Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比，TI的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓撲中提供超小的振鈴和干凈的開關(guān)?？烧{(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在15V/ns至150V/ns之間。這可用于主動控制EMI并優(yōu)化開關(guān)性能。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LMG3526R050 650 V GaN FET數(shù)據(jù)手冊.pdf

高級功能包括數(shù)字溫度報告、故障檢測和零電壓檢測 (ZVD)。GaN FET的溫度通過可變占空比PWM輸出報告。報告的故障包括過熱、過流和UVLO監(jiān)測。ZVD功能可在實現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS）時，從ZVD引腳提供脈沖輸出。

特性

• 帶集成柵極驅(qū)動器的650V硅上氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (FET)
  • 集成高精度柵極偏置電壓
  • 200V/ns FET釋抑
  • 3.6MHz開關(guān)頻率
  • 15V/ns到150V/ns轉(zhuǎn)換速率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解EMI
  • 在7.5V至18V電源下工作
• 高級電源管理
  • 數(shù)字溫度PWM輸出
• 有助于實現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測功能
• 強大的保護功能
  • 響應(yīng)時間少于100ns的逐周期過流和鎖存短路保護
  • 硬開關(guān)時可承受720 V浪涌
  • 針對內(nèi)部過熱和UVLO監(jiān)控的自我保護
• 頂部冷卻12mm × 12mm VQFN封裝將電氣路徑和熱路徑分開，以實現(xiàn)最低的功率環(huán)路電感

簡化框圖

德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅(qū)動技術(shù)深度解析

核心技術(shù)解析

1. 直接驅(qū)動GaN架構(gòu)

相比傳統(tǒng)cascode結(jié)構(gòu)，LMG352xR050采用創(chuàng)新的直接驅(qū)動技術(shù)：

• ?雙路徑設(shè)計?：通過內(nèi)部buck-boost轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生-14V負壓直接關(guān)斷GaN器件
• ?性能優(yōu)勢?：
  • 降低GaN柵源電荷(QGS)約30%
  • 消除Si MOSFET雪崩風(fēng)險
  • 實現(xiàn)15-150V/ns可調(diào)開關(guān)速率
• ?動態(tài)控制?：通過RDRV引腳電阻(1-500kΩ)精確調(diào)節(jié)開關(guān)速率

2. 先進保護機制

?三重保護系統(tǒng)?確保器件可靠性：

1. ? 過流保護(OCP) ?：
   • 閾值：45-65A(可調(diào))
   • 響應(yīng)時間：<170ns
   • 周期循環(huán)模式防止過熱
2. ? 短路保護(SCP) ?：
   • 雙重觸發(fā)機制(di/dt >150A/μs或I>65-95A)
   • <100ns極速響應(yīng)
   • 自動進入慢關(guān)斷模式降低電壓應(yīng)力
3. ?溫度保護?：
   • GaN過熱保護：175℃觸發(fā)(30℃遲滯)
   • 驅(qū)動器過熱保護：185℃觸發(fā)(20℃遲滯)
   • 數(shù)字溫度報告：9kHz PWM輸出(占空比對應(yīng)結(jié)溫)

3. 零電壓檢測功能(LMG3526R050專屬)

?ZVD引腳?實現(xiàn)智能軟開關(guān)控制：

• 檢測窗口：42-56ns第三象限導(dǎo)通時間
• 輸出脈沖：75-140ns寬度
• 應(yīng)用價值：
  • 簡化LLC諧振變換器設(shè)計
  • 優(yōu)化TCM圖騰柱PFC效率
  • 實時反饋ZVS狀態(tài)

關(guān)鍵性能參數(shù)

典型應(yīng)用設(shè)計指南

1. 半橋配置要點

?關(guān)鍵元件選型建議?：

• ?BBSW電感?：4.7μH(飽和電流>1A)
• ?VNEG電容?：2.2μF低ESR陶瓷電容
• ?柵極電阻?：根據(jù)EMI需求選擇1-500kΩ

?布局四大黃金法則?：

1. 采用4層PCB板設(shè)計
2. 功率回路面積<2.5nH
3. VNEG去耦電容距離<5mm
4. 信號走線下方設(shè)置接地屏蔽層

2. 熱設(shè)計規(guī)范

• ?散熱方案?：頂部安裝隔離式散熱器
• ?PCB優(yōu)化?：
  • 使用3oz銅厚
  • 添加0.3mm直徑散熱過孔(間距1mm)
  • 開關(guān)節(jié)點銅面積最小化
• ?結(jié)溫估算公式?：
  TJ(℃) = 162.3 × DTEMP + 20.1(精度±5℃@25℃)

行業(yè)應(yīng)用場景

1. ?數(shù)據(jù)中心電源?：
   • 高頻PFC電路(>1MHz)
   • 48V/12V DC-DC轉(zhuǎn)換
2. ?新能源汽車?：
   • 車載充電機(OBC)
   • 電池管理系統(tǒng)
3. ?工業(yè)驅(qū)動?：
   • 伺服電機控制器
   • 工業(yè)電源模塊
4. ?光伏系統(tǒng)?：
   • 組串式逆變器
   • 儲能變流器

設(shè)計資源與支持

TI提供完整生態(tài)系統(tǒng)支持：

• ?參考設(shè)計?：TIDA-020031(半橋方案)
• ?仿真模型?：PSpice和IBIS模型
• ?計算工具?：柵極驅(qū)動設(shè)計Excel工具
• ?安全認證?：ISO 26262 ASIL B合規(guī)報告

技術(shù)發(fā)展趨勢

隨著電力電子向高頻高效發(fā)展，LMG352xR050代表的智能GaN解決方案將在以下領(lǐng)域產(chǎn)生深遠影響：

1. 數(shù)據(jù)中心電源密度提升30%以上
2. 電動汽車充電模塊小型化
3. 可再生能源系統(tǒng)效率突破99%
4. 工業(yè)自動化設(shè)備體積縮減50%

設(shè)計人員應(yīng)特別注意功率回路布局和熱設(shè)計，以充分發(fā)揮第三代半導(dǎo)體性能潛力。TI創(chuàng)新的直接驅(qū)動架構(gòu)和多重保護機制，為GaN技術(shù)的大規(guī)模商用提供了可靠保障。