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龍騰半導(dǎo)體650V 99mΩ超結(jié)MOSFET重磅發(fā)布

龍騰半導(dǎo)體 ? 來源:龍騰半導(dǎo)體 ? 2025-09-26 17:39 ? 次閱讀
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龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET,其內(nèi)置FRD,適應(yīng)LLC應(yīng)用,并適合多管應(yīng)用,具有更快的開關(guān)速度,更低的導(dǎo)通損耗;極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。

該產(chǎn)品耐壓為650V,導(dǎo)通電阻僅為99mΩ,使得MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)更小的功率損耗和更高的效率,同時(shí)成本也隨之下降,為客戶提供低成本設(shè)計(jì)方案。該款產(chǎn)品主要適用于電源、逆變器和其它高壓開關(guān)應(yīng)用等。

產(chǎn)品特點(diǎn)

業(yè)界優(yōu)勢的RDS(on)*A

集成快恢復(fù)二極管

出色的高開關(guān)速度

增強(qiáng)的dv/dt能力

競爭優(yōu)勢

業(yè)界優(yōu)勢的RDS(on)*A

Qrr反向恢復(fù)電荷性能顯著提升

trr反向恢復(fù)時(shí)間較同類產(chǎn)品明顯縮短

676e7aec-9793-11f0-8c8f-92fbcf53809c.jpg

注:數(shù)據(jù)來源于龍騰實(shí)驗(yàn)室實(shí)測

LSD65R099HP采用先進(jìn)的PT工藝,器件高低溫條件下IDSS漏電較輻照產(chǎn)品低。同時(shí),其Trr和Qrr性能參數(shù)優(yōu)于市面主流產(chǎn)品,顯著提升了產(chǎn)品的可靠性與能效。

應(yīng)用領(lǐng)域

數(shù)據(jù)中心

通信電源

電動(dòng)汽車充電OBC

不間斷電源UPS

工業(yè)SMPS

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原文標(biāo)題:新品發(fā)布 | Qrr與Trr雙優(yōu)表現(xiàn),龍騰半導(dǎo)體650V 99mΩ 超結(jié)MOSFET發(fā)布

文章出處:【微信號(hào):xa_lonten,微信公眾號(hào):龍騰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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