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新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴展

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-08-11 17:04 ? 次閱讀
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新品

第二代CoolSiC MOSFET 1200V

Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴展

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CoolSiC 1200V MOSFET(頂部散熱Q-DPAK單管封裝)專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計,適用于電動汽車充電、光伏、不間斷電源(UPS)、固態(tài)斷路器(SSCB)、工業(yè)驅(qū)動、人工智能AI)及網(wǎng)聯(lián)自動駕駛汽車(CAV)等領(lǐng)域。


Q-DPAK封裝通過簡化組裝流程并保持卓越的散熱性能,幫助客戶降低系統(tǒng)成本。與底部散熱方案相比,頂部散熱器件可實現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局,從而降低寄生元件和雜散電感的影響,同時提供增強的熱管理性能。


產(chǎn)品型號:

IMCQ120R007M2H

IMCQ120R010M2H

IMCQ120R017M2H


產(chǎn)品特點


SMD頂部散熱封裝

低雜散電感設(shè)計

采用CoolSiC MOSFET 1200V第二代技術(shù),具備增強的開關(guān)性能和FOM系數(shù)

.XT擴散焊

模塑化合物(CTI>600)及模塑槽(CD>4.8mm)

優(yōu)異的耐濕性能

具備雪崩魯棒性、短路耐受能力及功率循環(huán)可靠性


應(yīng)用價值


更高功率密度

支持自動化組裝

簡化設(shè)計復(fù)雜度

卓越的熱性能表現(xiàn)

降低系統(tǒng)功率損耗

支持950V RMS工作電壓

高可靠性設(shè)計

降低總體成本


競爭優(yōu)勢


更高的功率密度

相比BSC封裝顯著提升熱性能

簡化電氣設(shè)計流程


應(yīng)用領(lǐng)域


光伏

電動汽車充電

不間斷電源UPS

固態(tài)斷路器

AI

工業(yè)驅(qū)動

CAV

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