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半導體薄膜厚度測量丨基于光學反射率的厚度測量技術

Flexfilm ? 2025-07-22 09:54 ? 次閱讀
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半導體制造中,薄膜的沉積和生長是關鍵步驟。薄膜的厚度需要精確控制,因為厚度偏差會導致不同的電氣特性。傳統(tǒng)的厚度測量依賴于模擬預測或后處理設備,無法實時監(jiān)測沉積過程中的厚度變化,可能導致工藝偏差和良率下降。為此,研究團隊開發(fā)了一種基于激光反射率的光學傳感器,能夠在真空環(huán)境下實時測量氧化膜(SiO?)、氮化膜(Si?N?)和多晶硅(p-Si)的厚度。

FlexFilm單點膜厚儀可方便搭建各種光譜實驗平臺,實現(xiàn)對各種材料的光學特性、膜厚、材料的反射率、透過率等光譜特性的測試和分析實驗。

1

光學原理

flexfilm


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激光在薄膜界面反射和折射的光路圖

入射光束(I)在薄膜上表面反射為(I?),另一部分折射后在下表面反射并再次折射為(I?)。

光程差公式:Δp = 2ndcosθ?(n為折射率,d為厚度,θ?為折射角)。

相位差(ΔΦ)導致干涉,影響反射光強度,從而關聯(lián)到薄膜厚度。

2

薄膜厚度測量裝置

flexfilm

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激光入射角設置為30°、45°、60°,反射光信號轉換為電壓值(參考入射光電壓8.14 V)。

測量原理:通過測量反射光的強度,并結合薄膜的光學性質,計算出薄膜的反射率,進而推導出薄膜的厚度。

測量目標:驗證基于光學反射率的薄膜厚度測量方法的可行性和準確性。

3

材料制備與表征

flexfilm

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三種不同類型薄膜厚度的測量結果

氧化物薄膜的測量誤差在1.2%以內,顯示出較高的測量精度。

氮化物薄膜的測量誤差在1.6%到2.2%之間,整體誤差也較小。

多晶硅薄膜的測量誤差在-0.2%到3.6%之間,其中150 nm厚度的薄膜誤差最大,可能與其光學性質與硅片相似有關。

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氧化物、氮化物、多晶硅和單晶硅的光學性質

氧化物和氮化物薄膜:折射率分別為1.47和2.02,消光系數(shù)均為0,表明這些薄膜是透明的,沒有吸收。

多晶硅薄膜:折射率為4.05,消光系數(shù)為0.05,表明多晶硅薄膜具有一定的吸收特性。

單晶硅薄膜:折射率為3.88,消光系數(shù)為0.019,表明單晶硅薄膜的吸收較小。

4

理論模型

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多層薄膜結構中第N層薄膜的折射和反射過程

多層薄膜結構:展示了多層薄膜的折射和反射過程,特別關注第N層薄膜的行為。

光程差和相位差:通過計算光程差和相位差,可以推導出反射光的強度變化,進而用于薄膜厚度的測量。

反射率計算:反射率是反射光強度與入射光強度的比值,通過反射率的變化可以推導出薄膜的厚度。

5

入射角依賴性分析

flexfilm

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不同角度下的反射率曲線

反射率的周期性變化:

氧化物和氮化物薄膜的反射率隨厚度變化呈現(xiàn)出明顯的周期性波動,這與薄膜的干涉效應有關。

多晶硅薄膜的反射率變化較為復雜,周期性不明顯,主要由于其吸收特性。

入射角度的影響:

在較小的入射角度(45°和60°)下,反射率的變化較為明顯,對薄膜厚度的變化更為敏感。

在較大的入射角度(80°、85°和89°)下,反射率的變化逐漸趨于平緩,但仍能觀察到厚度對反射率的影響。

薄膜類型的差異:

氧化物和氮化物薄膜的反射率變化較為相似,主要由于它們都是透明薄膜,消光系數(shù)為零。

多晶硅薄膜的反射率變化較為復雜,主要由于其吸收特性。

6

反射率與厚度關系

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三種薄膜的實測與理論反射率對比

薄膜厚度測量:

通過分析反射率的變化,可以精確測量薄膜的厚度,特別是對于透明薄膜(如氧化物和氮化物)。

對于半透明薄膜(如多晶硅),雖然反射率變化復雜,但仍然可以通過選擇合適的波長和入射角度進行測量。

實驗裝置的設計提供了理論基礎,幫助優(yōu)化半導體制造工藝中的薄膜沉積和生長過程,確保薄膜厚度在控制范圍內。

7

多角度測量驗證

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氧化物、氮化物、多晶硅三種薄膜反射率隨厚度的變化

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材料光學特性決定測量效果:

透明/半透明材料(氧化膜、氮化膜)因干涉效應顯著,反射率與厚度強相關。

不透明材料(多晶硅)因光吸收(k≠0)導致干涉失效,反射率無厚度信息。

入射角選擇策略:

高折射率材料(如氮化膜)適合低角度(30°),低折射率材料(如氧化膜)適合高角度(60°)。

8

對比度分析

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氧化物、氮化物和多晶硅薄膜的對比度

通過對比度的分析,展示了不同薄膜類型不同入射角度下的反射率變化的明顯程度。對比度越高,反射率的變化越明顯,薄膜厚度的測量越容易。從而優(yōu)化測量方法,提高薄膜厚度測量的精度和可靠性。

一種基于光學反射率的薄膜厚度測量方法,能夠在半導體制造過程中實時監(jiān)測薄膜的沉積和生長厚度。通過激光反射率測量技術,成功實現(xiàn)了氧化膜(SiO?)和氮化膜(Si?N?)薄膜厚度的實時、高精度監(jiān)測,誤差可控制在10 nm以內,最小誤差低至0.68%。

該技術不僅為半導體行業(yè)提供了一種高效、低成本的厚度測量方案,也為光學薄膜表征領域的發(fā)展提供了新的思路,具有重要的工程應用價值和科學研究意義。


FlexFilm單點膜厚儀

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FlexFilm單點膜厚儀是一款專為納米級薄膜測量設計的國產(chǎn)高精度設備,采用光學干涉技術實現(xiàn)無損檢測,測量精度達±0.1nm,1秒內即可完成測試,顯著提升產(chǎn)線效率。

1.高精度測量:光學干涉技術,精度±0.1nm,1秒完成測量,提升產(chǎn)線效率。

2.智能靈活適配:波長覆蓋380-3000nm,內置多算法,一鍵切換材料模型。

3.穩(wěn)定耐用:光強均勻穩(wěn)定(CV<1%)年均維護成本降低60%。

4.便攜易用:整機<3kg,軟件一鍵操作,無需專業(yè)培訓。

FlexFilm單點膜厚儀可基于光學反射率的薄膜厚度測量方法,在半導體制造過程中實時監(jiān)測薄膜的沉積和生長厚度。搭建各種光譜實驗平臺,實現(xiàn)對各種材料的光學特性、膜厚、材料的反射率、透過率等光譜特性的測試和分析實驗。

*特別聲明:本公眾號所發(fā)布的原創(chuàng)及轉載文章,僅用于學術分享和傳遞行業(yè)相關信息。未經(jīng)授權,不得抄襲、篡改、引用、轉載等侵犯本公眾號相關權益的行為。內容僅供參考,如涉及版權問題,敬請聯(lián)系,我們將在第一時間核實并處理。

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