高溫運(yùn)放芯片在石油測(cè)井中的核心原理是通過(guò)特殊材料、動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)和強(qiáng)化封裝三大技術(shù)應(yīng)對(duì)極端環(huán)境：

耐高溫材料：采用SOI（絕緣體上硅）或碳化硅（SiC）基板，阻斷高溫漏電流，確保半導(dǎo)體在210℃下仍穩(wěn)定工作；

動(dòng)態(tài)溫漂補(bǔ)償：通過(guò)內(nèi)部斬波開關(guān)周期性采樣失調(diào)電壓，實(shí)時(shí)反向抵消溫漂，避免地層信號(hào)放大失真；

抗壓密封封裝：使用陶瓷密封與真空釬焊工藝，抵抗井下高壓、蒸汽腐蝕及鉆探振動(dòng)，保障芯片在210℃/1000小時(shí)的壽命。

實(shí)際應(yīng)用效果：在石油測(cè)井中，此類芯片可直接放大井下傳感器nV級(jí)微電壓，承受超高溫與強(qiáng)沖擊，使地層電阻率測(cè)量誤差控制在1%以內(nèi)，為深井勘探提供可靠信號(hào)鏈基礎(chǔ)。

代表型號(hào)

ZTOP41高溫運(yùn)算放大器是青島智騰微電子有限公司研制的210℃高溫單封芯片，具有低失調(diào)電壓和低漂移，低輸入偏置電流、低噪聲和低功耗特性。 該器件保證可采用5V 至 36 V 電源供電，并保證可在極高的溫度下工作。該放大器的應(yīng)用包括傳感器信號(hào)調(diào)理（例如熱電偶、RTD、應(yīng)變計(jì)）、過(guò)程控制前端放大器和光學(xué)及無(wú)線傳輸系統(tǒng)中的精密二極管功率測(cè)量。工作溫度范圍為?40°C 至+210°C 溫度范圍。該芯片有直插式和表貼式兩種封裝方式（如圖）。

青島智騰高溫運(yùn)放兩種封裝

特性參數(shù)：

低失調(diào)電壓：60 μV

低輸入偏置電流：10 nA

低壓噪聲密度： 10nV/μHz

軌到軌輸出擺幅

電氣特性：

審核編輯 黃宇