科銳與安世半導體簽署 GaN 功率器件專利授權協(xié)議
近日，科銳（NASDAQ:CREE）宣布與荷蘭Nexperia公司簽署非排他性、全球性的付費專利許可協(xié)議。通過這一協(xié)議，Nexperia將有權使用科銳GaN氮化鎵功率器件專利組合，包括了超過300項已授權美國和國外專利，涵蓋了HEMT（高電子遷移率場效晶體管）和GaN氮化鎵肖特基二極管的諸多創(chuàng)新。這一專利組合針對新型器件結構、材料和工藝提升，以及封裝技術。這一專利授權不包括技術轉(zhuǎn)讓。
科銳聯(lián)合創(chuàng)始人兼Wolfspeed首席技術官JohnPalmour表示：“科銳創(chuàng)立以來，對包括GaN氮化鎵和SiC碳化硅在內(nèi)的新型化合物半導體材料進行了深入研究，并利用它們的獨特性能開發(fā)出新型器件?；诳其J數(shù)十年創(chuàng)新成果的器件，幫助實現(xiàn)新型電源管理和無線系統(tǒng)的市場導入。為了加速這類新市場的增長，科銳正在對用于GaN氮化鎵電源管理系統(tǒng)的GaN氮化鎵功率器件專利開展授權。”
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原文標題：科銳與Nexperia簽署GaN功率器件專利授權協(xié)議
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