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第二代CoolSiC MOSFET 1200V

Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展

CoolSiC 1200V MOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于電動(dòng)汽車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態(tài)斷路器（SSCB）、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、人工智能（AI）及網(wǎng)聯(lián)自動(dòng)駕駛汽車（CAV）等領(lǐng)域。

Q-DPAK封裝通過(guò)簡(jiǎn)化組裝流程并保持卓越的散熱性能，幫助客戶降低系統(tǒng)成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局，從而降低寄生元件和雜散電感的影響，同時(shí)提供增強(qiáng)的熱管理性能。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMCQ120R007M2H

■IMCQ120R010M2H

■IMCQ120R017M2H

產(chǎn)品特點(diǎn)

SMD頂部散熱封裝

低雜散電感設(shè)計(jì)

采用CoolSiC MOSFET 1200V第二代技術(shù)，具備增強(qiáng)的開關(guān)性能和FOM系數(shù)

.XT擴(kuò)散焊

模塑化合物（CTI＞600）及模塑槽（CD＞4.8mm）

優(yōu)異的耐濕性能

具備雪崩魯棒性、短路耐受能力及功率循環(huán)可靠性

應(yīng)用價(jià)值

更高功率密度

支持自動(dòng)化組裝

簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度

卓越的熱性能表現(xiàn)

降低系統(tǒng)功率損耗

支持950V RMS工作電壓

高可靠性設(shè)計(jì)

降低總體成本

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

更高的功率密度

相比BSC封裝顯著提升熱性能

簡(jiǎn)化電氣設(shè)計(jì)流程

應(yīng)用領(lǐng)域

光伏

電動(dòng)汽車充電

不間斷電源UPS

固態(tài)斷路器

AI

工業(yè)驅(qū)動(dòng)

CAV