TPS51367 是一款集成 FET 的高壓輸入同步轉(zhuǎn)換器，基于 DCAP-2 控制拓?fù)洌蓪?shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng) 并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸出電容器。TI 專有的 FET 技術(shù)相結(jié)合 采用 TI 領(lǐng)先的封裝技術(shù)，為單輸出提供最高密度的解決方案 電源軌，例如用于 DDR 筆記本內(nèi)存的 VCCIO 和 VDDQ，或任何寬負(fù)載點(diǎn) （POL） 應(yīng)用。

TPS51367 的主要特點(diǎn)是其 ULQ? 模式，可實(shí)現(xiàn)低偏置電流 （100 μA in 低功耗模式，由 LP# 啟用）。此功能對于較長的電池壽命非常有益 系統(tǒng)待機(jī)模式。
*附件：tps51367.pdf

該功能集包括 800 kHz 的開關(guān)頻率?？?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/tag/1315/" target="_blank">編程軟啟動時間 使用外部電容器。自動跳過、預(yù)偏置啟動、集成自舉開關(guān)、電源正常、 使能和一整套故障保護(hù)方案，包括 OCL、UVP、OVP、5V UVLO 和熱保護(hù) 關(guān)閉。

它采用 3.5 mm × 4.5 mm、0.4 mm 間距、28 引腳 QFN （RVE） 封裝，額定值為 –10°C 至 85°C。

特性

• 輸入電壓范圍：3 V 至 22 V
• 輸出電壓范圍：0.6 V 至 2 V
• 12A 集成 FET 轉(zhuǎn)換器
• 最少的外部元件
• ULQ-100? 工作模式可在系統(tǒng)待機(jī)期間實(shí)現(xiàn)
  較長的電池壽命
• 軟啟動時間可由外部
  電容器編程
• 開關(guān)頻率：400 kHz 和 800 kHz
• D-CAP2? 架構(gòu)支持 POSCAP
  和所有 MLCC 輸出電容器的使用
• 集成和溫度補(bǔ)償?shù)牡蛡?cè)
  導(dǎo)通電阻感應(yīng)，用于精確的 OCL 保護(hù)
• Powergood 輸出
  OCL、OVP、UVP 和 UVLO 保護(hù)
• 熱關(guān)斷（非鎖存）
• 輸出放電功能
• 集成升壓 MOSFET 開關(guān)
• 28 引腳、3.5mm × 4.5mm、RVE、QFN 封裝
  ，間距為 0.4mm，高度為 1mm
  參數(shù)
  
  方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS51367是一款高電壓輸入、集成FET的同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，具有超低靜態(tài)電流（ULQ?）模式，適用于需要長待機(jī)時間的系統(tǒng)。該轉(zhuǎn)換器基于DCAP-2?控制拓?fù)洌С挚焖偎矐B(tài)響應(yīng)，并兼容POSCAP和所有MLCC輸出電容器。

2. 主要特性

• ?輸入電壓范圍?：3V至22V
• ?輸出電壓范圍?：0.6V至2V
• ?集成12A FET?：減少外部組件數(shù)量
• ?超低靜態(tài)電流模式?：100μA（由LP#引腳啟用），延長電池壽命
• ?開關(guān)頻率?：400kHz和800kHz可選
• ?DCAP-2?架構(gòu)?：無需補(bǔ)償即可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定環(huán)路操作
• ?全面的故障保護(hù)?：包括過流保護(hù)（OCL）、過壓保護(hù)（OVP）、欠壓保護(hù)（UVP）和熱關(guān)機(jī)
• ?小型封裝?：28引腳、3.5mm x 4.5mm QFN封裝

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 筆記本電腦（VCCIO）
• 內(nèi)存電源軌（DDR VDDQ）
• 任何點(diǎn)負(fù)載（POL）應(yīng)用

4. 功能描述

• ?自適應(yīng)導(dǎo)通時間控制?：通過DCAP-2?實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
• ?軟啟動時間可編程?：通過外部電容器設(shè)置
• ?電源良好輸出?（PGOOD）：指示輸出電壓達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)
• ?集成升壓MOSFET開關(guān)?：用于內(nèi)部偏置電壓生成
• ?自動跳脈沖功能?：在輕載條件下提高效率

5. 電氣特性

• ?工作溫度范圍?：-10°C至85°C
• ?靜態(tài)電流?：100μA（在ULQ?模式下）
• ?參考電壓?：2V（VREF引腳）
• ?過流限制?：可編程，最高可達(dá)18A
• ?熱關(guān)機(jī)溫度?：140°C

6. 典型應(yīng)用電路

• 提供了多個典型應(yīng)用電路，包括VCCIO、DDR3L VDDQ和DDR3 VDDQ應(yīng)用。
• 詳細(xì)說明了外部組件的選型和設(shè)計(jì)步驟，包括電感器、輸入/輸出電容器和軟啟動電容器的選擇。

7. 布局指南

• 強(qiáng)調(diào)了PCB布局對轉(zhuǎn)換器性能的重要性。
• 提供了布局示例和關(guān)鍵布局準(zhǔn)則，以確保最佳性能和可靠性。

8. 文檔與支持

• 提供了詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用指南和參考設(shè)計(jì)。
• TI的WEBENCH?工具支持快速設(shè)計(jì)和優(yōu)化。

9. 封裝與訂購信息

• 提供了關(guān)于封裝類型、引腳配置、訂購代碼和包裝信息的詳細(xì)表格。
• 強(qiáng)調(diào)了不同封裝選項(xiàng)的RoHS狀態(tài)和峰值回流溫度。