chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

硅片的 TTV,Bow, Warp,TIR 等參數(shù)定義

jf_14507239 ? 來(lái)源:jf_14507239 ? 作者:jf_14507239 ? 2025-07-01 09:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,硅片作為核心基礎(chǔ)材料,其質(zhì)量參數(shù)對(duì)芯片性能和生產(chǎn)良率有著重要影響。TTV、Bow、Warp、TIR 等參數(shù)是衡量硅片質(zhì)量與特性的關(guān)鍵指標(biāo)。本文將對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)定義與闡述,明確其在硅片制造和應(yīng)用中的重要意義。

TTV(Total Thickness Variation,總厚度變化)

定義

TTV 指的是在硅片同一表面上,硅片最大厚度與最小厚度的差值,用于表征硅片厚度的均勻性。其計(jì)算公式為:TTV = T_{max} - T_{min},其中T_{max}為硅片表面的最大厚度值,T_{min}為硅片表面的最小厚度值 。在先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝中,對(duì)硅片 TTV 的要求極為嚴(yán)格,通常需控制在幾微米甚至更小的范圍內(nèi),以確保后續(xù)光刻、刻蝕等工藝的精確性。

測(cè)量意義與方法

TTV 值過(guò)大,會(huì)導(dǎo)致光刻膠涂覆不均勻、光刻圖形轉(zhuǎn)移精度下降,影響芯片的電學(xué)性能和成品率。目前,常用激光掃描技術(shù)測(cè)量硅片 TTV,通過(guò)激光傳感器在硅片表面進(jìn)行多點(diǎn)掃描,獲取不同位置的厚度數(shù)據(jù),進(jìn)而計(jì)算出 TTV 值 。

Bow(彎曲度)

定義

Bow 是指硅片受外力或內(nèi)部應(yīng)力作用,導(dǎo)致硅片中心面偏離理想平面,硅片中心到邊緣參考平面的最大距離。它反映了硅片在某一方向上的彎曲程度 。硅片在制造、加工或運(yùn)輸過(guò)程中,因溫度變化、機(jī)械應(yīng)力等因素,容易產(chǎn)生 Bow 現(xiàn)象。

測(cè)量意義與方法

Bow 值過(guò)大可能造成光刻時(shí)曝光不均勻、鍵合工藝中硅片貼合不良等問(wèn)題。一般采用非接觸式光學(xué)測(cè)量方法,如激光干涉儀,通過(guò)測(cè)量硅片表面的干涉條紋,計(jì)算出硅片的 Bow 值。

Warp(翹曲度)

定義

Warp 表示硅片整個(gè)表面偏離其理想平面的程度,是硅片表面最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的距離。與 Bow 不同,Warp 考慮的是硅片整體表面的起伏情況,能更全面地反映硅片的形狀畸變 。

測(cè)量意義與方法

較大的 Warp 值會(huì)影響硅片在設(shè)備中的定位精度,導(dǎo)致工藝處理的不一致性。測(cè)量 Warp 常用的方法是光學(xué)輪廓儀測(cè)量,通過(guò)對(duì)硅片表面進(jìn)行三維掃描,獲取表面形貌數(shù)據(jù),從而確定 Warp 值。

TIR(Total Indicator Reading,總指示讀數(shù))

定義

TIR 指的是在硅片表面上,測(cè)量點(diǎn)相對(duì)于某一基準(zhǔn)平面的高度差的最大值與最小值之差。它綜合反映了硅片表面的平整度和形狀誤差 ,在一定程度上體現(xiàn)了硅片表面的整體質(zhì)量狀況。

測(cè)量意義與方法

TIR 值過(guò)大可能影響硅片與其他器件的集成效果。通常使用高精度的表面輪廓測(cè)量?jī)x進(jìn)行 TIR 測(cè)量,通過(guò)逐點(diǎn)掃描硅片表面,獲取各點(diǎn)高度數(shù)據(jù),進(jìn)而計(jì)算出 TIR 值。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級(jí)3D輪廓測(cè)量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描,亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù),Z向測(cè)量范圍高達(dá)100mm,不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率,為復(fù)雜形貌測(cè)量提供全面解決方案。

3)可搭載多普勒激光測(cè)振系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測(cè)量。

wKgZPGgv0bKAINKmAAR1_qgsz50730.png

實(shí)際案例

wKgZO2gv0bOAb-LqAAKthx97NjQ082.png

1,優(yōu)于1nm分辨率,輕松測(cè)量硅片表面粗糙度測(cè)量,Ra=0.7nm

wKgZO2gv0bSAcmzXAAmXI7OHZ9E354.png

2,毫米級(jí)視野,實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

wKgZO2gv0bWAWE0_AAR0udw807c853.png

3,卓越的“高深寬比”測(cè)量能力,實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開(kāi)口寬度測(cè)量。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 硅片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    405

    瀏覽量

    35595
  • 干涉儀
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    145

    瀏覽量

    10644
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?532次閱讀
    【新啟航】碳化硅外延片 <b class='flag-5'>TTV</b> 厚度與生長(zhǎng)工藝<b class='flag-5'>參數(shù)</b>的關(guān)聯(lián)性研究

    晶圓背面磨削工藝中的TTV控制深入解析

    的不斷進(jìn)步,晶圓的厚度均勻性成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn),而TTV控制,正是確保這一均勻性的核心。Part.01什么是TTV?Bow,Wrap有何差異?晶圓的總厚度變化(Tota
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:55 ?2752次閱讀
    晶圓背面磨削工藝中的<b class='flag-5'>TTV</b>控制深入解析

    切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

    摘要:本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤(rùn)滑、排屑性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制,探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同優(yōu)化的參數(shù)設(shè)計(jì)方法,為提升晶圓切
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:23 ?441次閱讀
    切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 <b class='flag-5'>TTV</b> 厚度均勻性的影響機(jī)制與<b class='flag-5'>參數(shù)</b>設(shè)計(jì)

    wafer晶圓厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)數(shù)據(jù)測(cè)量的設(shè)備

    晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構(gòu)建于晶圓之上,其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow
    發(fā)表于 05-28 16:12

    wafer晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng):厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)數(shù)據(jù)測(cè)量

    在先進(jìn)制程中,厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了晶圓的幾何完整性,是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過(guò)WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)在線檢測(cè),可減少其對(duì)芯片性能的影響。
    發(fā)表于 05-28 11:28 ?2次下載

    wafer晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng):厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)數(shù)據(jù)測(cè)量

    在先進(jìn)制程中,厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了晶圓的幾何完整性,是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過(guò)WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)在線檢測(cè),可減少其對(duì)芯片性能的影響。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:27 ?1045次閱讀
    wafer晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng):厚度(THK)翹曲度(<b class='flag-5'>Warp</b>)彎曲度(<b class='flag-5'>Bow</b>)<b class='flag-5'>等</b>數(shù)據(jù)測(cè)量

    利用 BowTTV 差值于再生晶圓制作超平坦芯片的方法

    摘要:本文介紹了一種利用 BowTTV 差值在再生晶圓上制作超平坦芯片的方法。通過(guò)對(duì)再生晶圓 Bow 值與 TTV 值的測(cè)量和計(jì)算,結(jié)合特定的研磨、拋光
    的頭像 發(fā)表于 05-21 18:09 ?963次閱讀
    利用 <b class='flag-5'>Bow</b> 與 <b class='flag-5'>TTV</b> 差值于再生晶圓制作超平坦芯片的方法

    降低晶圓 TTV 的磨片加工方法

    摘要:本文聚焦于降低晶圓 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過(guò)對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn),有效控制晶圓 TTV 值,提升晶圓質(zhì)量,為半導(dǎo)體制造提供實(shí)用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞:晶
    的頭像 發(fā)表于 05-20 17:51 ?817次閱讀
    降低晶圓 <b class='flag-5'>TTV</b> 的磨片加工方法

    碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測(cè)量這些
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:30 ?286次閱讀
    碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 <b class='flag-5'>BOW</b>/<b class='flag-5'>WARP</b> 的影響

    不同的氮化鎵襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

    氮化鎵襯底的優(yōu)勢(shì),確保其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精準(zhǔn)測(cè)量至關(guān)重要,因?yàn)檫@直接關(guān)聯(lián)到后續(xù)芯片制造工藝的良率與性能表現(xiàn)。不同的吸附方案恰似一雙雙各異
    的頭像 發(fā)表于 01-17 09:27 ?420次閱讀
    不同的氮化鎵襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量氮化鎵襯底 <b class='flag-5'>BOW</b>/<b class='flag-5'>WARP</b> 的影響

    氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

    BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精確測(cè)量是保障后續(xù)芯片制造工藝精準(zhǔn)實(shí)施的重要前提,不同的吸附方案在這一測(cè)量環(huán)節(jié)中扮演著截然不同的角色,其中環(huán)吸方案更是以獨(dú)特
    的頭像 發(fā)表于 01-16 14:33 ?366次閱讀
    氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量氮化鎵襯底 <b class='flag-5'>BOW</b>/<b class='flag-5'>WARP</b> 的影響

    不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細(xì)微
    的頭像 發(fā)表于 01-14 10:23 ?400次閱讀
    不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 <b class='flag-5'>BOW</b>/<b class='flag-5'>WARP</b> 的影響

    碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件制造的熱門(mén)襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
    的頭像 發(fā)表于 01-13 14:36 ?394次閱讀
    碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 <b class='flag-5'>BOW</b>/<b class='flag-5'>WARP</b> 的影響

    晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量晶圓 BOW/WARP 的影響

    設(shè)計(jì),與傳統(tǒng)或其他吸附方案相比,對(duì) BOW/WARP 測(cè)量有著顯著且復(fù)雜的影響。 一、常見(jiàn)吸附方案概述 傳統(tǒng)的吸附方案包括全表面吸附、邊緣點(diǎn)吸附。全表面吸附利用真空將晶圓
    的頭像 發(fā)表于 01-09 17:00 ?639次閱讀
    晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量晶圓 <b class='flag-5'>BOW</b>/<b class='flag-5'>WARP</b> 的影響

    晶圓的TTV,BOW,WARPTIR是什么?

    晶圓的TTVBOWWARP、TIR是評(píng)估晶圓質(zhì)量和加工精度的重要指標(biāo),以下是它們的詳細(xì)介紹: TTV(Total Thickness
    的頭像 發(fā)表于 12-17 10:01 ?1972次閱讀
    晶圓的<b class='flag-5'>TTV</b>,<b class='flag-5'>BOW</b>,<b class='flag-5'>WARP</b>,<b class='flag-5'>TIR</b>是什么?