電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前，多家服務(wù)器廠商表示因AI服務(wù)器需求高漲拉高業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。隨著AI服務(wù)器需求旺盛，以及英偉達(dá)GPU的更新?lián)Q代，勢(shì)必帶動(dòng)HBM供應(yīng)商的積極產(chǎn)品推進(jìn)。三星方面HBM3E/HBM4有了新進(jìn)展，SK海力士的HBM4性能更強(qiáng)。同時(shí)，DDR4的陸續(xù)減產(chǎn)，更多資源投向了DDR5和HBM。

AI服務(wù)器帶動(dòng)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)

戴爾科技發(fā)布2026財(cái)年第一財(cái)季（截至2025年5月2日）業(yè)績(jī)報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示，第一財(cái)季戴爾營(yíng)收達(dá)233.8億美元，同比增長(zhǎng)5%，non-GAAP下，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為17億美元，同比增長(zhǎng)10%。得益于收入增長(zhǎng)和運(yùn)營(yíng)支出下降，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)13%至11億美元。

戴爾第一財(cái)季服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)收入達(dá)63億美元，創(chuàng)歷史新高，且市場(chǎng)對(duì)AI優(yōu)化服務(wù)器的需求空前高漲。戴爾首席運(yùn)營(yíng)官杰夫·克拉克表示：“僅本季度，我們就獲得了121億美元的AI訂單，超過(guò)了2025財(cái)年全年的出貨量，目前我們還有144億美元的訂單積壓?！?br />
戴爾預(yù)估，第二財(cái)季AI服務(wù)器將出貨約70億美元。相比之下，戴爾過(guò)去每季AI服務(wù)器出貨約為31億美元。今年2月，戴爾預(yù)估全財(cái)年AI服務(wù)器營(yíng)收預(yù)計(jì)約150億美元，與去年度的98億美元相比，大幅成長(zhǎng)超50%。

富士康是英偉達(dá)AI服務(wù)器制造商，得益于AI服務(wù)器銷售強(qiáng)勁，第一季度營(yíng)收同比增長(zhǎng)24.2%，創(chuàng)同期歷史新高。預(yù)計(jì)第二季度將實(shí)現(xiàn)顯著同比增長(zhǎng)，其中AI服務(wù)器業(yè)務(wù)將呈現(xiàn)兩位數(shù)高增長(zhǎng)，量產(chǎn)爬坡速度加快。其1-3月凈利潤(rùn)達(dá)421.2億新臺(tái)幣（13.9億美元），高于分析師平均預(yù)估的378億新臺(tái)幣。

英偉達(dá)近期表示，今年下半年將轉(zhuǎn)向Blackwell Ultra芯片，Blackwell Ultra GPU配備12層HBM3e顯存，實(shí)現(xiàn)8TB/s內(nèi)存帶寬。2026年下半年將出貨Vera Rubin。Vera CPU的內(nèi)存是Grace的4.2倍，內(nèi)存帶寬是Grace的2.4倍。Rubin GPU由兩個(gè)GPU組成一個(gè)單芯片，將配備288GB的HBM4。Vera Rubin之后名為Vera Rubin Ultra的芯片，將Vera CPU和Rubin Ultra芯片（Rubin Ultra由四個(gè)GPU組成）結(jié)合，將于2027年下半年上市。

三星、SK海力士積極備戰(zhàn)HBM

外媒消息稱，目前三星12層HBM3E產(chǎn)品已基本通過(guò)英偉達(dá)的DRAM單芯片認(rèn)證，現(xiàn)階段正在進(jìn)行成品認(rèn)證程序。三星原本預(yù)計(jì)6~7月完成認(rèn)證，但消息稱三星設(shè)定的最新目標(biāo)是在今年7~8月通過(guò)英偉達(dá)的12層HBM3E品質(zhì)驗(yàn)證測(cè)試。在一季度財(cái)報(bào)會(huì)議上，三星電子曾表示，下半年將擴(kuò)大增強(qiáng)型12層堆疊HBM3E產(chǎn)品的銷售。

韓國(guó)業(yè)界人士指出，若三星2025年無(wú)法供應(yīng)12層HBM3E給英偉達(dá)，其2026年的HBM策略將勢(shì)必要大幅修正，甚至可能放棄該HBM3E產(chǎn)品，轉(zhuǎn)而專注第六代HBM（HBM4）。

SK海力士全球首款16層堆疊的HBM3E產(chǎn)品，帶寬達(dá)到1.2TB/s。預(yù)計(jì)將應(yīng)用于NVIDIA最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群產(chǎn)品。
HBM4進(jìn)展方面，此前SK海力士向公眾展示了其最新一代HBM4高帶寬內(nèi)存技術(shù)。根據(jù)官方介紹，SK海力士HBM4單顆容量最高可達(dá)48GB，帶寬高達(dá)2.0TB/s，I/O速度達(dá)到8.0Gbps。公司計(jì)劃在2025年下半年實(shí)現(xiàn)HBM4的大規(guī)模量產(chǎn)。

而三星已與多家客戶合作，開(kāi)發(fā)基于HBM4和增強(qiáng)型HBM4E的定制版本，計(jì)劃于今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)將于2026年開(kāi)始商業(yè)供應(yīng)。

當(dāng)前，SK海力士和美光采用1b DRAM制造HBM4，而據(jù)韓媒報(bào)道，三星直指更先進(jìn)的1c DRAM。三星計(jì)劃在韓國(guó)華城和平澤擴(kuò)大1c DRAM（第六代10nm級(jí)）生產(chǎn)，相關(guān)投資將在年底前啟動(dòng)。三星還考慮在今年底前將華城17號(hào)生產(chǎn)線從1z DRAM轉(zhuǎn)為1c DRAM生產(chǎn)，以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。

三星今年早些時(shí)候已在平澤第四園區(qū)（P4）啟動(dòng)首條1c DRAM生產(chǎn)線，目標(biāo)月產(chǎn)能為3萬(wàn)片晶圓。若后續(xù)擴(kuò)建順利，月產(chǎn)能有望提升至4萬(wàn)片。

DDR4減產(chǎn)，轉(zhuǎn)向DDR5/HBM

三星、美光、SK海力士從去年開(kāi)始縮減DDR4產(chǎn)能。三星從2025年4月起停止生產(chǎn)1y和1z納米工藝的8GB DDR4產(chǎn)品，最后訂單截止日期為6月。SK海力士在2024年第3季DDR4生產(chǎn)比重已由第2季40%降至30%，第4季計(jì)劃進(jìn)一步降低至20%。而美光也通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊。

隨著DDR4的減產(chǎn)，產(chǎn)能將轉(zhuǎn)到DDR5、LPDDR5、HBM等產(chǎn)品上。美光在最新財(cái)報(bào)中表示，公司專注于在現(xiàn)有制造設(shè)備中增加HBM產(chǎn)能，以滿足2026年的市場(chǎng)需求。今年4月，美光進(jìn)行了業(yè)務(wù)部門重組，新成立了向超大規(guī)模云客戶提供內(nèi)存解決方案、為數(shù)據(jù)客戶中心客戶提供HBM的云內(nèi)存業(yè)務(wù)部。美光稱，此次重組的背景是高性能內(nèi)存和存儲(chǔ)在推動(dòng)AI發(fā)展方面越來(lái)越重要。

HBM的熱度也反映在設(shè)備投資上面。據(jù)SEMI最新報(bào)告，隨著半導(dǎo)體前端及后端制程投資擴(kuò)大，帶動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)增長(zhǎng)，2024年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備投資額達(dá)1171億美元，比上年增長(zhǎng)10%。半導(dǎo)體前端設(shè)備領(lǐng)域，晶圓加工和其他設(shè)備投資同比增長(zhǎng)分別9%和5%，后端封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備投資也分別增長(zhǎng)25%和20%。后端主要是由于對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的需求增加，導(dǎo)致對(duì)基本工藝設(shè)施的投資增加。

集邦咨詢TrendForce預(yù)測(cè)，受強(qiáng)勁需求推動(dòng)，2026年HBM總出貨量將突破300億吉比特，HBM4將在2026年下半年超越HBM3e，成為市場(chǎng)主流解決方案。