TPS23755 器件結(jié)合了以太網(wǎng)供電 （PoE） 受電設(shè)備 （PD） 接口、150V 開關(guān)功率 FET 和針對反激式拓撲優(yōu)化的電流模式 DC-DC 控制器。高集成度以及初級側(cè)調(diào)節(jié) （PSR）、擴頻頻率抖動 （SSFD） 和高級啟動使該TPS23755成為尺寸受限應用的理想解決方案。PoE 實現(xiàn)支持 IEEE 802.3at 標準作為 13W 1 型 PD。

DC-DC 控制器的 PSR 功能使用來自輔助繞組的反饋來控制輸出電壓，無需外部并聯(lián)穩(wěn)壓器和光耦合器。它針對次級側(cè)二極管整流器（通常為 12V 輸出或更高）運行進行了優(yōu)化。通常，轉(zhuǎn)換器在開關(guān)頻率為 250 kHz 的連續(xù)導通模式 （CCM） 下工作。
*附件：tps23755.pdf

SFFD和壓擺率控制有助于最大限度地減小EMI濾波器的尺寸和成本。高級啟動允許使用最小偏置電容，同時簡化轉(zhuǎn)換器啟動和打嗝設(shè)計。

輔助輔助電源檢測功能為輔助側(cè)電源適配器提供優(yōu)先級，同時確保與 PoE 輸入電源的平穩(wěn)過渡，沒有效率或熱權(quán)衡。

DC-DC 控制器具有內(nèi)部軟啟動、斜率補償和消隱功能。對于非隔離應用，TPS23755也支持降壓拓撲。

特性

• 適用于 1 型 PoE 的完整 IEEE 802.3at PD 解決方案
  • 提供以太網(wǎng)聯(lián)盟 （EA） 徽標認證設(shè)計
  • 堅固耐用的 100V、0.36 Ω（典型值）熱插拔 MOSFET
  • 可編程分類級別
• 集成PWM控制器，采用0.77-Ω（典型值）150V 功率MOSFET
  • 帶 PSR 的反激式控制器
    • 支持使用次級側(cè)二極管整流器的 CCM作
    • ±3%（典型值，12V 輸出）負載調(diào)節(jié)（5%-100% 范圍）
  • 支持低側(cè)開關(guān)降壓拓撲
  • 可調(diào)開關(guān)頻率，同步
  • 高級啟動
  • 可編程壓擺率和頻率抖動，可增強 EMI 降低
• 輔助側(cè)適配器優(yōu)先級控制，平滑過渡
• –40°C 至 125°C 結(jié)溫范圍
• 小型 6mm x 4mm VSON 封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPS23755是一款高度集成的24引腳IC，結(jié)合了符合IEEE 802.3at標準的Type-1供電設(shè)備（PD）接口、150V開關(guān)功率FET以及優(yōu)化的電流模式DC-DC控制器，專為反激式拓撲設(shè)計。其特點包括：

• ?PoE功能?：支持13W Type-1 PD，集成0.36Ω熱插拔MOSFET，可編程分類級別。
• ?DC-DC控制器?：集成PWM控制器和150V功率MOSFET，支持連續(xù)導通模式（CCM）和初級側(cè)調(diào)節(jié)（PSR），無需光耦反饋。
• ?應用場景?：IP攝像頭、IP電話、無線接入點等。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?高效率?：典型效率達86%（12V輸出，500mA負載）。
• ?簡化設(shè)計?：通過PSR消除光耦和次級穩(wěn)壓器，支持頻率同步和擴頻調(diào)制（SSFD）以降低EMI。
• ?輔助電源優(yōu)先級?：通過AUX_D/AUX_V引腳實現(xiàn)次級適配器無縫切換。
• ?保護機制?：過溫保護、電流限制、輸入欠壓鎖定（UVLO）等。

?3. 功能模塊詳解?

• ?PoE接口?：
  • ?檢測與分類?：通過DEN（24.9kΩ電阻）和CLS引腳實現(xiàn)IEEE標準簽名。
  • ?熱插拔控制?：140mA浪涌電流限制，450mA運行電流限制。
• ?DC-DC控制器?：
  • ?初級側(cè)調(diào)節(jié)?：通過輔助繞組反饋實現(xiàn)輸出電壓控制（±3%負載調(diào)節(jié)精度）。
  • ?高級啟動?：減少偏置電容需求，支持快速啟動。
  • ?頻率設(shè)置?：通過FRS引腳電阻（如60.4kΩ對應250kHz）或外部同步。

?4. 典型應用電路?

• ?反激式設(shè)計?：適用于12V及以上輸出，采用LDT0950變壓器優(yōu)化調(diào)節(jié)。
• ?非隔離降壓拓撲?：支持Buck配置（占空比≤16%）。
• ?布局建議?：優(yōu)先縮短高電流路徑（如DRAIN至變壓器），加強VSS散熱焊盤設(shè)計（推薦8個過孔）。

?5. 設(shè)計注意事項?

• ?EMI優(yōu)化?：通過SRR/SRF引腳電阻（如10Ω）控制MOSFET開關(guān)速率。
• ?輔助電源切換?：需配置RAUX電阻調(diào)整輸出電壓，確保適配器優(yōu)先供電。
• ?保護元件?：輸入TVS（SMAJ58A）、輸出整流二極管（如PDS360-13）需滿足耐壓和熱要求。

?6. 性能曲線與測試數(shù)據(jù)?

• 提供啟動波形、負載調(diào)整率（-40°C至125°C）、短路恢復等實測圖表，驗證設(shè)計可靠性。

?7. 封裝與訂購信息?

• ?封裝?：6mm×4mm VSON（RJJ），帶裸露散熱焊盤。
• ?型號選項?：包括TPS23755RJJR（卷帶）和TPS23755RJJT（剪切帶），符合RoHS標準。

?文檔范圍?
涵蓋特性、引腳功能、電氣參數(shù)、應用設(shè)計指南及布局示例（參考TPS23755EVM-894評估模塊），適用于快速開發(fā)符合IEEE 802.3at的PoE供電設(shè)備。