾所周知，在高速光通信及交換芯片上也有突破，已經(jīng)在慢慢從低端蠶食broadcom等多年來(lái)構(gòu)筑的技術(shù)壁壘。但之前任總的一篇講話中，給海思的定位是備胎，任總要求華為一定要用最好的器件給客戶提供最好的性能，海思做不到性能最優(yōu)就不采用。實(shí)際上這個(gè)思路，筆者覺(jué)得是有問(wèn)題的。芯片行業(yè)有個(gè)特點(diǎn)，很多問(wèn)題在實(shí)驗(yàn)室是測(cè)不出來(lái)的，必須在大規(guī)模應(yīng)用的時(shí)候才能發(fā)現(xiàn)、改進(jìn)和提高。如果一看指標(biāo)不好就不用，那永遠(yuǎn)沒(méi)有機(jī)會(huì)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，那這個(gè)備胎永遠(yuǎn)是個(gè)紙糊的，一上路就碎。實(shí)際上，正是華為終端部門(mén)被要求捏著鼻子也要用K3V2，才成就了今天的麒麟。

國(guó)家層面也看到了上述問(wèn)題，2013年9月國(guó)務(wù)院副總理馬凱調(diào)研集成電路產(chǎn)業(yè)，隨后國(guó)家出臺(tái)了新的集成電路產(chǎn)業(yè)振興規(guī)劃。改為成立產(chǎn)業(yè)基金，通過(guò)股權(quán)投資的方式對(duì)集成電路企業(yè)進(jìn)行幫助。同時(shí)以紫光為首的國(guó)內(nèi)民營(yíng)資本結(jié)合政府基金，開(kāi)始了國(guó)際市場(chǎng)上的瘋狂掃貨。展訊、RDA、OmniVision等企業(yè)紛紛被收歸旗下。但時(shí)光轉(zhuǎn)到2015年，紫光和大基金系的掃貨開(kāi)始遇到障礙，收購(gòu)美光，西數(shù)，試圖以此突破nandflash產(chǎn)業(yè)遇挫，華潤(rùn)報(bào)價(jià)Farchild被拒。連飛利浦照明業(yè)務(wù)的收購(gòu)也因?yàn)槊绹?guó)政府擔(dān)心功率半導(dǎo)體技術(shù)外泄而終止?；剡^(guò)頭來(lái)看，除了展訊這類(lèi)本來(lái)就是國(guó)內(nèi)公司、OmniVision本來(lái)就是華人公司，國(guó)家通過(guò)收購(gòu)的方式并未采購(gòu)到貨真價(jià)實(shí)的核心技術(shù)，更不要說(shuō)可以有軍事用途的射頻、ADC等關(guān)鍵器件技術(shù)，可以斷定美國(guó)人是不可能賣(mài)的。

如何破局？

對(duì)于突破集成電路高性能關(guān)鍵器件，筆者認(rèn)為有三個(gè)因素：有足夠的資金支持，有整機(jī)廠的通力合作和有耐心的團(tuán)隊(duì)。

資金怎么解決，“十八大”要求讓市場(chǎng)在資源配置中起決定性作用。芯片研發(fā)是高投入高風(fēng)險(xiǎn)，最后運(yùn)氣好才有高產(chǎn)出?，F(xiàn)在政府通過(guò)大基金的方式來(lái)決定資源分配，并不一定總能選中最后的勝利者，而且有國(guó)有資產(chǎn)保值增值的壓力，道德風(fēng)險(xiǎn)，都會(huì)讓其投資行為走形。另外，國(guó)資的大規(guī)模投入還會(huì)造成擠出效應(yīng)，減少民營(yíng)資本在產(chǎn)業(yè)中的投入量。

筆者認(rèn)為最好的方式還是吸引民間資本。民間資本只要有足夠大的市場(chǎng)，足夠大的利潤(rùn)，他就會(huì)心動(dòng)。而一開(kāi)始團(tuán)隊(duì)技術(shù)水平跟先進(jìn)水平有差距，無(wú)法參與全球競(jìng)爭(zhēng)，可以攫取的市場(chǎng)規(guī)模必然沒(méi)有那么大。這個(gè)時(shí)候應(yīng)該是國(guó)家出馬，通過(guò)補(bǔ)貼和獎(jiǎng)勵(lì)整機(jī)廠商的方式，在不損害整機(jī)廠家成本競(jìng)爭(zhēng)力的前提下，在初期允許國(guó)產(chǎn)芯片商賣(mài)一個(gè)高價(jià)，獲得超額利潤(rùn)，彌補(bǔ)巨額研發(fā)的投入，吸引民間資本進(jìn)入。后期，根據(jù)芯片累計(jì)裝備的數(shù)量，逐步減少補(bǔ)貼，最后達(dá)到市場(chǎng)定價(jià)，進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)參與競(jìng)爭(zhēng)。這種政策好處是錢(qián)肯定都花到有競(jìng)爭(zhēng)力的市場(chǎng)主體中，誰(shuí)最后裝備，誰(shuí)做的東西能用，就補(bǔ)貼誰(shuí)。當(dāng)然要注意防范騙補(bǔ)的問(wèn)題。

至于研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)和選擇錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)，讓民間資本來(lái)去承擔(dān)。民資花自己的錢(qián)，自然會(huì)慎重選擇團(tuán)隊(duì)，即使研發(fā)失敗，也能坦然接受。這樣一份國(guó)家補(bǔ)貼，可以吸引多份民間投資，只要其中一份兒成功量產(chǎn)，國(guó)家就賺到了。

當(dāng)然所有的前提是我們還有一個(gè)強(qiáng)大的，有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的整機(jī)產(chǎn)業(yè)。只有他們，才有動(dòng)力去試用還在襁褓中的國(guó)產(chǎn)IC。筆者在推廣國(guó)產(chǎn)IC的過(guò)程中，最感動(dòng)的就是這群整機(jī)廠家的技術(shù)人員，不需要任何的利益驅(qū)動(dòng)，他們是發(fā)自內(nèi)心的愿意去幫助國(guó)產(chǎn)IC，有時(shí)上司都允許放棄了，他們還加班加點(diǎn)幫助國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商查找問(wèn)題。

塞翁失馬，焉知非福。也許多年后回過(guò)頭來(lái)看，這次中興事件對(duì)國(guó)產(chǎn)IC產(chǎn)業(yè)是個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。但不管怎樣，當(dāng)下真心希望他能度過(guò)難關(guān)。

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延伸閱讀：國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)究竟如何，這篇分析最全！

本文內(nèi)容來(lái)光大證券，作者光大電子楊明輝團(tuán)隊(duì)。

摘要

周期性波動(dòng)向上，市場(chǎng)規(guī)模超4000億美元

半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，信息產(chǎn)業(yè)的基石。半導(dǎo)體行業(yè)因具有下游應(yīng)用廣泛、生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類(lèi)多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風(fēng)險(xiǎn)大等特點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工越來(lái)越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。全球半導(dǎo)體行業(yè)大致以4-6年為一個(gè)周期，景氣周期與宏觀經(jīng)濟(jì)、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫(kù)存等因素密切相關(guān)。2017半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模突破4000億美元，存儲(chǔ)芯片是主要?jiǎng)恿Α?/span>

供需變化漲價(jià)蔓延，創(chuàng)新應(yīng)用驅(qū)動(dòng)景氣周期持續(xù)

半導(dǎo)體本輪漲價(jià)的根本原因?yàn)楣┬枳兓?，并沿產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)，漲價(jià)是否持續(xù)還是看供需，NAND隨著產(chǎn)能釋放價(jià)格有所降低，DRAM、硅片產(chǎn)能仍吃緊漲價(jià)有望持續(xù)。展望未來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈、汽車(chē)電子、5G、AR／VR及AI等多項(xiàng)創(chuàng)新應(yīng)用發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)有望保持高景氣度。

提高自給率迫在眉睫，大國(guó)戰(zhàn)略推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)接近全球的三分之一，但國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體自給率水平非常低，特別是核心芯片極度缺乏，國(guó)產(chǎn)占有率都幾乎為零。芯片關(guān)乎到國(guó)家安全，國(guó)產(chǎn)化迫在眉睫。2014年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)研發(fā)提升至國(guó)家戰(zhàn)略高度。大基金首期投資成果顯著，撬動(dòng)了地方產(chǎn)業(yè)基金達(dá)5000億元，目前大基金二期募資已經(jīng)啟動(dòng)，募集金額將超過(guò)一期，推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

大陸設(shè)計(jì)制造封測(cè)崛起，材料設(shè)備重點(diǎn)突破

經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)逐漸建成，設(shè)計(jì)制造封測(cè)三業(yè)發(fā)展日趨均衡。設(shè)計(jì)業(yè)：雖然收購(gòu)受限，但自主發(fā)展迅速，群雄并起，海思展訊進(jìn)入全球前十。制造業(yè)：晶圓制造產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移，大陸12寸晶圓廠產(chǎn)能爆發(fā)。代工方面，雖然與國(guó)際巨頭相比，追趕仍需較長(zhǎng)時(shí)間，但中芯國(guó)際28nm制程已突破，14nm加快研發(fā)中；存儲(chǔ)方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成、合肥長(zhǎng)鑫三大存儲(chǔ)項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)。封測(cè)業(yè)：國(guó)內(nèi)封測(cè)三強(qiáng)進(jìn)入第一梯隊(duì)，搶先布局先進(jìn)封裝。設(shè)備：國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售快速穩(wěn)步增長(zhǎng)，多種產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的突破，星星之火等待燎原。材料：國(guó)內(nèi)廠商在小尺寸硅片、光刻膠、CMP材料、濺射靶材等領(lǐng)域已初有成效；大尺寸硅片國(guó)產(chǎn)化指日可待。

1、周期性波動(dòng)向上，市場(chǎng)規(guī)模超4000億美元

1.1、半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，信息產(chǎn)業(yè)的基石

從晶體管誕生，再到集成電路

計(jì)算機(jī)的基礎(chǔ)是1和0，有了1和0，就像數(shù)學(xué)有了10個(gè)數(shù)字，語(yǔ)言有了26個(gè)字母，人類(lèi)基因有了AGCT，通過(guò)編碼和邏輯運(yùn)算等便可以表示世間萬(wàn)物。1946年的第一臺(tái)計(jì)算機(jī)是通過(guò)真空管實(shí)現(xiàn)了1和0，共使用了18800個(gè)真空管，大約是一間半的教室大，六只大象重。

通過(guò)在半導(dǎo)體材料里摻入不同元素，1947年在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出全球第一個(gè)晶體管。晶體管同樣可以實(shí)現(xiàn)真空管的功能，且體積比電子管縮小了許多，用電子管做的有幾間屋子大的計(jì)算機(jī)，用晶體管已縮小為幾個(gè)機(jī)柜了。

把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)，這便是集成電路，也叫做芯片和IC。集成電路中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。

集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。

1965年，戈登·摩爾（GordonMoore）預(yù)測(cè)未來(lái)一個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量大約每18個(gè)月翻一倍(至今依然基本適用)，這便是著名的摩爾定律誕生。1968年7月，羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導(dǎo)體公司辭職，創(chuàng)立了一個(gè)新的企業(yè)，即英特爾公司，英文名Intel為“集成電子設(shè)備（integratedelectronics）”的縮寫(xiě)。

電子產(chǎn)品的核心，信息產(chǎn)業(yè)的基石

以智能手機(jī)為例，諸如驍龍、麒麟、蘋(píng)果A系列CPU為微元件，手機(jī)基帶芯片和射頻芯片是邏輯IC；通常所說(shuō)的2G或者4G運(yùn)行內(nèi)存RAM為DRAM，16G或者64G存儲(chǔ)空間為NANDflash；音視頻多媒體芯片為模擬IC。以上這些統(tǒng)統(tǒng)是屬于半導(dǎo)體的范疇。

半導(dǎo)體位于電子行業(yè)的中游，上游是電子材料和設(shè)備。半導(dǎo)體和被動(dòng)元件以及模組器件通過(guò)集成電路板連接，構(gòu)成了智能手機(jī)、PC等電子產(chǎn)品的核心部件，承擔(dān)信息的載體和傳輸功能，成為信息化社會(huì)的基石。

半導(dǎo)體主要分為集成電路和半導(dǎo)體分立器件。半導(dǎo)體分立器件包括半導(dǎo)體二極管、三極管等分立器件以及光電子器件和傳感器等。

集成電路可分為數(shù)字電路、模擬電路。一切的感知：圖像，聲音，觸感，溫度，濕度等等都可以歸到模擬世界當(dāng)中。很自然的，工作內(nèi)容與之相關(guān)的芯片被稱(chēng)作模擬芯片。除此之外，一些我們無(wú)法感知，但客觀存在的模擬信號(hào)處理芯片，比如微波，電信號(hào)處理芯片等等，也被歸類(lèi)到模擬范疇之中。比較經(jīng)典的模擬電路有射頻芯片、指紋識(shí)別芯片以及電源管理芯片等。數(shù)字芯片包含微元件（CPU、GPU、MCU、DSP等），存儲(chǔ)器（DRAM、NANDFlash、NORFlash）和邏輯IC（手機(jī)基帶、以太網(wǎng)芯片等）。

1.2、集成電路工序多、種類(lèi)多、換代快、投資大

簡(jiǎn)單的講，電子制造產(chǎn)業(yè)包括：原材料砂子-硅片制造-晶圓制造-封裝測(cè)試-基板互聯(lián)-儀器設(shè)備組裝。集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要為設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及上游的材料和設(shè)備。

集成電路產(chǎn)業(yè)主要有以下特征：制造工序多、產(chǎn)品種類(lèi)多、技術(shù)換代快、投資大風(fēng)險(xiǎn)高。

生產(chǎn)工序多：核心產(chǎn)業(yè)鏈流程可以簡(jiǎn)單描述為：IC設(shè)計(jì)公司根據(jù)下游戶（系統(tǒng)廠商）的需求設(shè)計(jì)芯片，然后交給晶圓代工廠進(jìn)行制造，這些IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測(cè)廠，由封裝測(cè)試廠進(jìn)行封裝測(cè)試，最后將性能良好的IC產(chǎn)品出售給系統(tǒng)廠商。

具體來(lái)說(shuō)，可以細(xì)分為以下環(huán)節(jié)：

>IC設(shè)計(jì)：根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)芯片

IC設(shè)計(jì)可分成幾個(gè)步驟，依序?yàn)椋阂?guī)格制定→邏輯設(shè)計(jì)→電路布局→布局后模擬→光罩制作。規(guī)格制定：品牌廠或白牌廠的工程師和IC設(shè)計(jì)工程師接觸，提出要求；邏輯設(shè)計(jì)：IC設(shè)計(jì)工程師完成邏輯設(shè)計(jì)圖；電路布局：將邏輯設(shè)計(jì)圖轉(zhuǎn)化成電路圖；布局后模擬：經(jīng)由軟件測(cè)試，看是否符合規(guī)格制定要求；光罩制作：將電路制作成一片片的光罩，完成后的光罩即送往IC制造公司。

>IC制造：將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上

IC制造的流程較為復(fù)雜，過(guò)程與傳統(tǒng)相片的制造過(guò)程有一定相似主要步驟包括：薄膜→光刻→顯影→蝕刻→光阻去除。薄膜制備：在晶圓片表面上生長(zhǎng)數(shù)層材質(zhì)不同，厚度不同的薄膜；光刻：將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上。光刻的成本約為整個(gè)硅片制造工藝的1/3，耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)硅片工藝的40～60%；

>IC封測(cè)：封裝和測(cè)試

封裝的流程大致如下：切割→黏貼→切割焊接→模封。切割：將IC制造公司生產(chǎn)的晶圓切割成長(zhǎng)方形的IC；黏貼：把IC黏貼到PCB上；焊接：將IC的接腳焊接到PCB上，使其與PCB相容；模封：將接腳模封起來(lái)；

產(chǎn)品種類(lèi)多。從技術(shù)復(fù)雜度和應(yīng)用廣度來(lái)看，集成電路主要可以分為高端通用和專(zhuān)用集成電路兩大類(lèi)。高端通用集成電路的技術(shù)復(fù)雜度高、標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一、通用性強(qiáng)，具有量大面廣的特征。它主要包括處理器、存儲(chǔ)器，以及FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)、AD/DA(模數(shù)/數(shù)模轉(zhuǎn)換)等。專(zhuān)用集成電路是針對(duì)特定系統(tǒng)需求設(shè)計(jì)的集成電路，通用性不強(qiáng)。每種專(zhuān)用集成電路都屬于一類(lèi)細(xì)分市場(chǎng)，例如，通信設(shè)備需要高頻大容量數(shù)據(jù)交換芯片等專(zhuān)用芯片；汽車(chē)電子需要輔助駕駛系統(tǒng)芯片、視覺(jué)傳感和圖像處理芯片，以及未來(lái)的無(wú)人駕駛芯片等。

技術(shù)更新?lián)Q代快。根據(jù)摩爾定律：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍，從而要求集成電路尺寸不斷變小。

芯片的制程就是用來(lái)表征集成電路尺寸的大小的一個(gè)參數(shù)，隨著摩爾定律發(fā)展，制程從0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90納米、65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米，一直發(fā)展到現(xiàn)在的10納米、7納米、5納米。目前，28nm是傳統(tǒng)制程和先進(jìn)制程的分界點(diǎn)。

以臺(tái)積電為例，晶圓制造的制程每隔幾年便會(huì)更新?lián)Q代一次。近幾年來(lái)?yè)Q代周期縮短，臺(tái)積電2017年10nm已經(jīng)量產(chǎn)，7nm將于今年量產(chǎn)。蘋(píng)果iPhoneX用的便是臺(tái)積電10nm工藝。除了晶圓制造技術(shù)更新?lián)Q代外，其下游的封測(cè)技術(shù)也不斷隨之發(fā)展。

除了制程，建設(shè)晶圓制造產(chǎn)線還需要事先確定一個(gè)參數(shù)，即所需用的硅片尺寸。硅片根據(jù)其直徑分為6寸（150mm）、8寸（200mm）、12寸（300mm）等類(lèi)型，目前高端市場(chǎng)12寸為主流，中低端市場(chǎng)則一般采用8寸。晶圓制造產(chǎn)線的制程和硅片尺寸這兩個(gè)參數(shù)一旦確定下來(lái)一般無(wú)法更改，因?yàn)槿绻慕?，則投資規(guī)模相當(dāng)于新建一條產(chǎn)線。

投資大風(fēng)險(xiǎn)高。根據(jù)《集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展思路和政策建議》，通常情況下，一款28nm芯片設(shè)計(jì)的研發(fā)投入約1億元～2億元，14nm芯片約2億元～3億元，研發(fā)周期約1～2年。對(duì)比來(lái)看，集成電路設(shè)計(jì)門(mén)檻顯著高于互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品研發(fā)門(mén)檻?；ヂ?lián)網(wǎng)創(chuàng)業(yè)企業(yè)的A輪融資金額多在幾百萬(wàn)元量級(jí)，集成電路的設(shè)計(jì)成本要達(dá)到億元量級(jí)。但是，相比集成電路制造，設(shè)計(jì)的進(jìn)入門(mén)檻又很低，一條28nm工藝集成電路生產(chǎn)線的投資額約50億美元，20nm工藝生產(chǎn)線高達(dá)100億美元。

集成電路設(shè)計(jì)存在技術(shù)和市場(chǎng)兩方面的不確定性。一是流片失敗的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)，即芯片樣品無(wú)法通過(guò)測(cè)試或達(dá)不到預(yù)期性能。對(duì)于產(chǎn)品線尚不豐富的初創(chuàng)設(shè)計(jì)企業(yè)，一顆芯片流片失敗就可能導(dǎo)致企業(yè)破產(chǎn)。二是市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)，芯片雖然生產(chǎn)出來(lái)，但沒(méi)有猜對(duì)市場(chǎng)需求，銷(xiāo)量達(dá)不到盈虧平衡點(diǎn)。對(duì)于獨(dú)立的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)而言，市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)比技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)更大。對(duì)于依托整機(jī)系統(tǒng)企業(yè)的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)而言，芯片設(shè)計(jì)的需求相對(duì)明確，市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)相對(duì)較小。

1.3、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與產(chǎn)業(yè)鏈變遷

半導(dǎo)體行業(yè)因具有下游應(yīng)用廣泛，生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類(lèi)多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風(fēng)險(xiǎn)大等特點(diǎn)，疊加下游應(yīng)用市場(chǎng)的不斷興起，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工越來(lái)越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。

1.起源，美國(guó)，垂直整合模式

1950s，半導(dǎo)體行業(yè)于起源于美國(guó)，主要由系統(tǒng)廠商主導(dǎo)。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最初形態(tài)為垂直整合的運(yùn)營(yíng)模式，即企業(yè)內(nèi)設(shè)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所有的制造部門(mén)，僅用于滿足企業(yè)自身產(chǎn)品的需求。

2.家電，美國(guó)→日本，IDM模式

1970s，美國(guó)將裝配產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到日本，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變?yōu)镮DM（IntegratedDeviceManufacture，集成器件制造）模式，即負(fù)責(zé)從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試所有的流程。與垂直整合模式不同，IDM企業(yè)的芯片產(chǎn)品是為了滿足其他系統(tǒng)廠商的需求。隨著家電產(chǎn)業(yè)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相互促進(jìn)發(fā)展，日本孵化了索尼、東芝等廠商。我國(guó)大部分分立器件生產(chǎn)企業(yè)也采用該類(lèi)模式。

3.PC，美日→韓國(guó)、***地區(qū)，代工模式

1990s，隨著PC興起，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)從美國(guó)轉(zhuǎn)向日本后又開(kāi)始轉(zhuǎn)向了韓國(guó)，孕育出三星、海力士等廠商。同時(shí)，***積體電路公司成立后，開(kāi)啟了晶圓代工（Foundry）模式，解決了要想設(shè)計(jì)芯片必須巨額投資晶圓制造產(chǎn)線的問(wèn)題，拉開(kāi)了垂直代工的序幕，無(wú)產(chǎn)線的設(shè)計(jì)公司（Fabless）紛紛成立，傳統(tǒng)IDM廠商英特爾、三星等紛紛加入晶圓代工行列，垂直分工模式逐漸成為主流，形成設(shè)計(jì)（Fabless）→制造（Foundry）→封測(cè)（OSAT）三大環(huán)節(jié)。

4.智能手機(jī)，全球--->中國(guó)大陸

2010s，隨著大陸智能手機(jī)品牌全球市場(chǎng)份額持續(xù)提升，催生了對(duì)半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，加之國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持以及人才、技術(shù)、資本的產(chǎn)業(yè)環(huán)境不斷成熟，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)醞釀第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向大陸轉(zhuǎn)移趨勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。

人力成本是產(chǎn)業(yè)鏈變遷和轉(zhuǎn)移的重要?jiǎng)恿?/span>

韓國(guó)和***地區(qū)的集成電路產(chǎn)業(yè)均從代工開(kāi)始，代工選擇的主要因素便是人力成本，當(dāng)時(shí)韓國(guó)和***地區(qū)的人力成本相比于日本低很多，封測(cè)業(yè)便開(kāi)始從日本轉(zhuǎn)移到韓國(guó)、***地區(qū)。同樣由于人力成本的優(yōu)勢(shì)，在21世紀(jì)初，封測(cè)業(yè)已經(jīng)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移，可以說(shuō)已經(jīng)完成了當(dāng)年韓國(guó)、***地區(qū)的發(fā)展初期階段。勞動(dòng)力密集型的IC封測(cè)業(yè)最先轉(zhuǎn)移；而技術(shù)和資金密集型的IC制造業(yè)次之，轉(zhuǎn)移后會(huì)相差1-2代技術(shù)；知識(shí)密集型的IC設(shè)計(jì)一般很難轉(zhuǎn)移，技術(shù)差距顯著，需要靠自主發(fā)展。

1.4、4-6年周期性波動(dòng)向上，突破4000億美元

4-6年為1個(gè)周期性波動(dòng)向上

費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)（SOX）由費(fèi)城交易所創(chuàng)立于1993年，有20家企業(yè)的股票被列入該指數(shù)，為全球半導(dǎo)體業(yè)景氣主要指標(biāo)之一，其走勢(shì)與全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的走勢(shì)基本相同。

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)數(shù)據(jù)披露，全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額于1994年突破1000億美元，2000年突破2000億美元，2010年將近3000億美元,預(yù)計(jì)2017年將會(huì)突破4000億美元，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，逐漸成為一個(gè)超級(jí)巨無(wú)霸的行業(yè)。

從全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額同比增速上看，全球半導(dǎo)體行業(yè)大致以4-6年為一個(gè)周期，景氣周期與宏觀經(jīng)濟(jì)、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫(kù)存等因素密切相關(guān)。

2017突破4000億美元，存儲(chǔ)芯片是主要?jiǎng)恿?/span>

據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2017年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為4086.91億美元，同比增長(zhǎng)20.6%，首破4000億美元大關(guān)，創(chuàng)七年以來(lái)（2010年為年增31.8%）的新高。

其中，集成電路產(chǎn)品市場(chǎng)銷(xiāo)售額為3401.89億美元，同比增長(zhǎng)22.9%，大出業(yè)界意料之外，占到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總值的83.2%的份額。存儲(chǔ)器電路（Memory）產(chǎn)品市場(chǎng)銷(xiāo)售額為1229.18億美元，同比增長(zhǎng)60.1%，占到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總值的30.1%，超越歷年占比最大的邏輯電路（1014.13億美元），也印證了業(yè)界所謂的存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)業(yè)的溫度計(jì)和風(fēng)向標(biāo)之說(shuō)。

半導(dǎo)體分立器件（D-O-S）方面，市場(chǎng)為685.02億美元，同比增長(zhǎng)10.1%，占到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總值的16.8%，主要得益于功率器件等推動(dòng)分立器件（DS）市場(chǎng)銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)10.7%以及MEMS、射頻器件、汽車(chē)電子、AI等推動(dòng)傳感器市場(chǎng)（Sensors）銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)15.9%。

據(jù)ICInsights報(bào)道，DRAM2017年平均售價(jià)（ASP）同比上漲77%，銷(xiāo)售總值達(dá)720億美元，同比增長(zhǎng)74%；NANDFlash2017年平均售價(jià)（ASP）同比上漲38%，銷(xiāo)售總額達(dá)498億美元，同比增長(zhǎng)44%，NORFlash為43億美元，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)器總體市場(chǎng)上揚(yáng)增長(zhǎng)58%。如若扣除存儲(chǔ)器售價(jià)上揚(yáng)的13%，則2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)率僅為9%的水平。依靠DRAM和NAND閃存的出色表現(xiàn)，三星半導(dǎo)體在2017年第二季度超越英特爾，終結(jié)英特爾20多年雄踞半導(dǎo)體龍頭位置的記錄。

從區(qū)域上看，WSTS數(shù)據(jù)顯示北美（美國(guó)）地區(qū)市場(chǎng)銷(xiāo)售額為864.58億美元，同比增長(zhǎng)31.9%，增幅提升36.6%，居全球首位，占到全球市場(chǎng)的21.2%的份額，起到較大的推動(dòng)作用。其他地區(qū)（主要為中國(guó)）銷(xiāo)售額為2478.34億美元，同比增長(zhǎng)18.9%，占到全球市場(chǎng)總值的60.6%。

半導(dǎo)體帶動(dòng)上游設(shè)備創(chuàng)歷史新高。據(jù)SEMI預(yù)測(cè)，2017年半導(dǎo)體設(shè)備的銷(xiāo)售額為559億美元，比2016年增長(zhǎng)35.6%。2018年，半導(dǎo)體設(shè)備的銷(xiāo)售額達(dá)到601億美元，比2017年增長(zhǎng)7.5%。

2、供需變化漲價(jià)蔓延，創(chuàng)新應(yīng)用驅(qū)動(dòng)景氣周期持續(xù)

2.1、供需變化沿產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)，漲價(jià)持續(xù)蔓延擴(kuò)展

本輪漲價(jià)的根本原因?yàn)楣┬璺崔D(zhuǎn)，并沿產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)，從存儲(chǔ)器中DRAM和NAND供不應(yīng)求漲價(jià)導(dǎo)致上游12寸硅片供不應(yīng)求漲價(jià)，12寸晶圓代工廠漲價(jià)，NOR漲價(jià)，12寸硅片不足用8寸硅片代替，導(dǎo)致8寸硅片漲價(jià)，8寸晶圓代工廠漲價(jià)，傳導(dǎo)下游電源管理IC、LCD/LED驅(qū)動(dòng)IC、MCU、功率半導(dǎo)體MOSFET等漲價(jià)，漲價(jià)持續(xù)蔓延。此外，2017Q4加密幣挖礦芯片半路殺出搶12寸晶圓先進(jìn)制程產(chǎn)能。

2.1.1、存儲(chǔ)器：供不應(yīng)求漲價(jià)開(kāi)始，是否持續(xù)還是看供需

存儲(chǔ)器主要包括DRAM、NANDFlash和NORFlash。其中DRAM約占存儲(chǔ)器市場(chǎng)53%，NANDFlash約占存儲(chǔ)器市場(chǎng)42%，而NORFlash僅占3%左右。DRAM即通常所說(shuō)的運(yùn)行內(nèi)存，根據(jù)下游需求不同主要分為：標(biāo)準(zhǔn)型(PC)、服務(wù)器(Server)、移動(dòng)式(mobile)、繪圖用(Graphic)和消費(fèi)電子類(lèi)(Consumer)。NANDFlash即通常所說(shuō)的閃存，根據(jù)下游需求不同主要分為：存儲(chǔ)卡/UFD、SSD、嵌入式存儲(chǔ)和其他。

存儲(chǔ)器的漲價(jià)由供不應(yīng)求開(kāi)始，是否持續(xù)還得看供需。

DRAM

需求端：下游智能手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存不斷從1G到2G、3G、4G升級(jí)導(dǎo)致移動(dòng)式DRAM快速需求增長(zhǎng)，同時(shí)APP應(yīng)用市場(chǎng)快速發(fā)展導(dǎo)致服務(wù)器內(nèi)存需求增長(zhǎng)。

供給端：DRAM主要掌握在三星、海力士、美光等幾家手中，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，三星市占率約為45%。2016年Q3之前，DRAM價(jià)格一路走低，所有DRAM廠商都不敢貿(mào)然擴(kuò)產(chǎn)。供不應(yīng)求導(dǎo)致DRAM價(jià)格從2016年Q2/Q3開(kāi)始一路飆升，DXI指數(shù)從6000點(diǎn)上漲到如今的30000點(diǎn)。DXI指數(shù)是集邦咨詢于2013年創(chuàng)建反映主流DRAM價(jià)格的指數(shù)。

展望2018年上半年，因DRAM三大廠產(chǎn)能計(jì)劃趨于保守，2018年新增投片量?jī)H約5-7%，實(shí)質(zhì)新產(chǎn)能開(kāi)出將落于下半年，導(dǎo)致上半年供給仍然受限，整體市場(chǎng)仍然吃緊；SK海力士決議在無(wú)錫興建新廠，最快產(chǎn)能開(kāi)出時(shí)間落在2019年，我們預(yù)計(jì)在2018年上半年服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格仍然會(huì)延續(xù)漲價(jià)的走勢(shì)。

2018Q1移動(dòng)式內(nèi)存價(jià)格可能會(huì)有較明顯影響。在大陸智能手機(jī)出貨疲弱的大環(huán)境影響下，雖然整體DRAM仍呈現(xiàn)供貨吃緊的狀態(tài)，但以三星為首率先調(diào)整對(duì)大陸智能手機(jī)廠商的報(bào)價(jià)，移動(dòng)式內(nèi)存的漲幅已較先前收斂，從原先的5%的季成長(zhǎng)縮小為約3%。

NANDFlash

需求端：下游智能手機(jī)閃存存不斷從16G到32G、64G、128G甚至256G升級(jí)導(dǎo)致嵌入式存儲(chǔ)快速需求增長(zhǎng)，同時(shí)隨著SSD在PC中滲透率提升導(dǎo)致SSD需求快速增長(zhǎng)。

供給端：2016和2017年為NANDFlash從2D到3DNAND制程轉(zhuǎn)化年，產(chǎn)能存在逐漸釋放的過(guò)程，主要廠商有三星、東芝、美光和海力士，三星同樣是產(chǎn)業(yè)龍頭，市占率約為37%。

展望未來(lái)，智能手機(jī)銷(xiāo)售增速疲軟，2018年上半年NAND需求恐不如預(yù)期，隨著3D產(chǎn)能不斷開(kāi)出，市況將轉(zhuǎn)變成供過(guò)于求，導(dǎo)致NANDFlash價(jià)格持續(xù)走跌的機(jī)率升高。

NORFlash

雖然NORFLASH市場(chǎng)份額較小，但是由于代碼可在芯片內(nèi)執(zhí)行，仍然常常用于存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼和設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序。需求端：隨著物聯(lián)網(wǎng)、智慧應(yīng)用(智能家居、智慧城市、智能汽車(chē))、無(wú)人機(jī)等廠商導(dǎo)入NORFlash作為儲(chǔ)存裝置和微控制器搭配開(kāi)發(fā)，NORFlash需求持續(xù)增長(zhǎng)。供給端：一方面由于DRAM和NAND搶食硅片產(chǎn)能，導(dǎo)致NORFlash用12寸硅片原材料供不應(yīng)求漲價(jià)；另一方面，巨頭美光及Cypress紛紛宣布淡出，關(guān)停部分生產(chǎn)線等，產(chǎn)生供給缺口，導(dǎo)致價(jià)格上漲。

經(jīng)過(guò)近幾年版圖大洗牌，目前旺宏成為產(chǎn)業(yè)龍頭，市占率約24%，CYPRESS（賽普拉斯）市場(chǎng)占有率約21%，美光科技市占率約20%，華邦電居第四位，大陸廠商兆易創(chuàng)新居第五，占有一席之地。從各家公司的產(chǎn)品分布上，最高端NORFLASH產(chǎn)品多由美光、賽普拉斯供應(yīng)，應(yīng)用領(lǐng)域以汽車(chē)電子居多；華邦、旺宏則以NORFLASH中端產(chǎn)品供應(yīng)為主，應(yīng)用領(lǐng)域以消費(fèi)電子、通訊電子居多；而兆易創(chuàng)新提供的多為低端產(chǎn)品，主要應(yīng)用在PC主板、機(jī)頂盒、路由器、安防監(jiān)控產(chǎn)品等領(lǐng)域。

展望未來(lái)，隨著iPhoneX采用AMOLED，需要再搭配一顆NORFlash，預(yù)期AMOLED智能型手機(jī)市場(chǎng)滲透率持續(xù)上升，對(duì)NORFlash需求的成長(zhǎng)空間頗大。近年蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)IOT需要有記憶體搭載，以及車(chē)用系統(tǒng)也持續(xù)增加新的需求。兆易創(chuàng)新戰(zhàn)略入股中芯國(guó)際,將形成存儲(chǔ)器虛擬“IDM”合作模式,進(jìn)一步加深雙方合作關(guān)系,有助于保障長(zhǎng)期產(chǎn)能供應(yīng)，深度受益于NORFlash景氣。

2.1.2、硅片：供需剪刀差形成，從12寸向8寸蔓延

硅片是半導(dǎo)體芯片制造最重要的基礎(chǔ)原材料，在晶圓制造材料成本中占比近30%，是份額最大的材料。

目前主流的硅片為300mm（12英寸）、200mm（8英寸）和150mm（6英寸），其中12英寸硅片份額在65-70%左右，8寸硅片占25-27%左右，6寸占6-7%左右。近年來(lái)12英寸硅片占比逐漸提升，6和8寸硅片的市場(chǎng)將被逐步擠壓，預(yù)計(jì)2020年二者合計(jì)占比由2014年的40%左右下降到2020年的30%左右，而更大尺寸450mm（18英寸）產(chǎn)能將在19年開(kāi)始逐步投建。

硅片尺寸越大，單個(gè)硅片上可制造的芯片數(shù)量則越多，同時(shí)技術(shù)要求水平也越高。對(duì)于300mm硅片來(lái)說(shuō)，其面積大約比200mm硅片多2.25倍，200mm硅片大概能生產(chǎn)出88塊芯片而300mm硅片則能生產(chǎn)出232塊芯片。更大直徑的硅片可以減少邊緣芯片，提高生產(chǎn)成品率；同時(shí)，在同一工藝過(guò)程中能一次性處理更多的芯片，設(shè)備的重復(fù)利用率提高了。

12英寸硅片主要用于高端產(chǎn)品，如CPUGPU等邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片；8英寸主要用于中低端產(chǎn)品，如電源管理IC、LCDLED驅(qū)動(dòng)IC、MCU、功率半導(dǎo)體MOSFE、汽車(chē)半導(dǎo)體等。

硅片供給屬于寡頭壟斷市場(chǎng)，目前全球硅晶圓廠商以日本、***、德國(guó)等五大廠商為主，包括日本信越、日本三菱住友SUMCO、環(huán)球晶圓、德國(guó)Siltronic、韓國(guó)SKSiltronic，前五大供應(yīng)商囊括約90%以上的市場(chǎng)份額。

硅片的下游客戶主要以三星、美光、SK海力士、東芝／WD為代表的存儲(chǔ)芯片制造商和以臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電、力晶科技、中芯國(guó)際為代表的純晶圓代工業(yè)者。

需求端：過(guò)去十年來(lái)硅片需求穩(wěn)定增長(zhǎng)。2016與2007年相比，制造一顆IC面積減少了24%以上，2016年IC面積0.044平方英寸/顆，而2007年0.058平方英寸/顆，1年約減少2~3%。但來(lái)自終端需求成長(zhǎng)，帶動(dòng)硅片需求量平均每年成長(zhǎng)5~7%，故整體硅片面積每年呈3~5%的成長(zhǎng)。

供給端：擴(kuò)產(chǎn)不及時(shí)。據(jù)DIGITIMES的數(shù)據(jù)，自2006年至2016年上半，半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)長(zhǎng)達(dá)10年的供給過(guò)剩，大多數(shù)硅晶圓供貨商獲利不佳，使得近年來(lái)供給端的動(dòng)作相當(dāng)保守，供應(yīng)商基本沒(méi)有擴(kuò)充產(chǎn)能，2017年受到下游存儲(chǔ)器、ASIC、汽車(chē)半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體等需求驅(qū)動(dòng)，硅片呈現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，供需反轉(zhuǎn)形成剪刀差，硅片廠去庫(kù)存，硅片價(jià)格逐漸上升，從12寸向8寸蔓延。

12寸硅片

需求端：ICinsights數(shù)據(jù)顯示全球營(yíng)運(yùn)中的12寸晶圓廠數(shù)量持續(xù)成長(zhǎng)，2017年全球新增8座12寸晶圓廠開(kāi)張，到2020年底，預(yù)期全球?qū)⒃傩略?座的12寸晶圓廠運(yùn)營(yíng)，讓全球應(yīng)用于IC生產(chǎn)的12寸晶圓廠總數(shù)達(dá)到117座。而如果18寸（450mm）晶圓邁入量產(chǎn)，12寸晶圓廠的高峰數(shù)量可達(dá)到125座左右；而營(yíng)運(yùn)中8寸（200mm）量產(chǎn)晶圓廠的最高數(shù)量則是210座（在2015年12月為148座）。根據(jù)SUMCO的數(shù)據(jù)，2016下半年全球300mm硅片的需求已經(jīng)達(dá)到520萬(wàn)片/月，2017年和2018年全球300mm硅片的需求分別為550萬(wàn)片/月和570萬(wàn)片/月。預(yù)計(jì)未來(lái)三年300mm硅片需求將持續(xù)增加，2020年新增硅片月需求預(yù)計(jì)超過(guò)750萬(wàn)片/月，較2017年增加200萬(wàn)片/月以上，需求提升36%，從2017-2022年復(fù)合需求增速超過(guò)9.7%，值得注意的是，以上測(cè)算需求還沒(méi)有考慮部分中國(guó)客戶。

供給端：根據(jù)SEMI的預(yù)測(cè)，2017年和2018年300mm硅片的產(chǎn)能為525萬(wàn)片/月和540萬(wàn)片/月。由于2017年之前硅片供大于求，硅片產(chǎn)業(yè)虧多賺少，各大硅片廠擴(kuò)產(chǎn)意愿低，所以全球硅片的產(chǎn)量增長(zhǎng)緩慢。各大廠商以漲價(jià)和穩(wěn)固市占率為主要策略，到目前為止僅有SUMCO預(yù)計(jì)在2019年上半年增加11萬(wàn)片/月和Siltronic計(jì)劃到19年中期擴(kuò)產(chǎn)7萬(wàn)片/月。我們預(yù)計(jì)未來(lái)幾年12寸硅片的缺貨將是常態(tài)。

漲價(jià)：12寸硅片供不應(yīng)求，缺貨成常態(tài)，硅片價(jià)格逐步上升，下游晶圓廠開(kāi)始去庫(kù)存。信越半導(dǎo)體及SUMCO的12寸硅片簽約價(jià)已從2017年的75美元/片上漲至120美元/片，漲幅高達(dá)60%。未來(lái)幾年硅片供給仍然存在明顯缺口，我們預(yù)計(jì)漲價(jià)趨勢(shì)將持續(xù)，2018年12寸硅片將進(jìn)一步漲價(jià)20%-30%左右。

8寸硅片

需求端：2017年上半年8寸晶圓廠整體的需求較平緩，隨著2017年第3季旺季需求顯現(xiàn)，預(yù)期隨著硅晶圓續(xù)漲，在LCD/LED驅(qū)動(dòng)IC、微控制器（MCU）、電源管理IC（PMIC）、指紋辨識(shí)IC、CIS影響傳感器等投片需求持續(xù)增加。雖然LCD驅(qū)動(dòng)IC、PMIC、指紋辨識(shí)IC等已出現(xiàn)轉(zhuǎn)向12寸廠投片情況，但多數(shù)上游IC設(shè)計(jì)廠基于成本及客制化的考慮，仍以在8寸廠投片為主。Sumco預(yù)計(jì)到2020年200mm硅片需求量將達(dá)574萬(wàn)片/月，比2016年底的460萬(wàn)片/月增加24.78%。

供給端：8寸晶圓制造設(shè)備產(chǎn)能持續(xù)降低，部份關(guān)鍵設(shè)備出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨，二手8寸晶圓制造設(shè)備也是供不應(yīng)求。在此情況下，晶圓代工短期廠很難大舉擴(kuò)增8寸晶圓產(chǎn)能，8寸硅晶圓的擴(kuò)產(chǎn)需到2018年-2019年才有產(chǎn)出，我們預(yù)計(jì)未來(lái)幾年8寸硅片也將處于供給緊張狀態(tài)。

漲價(jià)：2017年12英寸硅晶圓供不應(yīng)求且價(jià)格逐季調(diào)漲，8英寸硅晶圓價(jià)格也在2017年下半年跟漲，累計(jì)漲幅約10%。在投片需求持續(xù)增加，但擴(kuò)產(chǎn)有限下，預(yù)期2018年上半年8寸晶圓廠產(chǎn)能整體產(chǎn)能仍吃緊。根據(jù)ESM報(bào)道，預(yù)期隨著硅晶圓續(xù)漲價(jià)，預(yù)計(jì)2018年第1季8寸晶圓代工價(jià)格將會(huì)調(diào)漲5～10%。

2.1.3、8寸晶圓產(chǎn)品：產(chǎn)品漲價(jià)蔓延

8寸硅晶圓短缺以及晶圓廠產(chǎn)能緊缺的影響逐漸向市場(chǎng)滲透，而電源IC、MCU、指紋IC、LED/LCD驅(qū)動(dòng)芯片、MOSFET等皆為8寸產(chǎn)線。

根據(jù)國(guó)際電子商情報(bào)道，多家國(guó)內(nèi)外原廠發(fā)布了自2018年1月1日起漲價(jià)的通知，主要集中在MOSFET、電源IC、LCD驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品，有的漲幅達(dá)到了15%-20%。國(guó)內(nèi)廠商，富滿電子、華冠半導(dǎo)體、芯電元、芯茂微電子、裕芯電子、南京微盟等對(duì)電源IC、LED驅(qū)動(dòng)IC、MOSFET等產(chǎn)品進(jìn)行了調(diào)價(jià)，其中MOSFET漲幅較大。國(guó)際分立器件與被動(dòng)元器件廠商Vishay決定自2018年1月2日起對(duì)新訂單漲價(jià)，未發(fā)貨訂單價(jià)格也將于3月1日起調(diào)整。

MOSFET：延長(zhǎng)交期

根據(jù)富昌電子2017年Q4的市場(chǎng)分析報(bào)告指出，低壓MOSFET產(chǎn)品，英飛凌、Diodes,飛兆（安森美）、安森美、安世，ST，Vishay的交期均在延長(zhǎng)，交期在16-30周區(qū)間。英飛凌交期16-24周，汽車(chē)器件交貨時(shí)間為24+周。安世半導(dǎo)體交期20-26周，汽車(chē)器件產(chǎn)能限制。Vishay/Siliconix從5＆6英寸晶圓廠轉(zhuǎn)型成8英寸晶圓廠，貨期也有改進(jìn)。高壓MOSFET產(chǎn)品，除IXYS和MS交期穩(wěn)定之外，英飛凌、飛兆/安森美、ST、羅姆、Vishay皆為交期延長(zhǎng)。

MCU：恐將缺貨一整年

2017年12月，全球汽車(chē)電子芯片龍頭大廠NXP（恩智浦）宣布，從2018年第一季度開(kāi)始，MCU、汽車(chē)電子等產(chǎn)品將會(huì)進(jìn)入漲價(jià)通道，漲價(jià)幅度5%-10%不等。此外，自2017年以來(lái)，全球多家MCU廠商產(chǎn)品出貨交期皆自四個(gè)月延長(zhǎng)至六個(gè)月，日本MCU廠更罕見(jiàn)拉長(zhǎng)達(dá)九個(gè)月。2017年全球電子產(chǎn)品制造業(yè)營(yíng)運(yùn)大多相當(dāng)紅火，連日本半導(dǎo)體廠也出現(xiàn)多年不見(jiàn)正成長(zhǎng)榮景，帶動(dòng)IC芯片等電子元件銷(xiāo)量走升。預(yù)估后市于全球汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需求不斷爆發(fā)、持續(xù)成長(zhǎng)，矽晶圓廠產(chǎn)能滿載下，2018年全球MCU市場(chǎng)，恐將一整年持續(xù)面臨供應(yīng)短缺局面。

LCD驅(qū)動(dòng)IC：漲價(jià)or缺貨

根據(jù)WitsView預(yù)測(cè)，一方面，由于晶圓代工廠提高8英寸廠的IC代工費(fèi)用，IC設(shè)計(jì)公司第一季可能跟著被迫向面板廠提高IC報(bào)價(jià)5~10%，以反映成本上升的壓力。另一方面，隨著物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用電子以及智慧家居等需求興起，帶動(dòng)電源管理與微控制器等芯片用量攀升，已經(jīng)開(kāi)始擠壓8英寸晶圓廠LCD驅(qū)動(dòng)IC的投片量。

近年來(lái)因面板廠的削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，驅(qū)動(dòng)IC價(jià)格大幅滑落，早已成為晶圓代工廠心中低毛利產(chǎn)品的代名詞，當(dāng)利潤(rùn)更佳的電源管理芯片或是微控制器的需求崛起，也剛好給了晶圓代工廠一個(gè)絕佳的調(diào)整機(jī)會(huì)，預(yù)估截至2018年第一季，晶圓代工廠驅(qū)動(dòng)IC的投片量將下修約20%。中低端IT面板用驅(qū)動(dòng)IC供應(yīng)吃緊，驅(qū)動(dòng)IC的交期普遍都拉長(zhǎng)到10周以上，有可能連帶影響面板的供貨。

2.2、硅含量提升&創(chuàng)新應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體景氣周期持續(xù)

本輪半導(dǎo)體景氣周期以存儲(chǔ)器、硅片等漲價(jià)開(kāi)始，受益于電子產(chǎn)品硅含量提升和下游創(chuàng)新應(yīng)用需求推動(dòng)，我們認(rèn)為半導(dǎo)體行業(yè)有望得到長(zhǎng)效發(fā)展。

2.2.1、硅含量提升

按照ICInsights的預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體所占電子信息產(chǎn)業(yè)的比例，將由2016年的25%提高到接近2017年的28.1%，將會(huì)有更多的元器件被半導(dǎo)體所取代或整合，或者更多的新功能新應(yīng)用被新設(shè)備所采用，半導(dǎo)體對(duì)應(yīng)電子產(chǎn)品的重要性越來(lái)越大，預(yù)計(jì)到2021年，半導(dǎo)體價(jià)值量在整機(jī)中的占比將上升到28.9%，提升空間廣闊。

以電動(dòng)汽車(chē)為例，據(jù)strategyanalytics2015數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)汽車(chē)的汽車(chē)電子成本大約在315美金，而插混汽車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)的汽車(chē)電子含量增加超過(guò)一倍，插混汽車(chē)大約703美金，純電動(dòng)汽車(chē)大約719美金。此外，汽車(chē)智能化還將進(jìn)一步提高汽車(chē)電子的用量，從而推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

2.2.2、創(chuàng)新應(yīng)用驅(qū)動(dòng)

根據(jù)SIA數(shù)據(jù)，2016全球半導(dǎo)體下游終端需求主要以通信類(lèi)（含智能手機(jī)）占比為31.5%，PC/平板占比為29.5%，消費(fèi)電子占比13.5%，汽車(chē)電子占比11.6%。

展望未來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)除了傳統(tǒng)3C及PC驅(qū)動(dòng)外，物聯(lián)網(wǎng)、5G、AI、汽車(chē)電子、區(qū)塊鏈及AR／VR等多項(xiàng)創(chuàng)新應(yīng)用將成為半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)效發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。

物聯(lián)網(wǎng)IOT：到2020年全球產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到2.93萬(wàn)億美元

移動(dòng)通訊商愛(ài)立信的數(shù)據(jù)顯示，2015-2021年期間，全球基于蜂窩物聯(lián)網(wǎng)和非蜂窩物聯(lián)網(wǎng)的物聯(lián)設(shè)備年復(fù)合增長(zhǎng)率將分別達(dá)到27%、22%，增速約為傳統(tǒng)移動(dòng)電話的7倍。

物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備增長(zhǎng)帶動(dòng)全球市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。據(jù)ICInsights等機(jī)構(gòu)研究，2016年全球具備聯(lián)網(wǎng)及感測(cè)功能的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模為700億美元，比上年增長(zhǎng)21%。預(yù)計(jì)2017年全球物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到798億美元，增速為14%。2018年全球市場(chǎng)增速將達(dá)30%，規(guī)模有望超千億美元。

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner數(shù)據(jù)顯示，2017年全球物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1.69萬(wàn)億美元，較2016年增長(zhǎng)22%。在新一輪技術(shù)革命和產(chǎn)業(yè)變革帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展將保持20%左右的增速，到2020年，全球物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到2.93萬(wàn)億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到20.3%。

4、大陸設(shè)計(jì)制造封測(cè)崛起，材料設(shè)備重點(diǎn)突破

4.1、產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐步完善，三業(yè)發(fā)展日趨均衡

經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，通過(guò)培育本土半導(dǎo)體企業(yè)和國(guó)外招商引進(jìn)國(guó)際跨國(guó)公司，國(guó)內(nèi)逐漸建成了覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及配套的設(shè)備和材料等各個(gè)環(huán)節(jié)的全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體生態(tài)。大陸涌現(xiàn)了一批優(yōu)質(zhì)的企業(yè)，包括華為海思、紫光展銳、兆易創(chuàng)新、匯頂科技等芯片設(shè)計(jì)公司，以中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、華力微電子為代表的晶圓制造企業(yè)，以及長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電、晶方科技等芯片封測(cè)企業(yè)。

根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2017年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)值將達(dá)到5176億元人民幣，年增率19.39%，預(yù)估2018年可望挑戰(zhàn)6200億元人民幣的新高紀(jì)錄，維持20%的年增長(zhǎng)速度，高于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率。

近年來(lái)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體一直保持兩位數(shù)增速，制造、設(shè)計(jì)與封測(cè)三業(yè)發(fā)展日趨均衡，但我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)依然不均衡，制造業(yè)比重過(guò)低。2017年前三季度，我國(guó)IC設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)的產(chǎn)業(yè)比重分別為37.7%、26%和35.5%，但世界集成電路產(chǎn)業(yè)設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)三業(yè)占比慣例為3∶4∶3。

我國(guó)2016年設(shè)計(jì)業(yè)占比首次超越封測(cè)環(huán)節(jié)，未來(lái)兩年在AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)，以及區(qū)塊鏈、指紋識(shí)別、CIS、AMOLED、人臉識(shí)別等新興應(yīng)用的帶動(dòng)下，預(yù)估設(shè)計(jì)業(yè)占比將在2018年持續(xù)增長(zhǎng)至38.8%，穩(wěn)居第一的位置。

制造產(chǎn)業(yè)加速建設(shè)，尤其以12寸晶圓廠進(jìn)展快速。2018年將有更多新廠進(jìn)入量產(chǎn)階段，整體產(chǎn)值將有望進(jìn)一步攀升，帶動(dòng)IC制造的占比在2018年快速提升至28.48%。

封測(cè)業(yè)基于產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)、先進(jìn)技術(shù)演進(jìn)驅(qū)動(dòng)，伴隨新建產(chǎn)線投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)、中國(guó)本土封測(cè)廠高階封裝技術(shù)愈加成熟、訂單量增長(zhǎng)等利多因素帶動(dòng)，我們預(yù)計(jì)2018年封測(cè)業(yè)產(chǎn)值增長(zhǎng)率將維持在兩位數(shù)水平，封測(cè)三巨頭增速將優(yōu)于全行業(yè)。

4.2、設(shè)計(jì)：自主發(fā)展，群雄并起

我國(guó)部分專(zhuān)用芯片快速追趕，正邁向全球第一陣營(yíng)。專(zhuān)用集成電路細(xì)分領(lǐng)域眾多，我國(guó)能夠趕上世界先進(jìn)水平的企業(yè)還是少數(shù)，這主要有兩類(lèi)。一是成本驅(qū)動(dòng)型的消費(fèi)類(lèi)電子，如機(jī)頂盒芯片、監(jiān)控器芯片等。二是通信設(shè)備芯片，例如，華為400G核心路由器自主芯片，2013年推出時(shí)領(lǐng)先于思科等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并被市場(chǎng)廣泛認(rèn)可。上述芯片設(shè)計(jì)能較好地兼顧性能、功耗、工藝制程、成本、新產(chǎn)品推出速度等因素，具備很強(qiáng)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。但是，在高端智能手機(jī)、汽車(chē)、工業(yè)以及其他嵌入式芯片市場(chǎng)，我國(guó)差距仍然很大。

高端通用芯片與國(guó)外先進(jìn)水平差距大是重大短板。在高端通用芯片設(shè)計(jì)方面，我國(guó)與發(fā)達(dá)國(guó)家差距巨大，對(duì)外依存度很高。我國(guó)集成電路每年超過(guò)2000億美元的進(jìn)口額中，處理器和存儲(chǔ)器兩類(lèi)高端通用芯片合計(jì)占70%以上。英特爾、三星等全球龍頭企業(yè)市場(chǎng)份額高，持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)進(jìn)步，對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈有很強(qiáng)的控制能力，后發(fā)追趕企業(yè)很難獲得產(chǎn)業(yè)鏈的上下游配合。雖然紫光展銳、華為海思等在移動(dòng)處理器方面已進(jìn)入全球前列。但是，在個(gè)人電腦處理器方面，英特爾壟斷了全球市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)有3~5家，但都沒(méi)有實(shí)現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)，大多依靠申請(qǐng)科研項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)和政府補(bǔ)貼維持運(yùn)轉(zhuǎn)。龍芯近年來(lái)技術(shù)進(jìn)步較快，在軍品領(lǐng)域有所突破，但距離民用仍然任重道遠(yuǎn)。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)項(xiàng)目剛剛起步，而對(duì)于FPGA、AD/DA等高端通用芯片，國(guó)內(nèi)基本上是空白。

收購(gòu)受限，自主發(fā)展。隨著萊迪思（以FPGA產(chǎn)品為主營(yíng)業(yè)務(wù)）收購(gòu)案被否決，標(biāo)志著通過(guò)收購(gòu)海外公司來(lái)加速產(chǎn)業(yè)發(fā)展的思路已經(jīng)不太現(xiàn)實(shí)，越是關(guān)鍵領(lǐng)域，美國(guó)等國(guó)家對(duì)于中國(guó)的限制就會(huì)嚴(yán)格，只有自主發(fā)展，才是破除限制的根本方法。

海思展訊進(jìn)入全球前十。根據(jù)ICInsights2017年全球前十大Fabless排名，國(guó)內(nèi)有兩家廠商殺進(jìn)前十名，分別是海思和紫光集團(tuán)(展訊+RDA)，這兩者分別以47.15億美元和20.50億美元的收入分居第七位和第10位，其中海思的同比增長(zhǎng)更是達(dá)到驚人的21%，僅僅次于英偉達(dá)和AMD，在Fabless增長(zhǎng)中位居全球第三。

大陸設(shè)計(jì)業(yè)群雄逐鹿。根據(jù)《砥礪前行的中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)》數(shù)據(jù)顯示，2017年國(guó)內(nèi)共有約1380家芯片設(shè)計(jì)公司，較去年的1362家多了18家，總體變化率不大。而2016年，則是中國(guó)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)突飛猛進(jìn)的一年，相關(guān)設(shè)計(jì)公司數(shù)量較2015年大增600多家。

根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2017年中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值預(yù)估達(dá)人民幣2006億元，年增率為22%，預(yù)估2018年產(chǎn)值有望突破人民幣2400億元，維持約20%的年增速。

2017年中國(guó)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)廠商技術(shù)發(fā)展僅限于低端產(chǎn)品的狀況已逐步改善，海思的高端手機(jī)應(yīng)用處理芯片率先采用了10nm先進(jìn)制程，海思、中興微的NB-IoT、寒武紀(jì)、地平線的AI布局在國(guó)際嶄露頭角，展銳、大唐、海思的5G部署也順利進(jìn)行。

根據(jù)集邦咨詢預(yù)估的2017年IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值與廠商營(yíng)收排名數(shù)據(jù)，今年前十大IC設(shè)計(jì)廠商排名略有調(diào)整，大唐半導(dǎo)體設(shè)計(jì)將無(wú)緣前十，兆易創(chuàng)新和韋爾半導(dǎo)體憑借優(yōu)異的營(yíng)收表現(xiàn)進(jìn)入排行前十名。

海思：受惠于華為手機(jī)出貨量的強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)和麒麟芯片搭載率的提升，2017年?duì)I收年增率維持在25%以上。

展銳：受制于中低端手機(jī)市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，2017年業(yè)績(jī)出現(xiàn)回調(diào)狀況。

中興微電子：以通訊IC設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，受到產(chǎn)品覆蓋領(lǐng)域廣泛的帶動(dòng)，預(yù)估營(yíng)收成長(zhǎng)率超過(guò)30%。

華大半導(dǎo)體：業(yè)務(wù)涉及到智能卡及安全芯片、模擬電路、新型顯示等領(lǐng)域，2017年?duì)I收也將超過(guò)人民幣50億元。

匯頂科技：在智能手機(jī)指紋識(shí)別芯片搭載率的持續(xù)提升和產(chǎn)品優(yōu)異性能的帶動(dòng)下，在指紋市場(chǎng)業(yè)績(jī)直逼市場(chǎng)龍頭FPC，預(yù)計(jì)今年?duì)I收增長(zhǎng)也將超過(guò)25%。

兆易創(chuàng)新：首次進(jìn)入營(yíng)收前十名，憑借其在NORFlash和32bitMCU上的出色市場(chǎng)表現(xiàn)，2017年?duì)I收成長(zhǎng)率有望突破40%，超過(guò)人民幣20億元。

而在芯謀研究發(fā)布的2017年中國(guó)十大集成電路設(shè)計(jì)公司榜單上，比特大陸以143億元的年銷(xiāo)售額躍升第二，成為中國(guó)芯片設(shè)計(jì)業(yè)的年度黑馬。比特大陸是全球最大的比特幣礦機(jī)生產(chǎn)商，旗下的螞蟻礦機(jī)系列2017年銷(xiāo)量在數(shù)十萬(wàn)臺(tái)，市場(chǎng)占有率超過(guò)80%。

2018年，中國(guó)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)在提升自給率、政策支持、規(guī)格升級(jí)與創(chuàng)新應(yīng)用三大要素的驅(qū)動(dòng)下，將保持高速成長(zhǎng)的趨勢(shì)，其中，中低端產(chǎn)品市場(chǎng)占有率持續(xù)提升，國(guó)產(chǎn)化的趨勢(shì)將越加明顯。另一方面，資金與政策支持將持續(xù)擴(kuò)大。大基金第二期正在募集中，且會(huì)加大對(duì)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的投資占比，同時(shí)選擇一些創(chuàng)新的應(yīng)用終端企業(yè)進(jìn)行投資。此外，科技的發(fā)展也引領(lǐng)終端產(chǎn)品規(guī)格升級(jí)，物聯(lián)網(wǎng)、AI、汽車(chē)電子、專(zhuān)用ASIC等創(chuàng)新應(yīng)用對(duì)IC產(chǎn)品的需求不斷擴(kuò)大，也將為2018年IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)成長(zhǎng)新動(dòng)力。

4.3、制造：產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，3代工+3存儲(chǔ)

晶圓制造產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移。在半導(dǎo)體向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)下，國(guó)際大廠紛紛到大陸地區(qū)設(shè)廠或者增大國(guó)內(nèi)建廠的規(guī)模。據(jù)ICInsight數(shù)據(jù)，2016年底，大陸地區(qū)晶圓廠12寸產(chǎn)能210K（包括存儲(chǔ)產(chǎn)能），8寸產(chǎn)能611K。本土的中芯國(guó)際、華力微以及武漢新芯的12寸產(chǎn)能合計(jì)為160K。

大陸12寸晶圓廠產(chǎn)能爆發(fā)。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2017年至2020年間，全球投產(chǎn)的晶圓廠約62座，其中26座位于中國(guó)，占全球總數(shù)的42％。根據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，自2016年至2017年底，中國(guó)新建及規(guī)劃中的8寸和12寸晶圓廠共計(jì)約28座，其中12寸有20座、8寸則為8座，多數(shù)投產(chǎn)時(shí)間將落在2018年。預(yù)估至2018年底中國(guó)12寸晶圓制造月產(chǎn)能將接近70萬(wàn)片，較2017年底成長(zhǎng)42.2%；同時(shí)，2018年產(chǎn)值將達(dá)人民幣1,767億元，年成長(zhǎng)率為27.12%。

晶圓代工三強(qiáng)：中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、華力微

在晶圓代工市場(chǎng)，大陸廠商面臨著挑戰(zhàn)與機(jī)遇。一方面，大陸設(shè)計(jì)公司在快速成長(zhǎng)，本土設(shè)計(jì)公司天然有支持本土制造廠商的傾向；另一方面，制造業(yè)發(fā)展所需資金、人力與知識(shí)積累的門(mén)檻越來(lái)越高，在這些方面中國(guó)廠商與世界領(lǐng)先廠商的差距有拉大的趨勢(shì)。如何在現(xiàn)有基礎(chǔ)上穩(wěn)扎穩(wěn)打，逐步縮小與世界先進(jìn)水平的差距，相當(dāng)考驗(yàn)以中芯國(guó)際、華宏宏力、華力微為代表的大陸代工廠的經(jīng)營(yíng)能力。

全球晶圓代工穩(wěn)步增長(zhǎng)，行業(yè)集中高。ICInsight預(yù)計(jì)2016-2021年的純晶圓代工廠將年均以7.6%的復(fù)合增速增長(zhǎng)，從2016年的500億美元增長(zhǎng)到2021年的721億美元。純晶圓代工行業(yè)集中度很高，前四大純晶圓代工廠合計(jì)占據(jù)全球份額的85%，其中臺(tái)積電一家更是雄踞近60%的市場(chǎng)份額?；诰A代工行業(yè)高技術(shù)高投入的門(mén)檻，我們判斷晶圓代工行業(yè)格局短期不會(huì)有太大變化，但國(guó)內(nèi)中芯國(guó)際可能會(huì)是增速最快的一家。

國(guó)內(nèi)代工三強(qiáng)與國(guó)際巨頭相比，追趕仍需較長(zhǎng)時(shí)間。從大陸市場(chǎng)來(lái)看，由于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的崛起，尤其是設(shè)計(jì)公司的快速發(fā)展，純晶圓廠在國(guó)內(nèi)的銷(xiāo)售額的增長(zhǎng)迅猛。根據(jù)ICinsight預(yù)測(cè)，2017年大陸地區(qū)晶圓代工市場(chǎng)達(dá)到70億美金，同比增長(zhǎng)16%，顯著高于全球平均增速。臺(tái)積電依然是一家獨(dú)大，占比高達(dá)47%。

國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程落后相差兩代以上。半導(dǎo)體晶圓制造集中度提升，只有巨頭才能不斷地研發(fā)推動(dòng)技術(shù)的向前發(fā)展。世界集成電路產(chǎn)業(yè)28-14nm工藝節(jié)點(diǎn)成熟，14/10nm制程已進(jìn)入批量生產(chǎn)，Intel、三星和臺(tái)積電均宣布已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了10nm芯片量產(chǎn)，并且準(zhǔn)備繼續(xù)投資建設(shè)7nm和5nm生產(chǎn)線。而國(guó)內(nèi)28nm工藝僅在2015年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，且仍以28nm以上為主。

本土晶圓廠最先進(jìn)量產(chǎn)制程目前仍處于28nmPoly/SiON階段，雖然在28nm營(yíng)收占比、28nmHKMG量產(chǎn)推進(jìn)及方面皆取得不錯(cuò)的成績(jī)。中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)純晶圓制造廠龍頭，在傳統(tǒng)制程（≥40nm）已具備相當(dāng)?shù)谋容^優(yōu)勢(shì)，同時(shí)積極擴(kuò)展28nm領(lǐng)域，但面臨最大的障礙是28nm良率不足的問(wèn)題，一旦未來(lái)6-12個(gè)月內(nèi)取得突破，將為公司打開(kāi)更廣闊空間，相應(yīng)的擴(kuò)產(chǎn)力度和節(jié)奏都將大大提高。梁孟松入職中芯擔(dān)任聯(lián)合CEO，極大地提高了關(guān)鍵制程確定性。梁孟松早年是臺(tái)積電和三星的技術(shù)核心人物，臺(tái)積電的130nm、三星的45/32/28nm每一節(jié)點(diǎn)都有梁的突出貢獻(xiàn)。我們認(rèn)為在梁主導(dǎo)研發(fā)之后，將有效整合中芯現(xiàn)有資源，加快突破28nm的進(jìn)程以及進(jìn)軍14nm研發(fā)。但另一方面，臺(tái)積電（南京）、聯(lián)芯（廈門(mén)）、格芯（成都）等外資廠商的同步登陸布局也將進(jìn)一步加劇與本土廠商在先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)。

存儲(chǔ)器三強(qiáng)：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華

存儲(chǔ)器分類(lèi)、市場(chǎng)空間、競(jìng)爭(zhēng)格局等相關(guān)內(nèi)容已在本文2.1節(jié)介紹（單擊此處跳轉(zhuǎn)查看）。2017年風(fēng)光無(wú)限的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上，中國(guó)是買(mǎi)單的一方，無(wú)論是DRAM還是NAND閃存，現(xiàn)在的自給率仍然是零。目前大陸用于專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)存儲(chǔ)器的12英寸晶圓廠都主要為外資企業(yè)，包括SK海力士（無(wú)錫）、三星（西安）和英特爾（大連）。本土存儲(chǔ)項(xiàng)目剛剛起步，產(chǎn)線尚在建設(shè)當(dāng)中，主要包括武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華集成、合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。