在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向3nm、2nm制程突進(jìn)的今天，一枚12英寸硅片上密布著數(shù)十億個(gè)晶體管，其加工精度堪比「在頭發(fā)絲上雕刻長(zhǎng)城」。

而在這場(chǎng)微觀世界的戰(zhàn)爭(zhēng)中，視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)正扮演著「隱形質(zhì)檢員」的角色——它用0.01毫米級(jí)的「火眼金睛」，守護(hù)著硅片上每一道刻線(xiàn)、每一個(gè)標(biāo)記點(diǎn)的精準(zhǔn)度。

場(chǎng)景需求

測(cè)量Mark點(diǎn)與邊線(xiàn)的距離；

測(cè)量單條刻線(xiàn)寬度；

測(cè)量刻線(xiàn)間距離；

測(cè)量四個(gè)Mark點(diǎn)間相互距離；

測(cè)量最外側(cè)四刻線(xiàn)間相互距離；

精度要求<0.01mm

硅片作為芯片制造的基石，其表面刻蝕的Mark點(diǎn)、微米級(jí)刻線(xiàn)精度直接影響光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)、晶圓切割等核心工藝。傳統(tǒng)檢測(cè)手段面臨三大困境：

1、精度瓶頸：人工千分尺測(cè)量誤差達(dá)0.05mm，無(wú)法滿(mǎn)足先進(jìn)封裝需求；

2、效率桎梏：接觸式測(cè)量易損傷硅片表面，且單片檢測(cè)耗時(shí)超5分鐘；

3、數(shù)據(jù)盲區(qū)：無(wú)法實(shí)時(shí)捕捉刻線(xiàn)形貌變化，潛在缺陷難以溯源。

某半導(dǎo)體設(shè)備商數(shù)據(jù)顯示，因檢測(cè)誤差導(dǎo)致的晶圓良率損失每年高達(dá)數(shù)千萬(wàn)美元。工業(yè)視覺(jué)檢測(cè)技術(shù)的突破，成為破局關(guān)鍵。

解決方案

視覺(jué)方案：從光學(xué)設(shè)計(jì)到算法突破的精密協(xié)作

配置清單

2000W工業(yè)相機(jī)：5496×3672的高分辨率，配合2.4μm像元尺寸，滿(mǎn)足0.01mm精度需求。

遠(yuǎn)心鏡頭WTL200-023X20：遠(yuǎn)心設(shè)計(jì)（畸變<0.1%）、高景深（±5μm）、0.23X放大倍率，確保視野內(nèi)測(cè)量一致性，避免傳統(tǒng)鏡頭因視角偏差導(dǎo)致的測(cè)量誤差。

同軸光源+偏振片：同軸光源均勻照射硅片表面，偏振片過(guò)濾反射光斑，解決硅片高反光導(dǎo)致的成像過(guò)曝問(wèn)題，提升邊緣檢測(cè)穩(wěn)定性。

效果對(duì)比：傳統(tǒng)環(huán)形光源易產(chǎn)生光斑，導(dǎo)致刻線(xiàn)邊緣模糊，測(cè)量誤差增加。

成像效果

整體檢測(cè)效果

上邊線(xiàn)與Mark中心距離

Mark點(diǎn)提取效果

在某12英寸硅片生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)測(cè)中，該系統(tǒng)交出亮眼成績(jī)單：

精度驗(yàn)證：30次連續(xù)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)差<0.01mm，Mark點(diǎn)定位誤差僅0.6μm；?

節(jié)拍優(yōu)化：通過(guò)裁剪圖像大小來(lái)縮短檢測(cè)時(shí)間壓縮至180ms，較傳統(tǒng)方案提升6倍；

良率提升：缺陷檢出率達(dá)99.98%，助力產(chǎn)線(xiàn)良率提升0.15%。

這套方案配置的優(yōu)勢(shì)，不僅體現(xiàn)在0.01mm的極致精度上，更在于其通過(guò)硬件、光學(xué)、算法、軟件的深度協(xié)同，構(gòu)建了一個(gè)從「檢測(cè)」到「智能決策」的完整閉環(huán)。