近日，據(jù)報(bào)道，全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項(xiàng)目的最新研發(fā)進(jìn)展。

據(jù)悉，美光科技的下一代HBM4內(nèi)存將采用2048位接口，這一技術(shù)革新將大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲(chǔ)效率。美光計(jì)劃于2026年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的高性能計(jì)算需求。

除了HBM4，美光還透露了HBM4E的研發(fā)計(jì)劃。HBM4E作為HBM4的升級(jí)版，不僅將提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，還將具備根據(jù)需求定制基礎(chǔ)芯片的能力。這一創(chuàng)新將為用戶(hù)帶來(lái)更加靈活和高效的存儲(chǔ)解決方案，有望推動(dòng)整個(gè)內(nèi)存行業(yè)的發(fā)展。

美光科技的HBM4和HBM4E項(xiàng)目是其持續(xù)致力于內(nèi)存技術(shù)創(chuàng)新的體現(xiàn)。隨著數(shù)據(jù)中心的規(guī)模不斷擴(kuò)大和人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，高性能內(nèi)存的需求日益增長(zhǎng)。美光通過(guò)不斷研發(fā)新技術(shù)，為全球用戶(hù)提供更加高效、可靠的存儲(chǔ)解決方案，助力科技進(jìn)步和社會(huì)發(fā)展。

未來(lái)，美光科技將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推動(dòng)HBM4和HBM4E等先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廣泛應(yīng)用，為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的蓬勃發(fā)展貢獻(xiàn)力量。