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我國(guó)繼續(xù)組織實(shí)施“芯火”創(chuàng)新計(jì)劃

SwM2_ChinaAET ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-05-26 09:33 ? 次閱讀
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從工信部等權(quán)威部門(mén)獲悉,為推進(jìn)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)推進(jìn)綱要》落地,我國(guó)將針對(duì)集成電路先進(jìn)工藝和智能傳感器創(chuàng)新能力不足等問(wèn)題,出臺(tái)一系列政策“組合拳”,加速多個(gè)重點(diǎn)關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)的攻關(guān),以此促進(jìn)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速健康發(fā)展,并縮小我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和世界先進(jìn)水平的差距。

據(jù)介紹,我國(guó)繼續(xù)組織實(shí)施“芯火”創(chuàng)新計(jì)劃,打造一批集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺(tái),推動(dòng)技術(shù)、人才、資金、市場(chǎng)等產(chǎn)業(yè)要素集聚;推動(dòng)建設(shè)智能傳感器國(guó)家級(jí)創(chuàng)新中心建設(shè),打造8英寸共性技術(shù)開(kāi)發(fā)平臺(tái),攻克高深寬比加工技術(shù)、圓片級(jí)鍵合等關(guān)鍵技術(shù);加快組建IC先進(jìn)工藝國(guó)家級(jí)創(chuàng)新中心建設(shè),攻關(guān)5納米及以下工藝共性技術(shù)等;指導(dǎo)信息光電子創(chuàng)新中心落實(shí)建設(shè)方案,重點(diǎn)建設(shè)Ⅲ-Ⅴ族高端光電子芯片、硅光集成芯片、高速光器件測(cè)試封裝等產(chǎn)品工藝平臺(tái),攻關(guān)400G硅光器件等關(guān)鍵技術(shù);加快落實(shí)印刷及柔性顯示創(chuàng)新中心建設(shè)方案,開(kāi)展大尺寸印刷、量子點(diǎn)印刷等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā),實(shí)現(xiàn)樣機(jī)開(kāi)發(fā)研制;繼續(xù)落實(shí)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)推進(jìn)綱要》,推動(dòng)重點(diǎn)關(guān)鍵型號(hào)CPU、FPGA等重大破局性部署。

隨著我國(guó)信息化發(fā)展進(jìn)程加速,以及“互聯(lián)網(wǎng)+”、“智能制造”戰(zhàn)略的穩(wěn)步推進(jìn),各界對(duì)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)的需求也與日俱增。一方面,我國(guó)對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度重視,從2014年開(kāi)始,先后出臺(tái)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》等一系列產(chǎn)業(yè)政策,同時(shí)國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢(xún)委員會(huì)還將集成電路產(chǎn)業(yè)列入重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)名單;另一方面,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和世界先進(jìn)水平尚有差距,除了每年需要花巨額資金進(jìn)口各類(lèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)外,集成電路產(chǎn)業(yè)的短板還極大制約了信息基礎(chǔ)、高端裝備制造等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

目前,各界對(duì)加速集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)攻關(guān)的呼聲越來(lái)越高。近期,工信部就召開(kāi)了重大短板裝備座談會(huì),明確提出了通過(guò)推進(jìn)重點(diǎn)工程,來(lái)提升集成電路、航空航天等重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和發(fā)展水平。據(jù)知情專(zhuān)家介紹,集成電路領(lǐng)域后續(xù)產(chǎn)業(yè)政策將主要集中在集成電路設(shè)計(jì)、集成電路制造、集成電路封裝、封裝設(shè)備及材料4個(gè)核心領(lǐng)域,涉及桌面CPU、嵌入式CPU、儲(chǔ)存器等核心產(chǎn)品,以及光刻技術(shù)、多芯片封裝等關(guān)鍵技術(shù)的生產(chǎn)和研發(fā)。一旦這些領(lǐng)域取得重大突破,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,不但能夠邁上新的臺(tái)階,還能大大縮小和國(guó)際先進(jìn)水平之間的差距。

據(jù)國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢(xún)委員會(huì)制定的產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo),到2020年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距將逐步縮小,全行業(yè)銷(xiāo)售收入年均增速超過(guò)20%,移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等重點(diǎn)領(lǐng)域集成電路涉及技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,16/14nm制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn),封裝測(cè)試技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,關(guān)鍵裝備和材料進(jìn)入國(guó)際采購(gòu)體系,基本建成技術(shù)先進(jìn)、安全可靠的集成電路體系;到2030年,集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,一批企業(yè)進(jìn)入國(guó)際第一梯隊(duì),產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。

中國(guó)工程院院士、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展咨詢(xún)委員會(huì)委員沈昌祥向《經(jīng)濟(jì)參考報(bào)》記者介紹,目前我國(guó)每年的集成電路產(chǎn)品進(jìn)口金額已超過(guò)石油進(jìn)口金額,大量關(guān)鍵核心產(chǎn)品和技術(shù)均需進(jìn)口,這不僅制約了我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展水平,也制約了和信息產(chǎn)業(yè)緊密相關(guān)的其他產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。例如,目前我國(guó)智能手機(jī)行業(yè)發(fā)展迅猛,但包括CPU、存儲(chǔ)器、各類(lèi)感應(yīng)元器件在內(nèi)的集成電路產(chǎn)品均為進(jìn)口。這使得國(guó)內(nèi)手機(jī)企業(yè)生產(chǎn)的智能手機(jī)附加值低,因此在產(chǎn)業(yè)內(nèi)無(wú)法占據(jù)主導(dǎo)地位,收入更難實(shí)現(xiàn)提升。

沈昌祥認(rèn)為,一旦關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破和國(guó)產(chǎn)化,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都將實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍,不但能夠擺脫受制于人的被動(dòng)局面,還有助于在國(guó)際市場(chǎng)取得話語(yǔ)權(quán)和市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)。

國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢(xún)委員會(huì)預(yù)測(cè),隨著關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)完成攻關(guān)和國(guó)產(chǎn)化,到“十三五”末,國(guó)產(chǎn)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)的市場(chǎng)占有率有望提升30個(gè)百分點(diǎn),產(chǎn)品和技術(shù)將滿(mǎn)足約50%的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求,意味著國(guó)產(chǎn)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)的銷(xiāo)售收入將增長(zhǎng)約500億美元。

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原文標(biāo)題:【業(yè)內(nèi)熱點(diǎn)】國(guó)家發(fā)力!集成電路一系列政策組合拳將出臺(tái),加速重點(diǎn)關(guān)鍵產(chǎn)品技術(shù)攻關(guān)。

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