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TPS23770 3 類 PoE PD,帶反激式集成 DC-DC 控制器和傳統(tǒng) UVLO 閾值數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-08-06 13:57 ? 次閱讀
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該TPS23750將TPS2375的功能與初級側(cè)DC/DC PWM控制器集成在一起。設計人員可以使用最少的外部元件為 PoE-PD 應用創(chuàng)建前端解決方案。該TPS23770與TPS23750相同,但欠壓鎖定導通電壓與傳統(tǒng)系統(tǒng)兼容。

PoE 前端具有所有必要的 IEEE 802.3af 功能,包括檢測、分類、欠壓鎖定和浪涌控制。PoE 輸入開關(guān)集成在TPS23750內(nèi)。
*附件:tps23770.pdf

DC/DC 控制器部分設計用于支持反激式、正激式和非同步低側(cè)開關(guān)降壓拓撲。

外部開關(guān)MOSFET電流檢測電阻在拓撲、功率電平和電流限制方面提供了靈活性。全功能DC/DC控制器包括可編程軟啟動、打嗝型故障限制、50%最大占空比、可編程恒定開關(guān)頻率和真正的電壓輸出誤差放大器。額外的保護功能提供了堅固的設計。

特性

  • 完整的 802.3af PoE 接口
    • 源自TPS2375的特征
    • 100 V、0.6 內(nèi)部通道 MOSFET
    • 標準和傳統(tǒng) UVLO 選擇
    • 固定的 140 mA 浪涌限制
  • 初級側(cè)DC/DC轉(zhuǎn)換器控制
    • 最小外部元件數(shù)量
    • 電流模式控制
    • 隔離和非隔離拓撲
    • 可編程工作頻率
    • 電流檢測前沿消隱
    • 50% 占空比限制
    • 電壓輸出誤差放大器
  • 內(nèi)部 PoE 和轉(zhuǎn)換器排序
  • 行業(yè)標準 20 引腳封裝
  • 工業(yè)溫度范圍,-40°C 至 85°C
  • 應用
    • 所有 PoE PD 設備包括:
      • 無線接入點
      • VoIP電話
      • 安全攝像頭

參數(shù)
image.png

?1. 產(chǎn)品概述?

  • ?型號?:TPS23750與TPS23770是德州儀器(TI)推出的集成IEEE 802.3af兼容PoE受電設備(PD)接口與初級側(cè)DC/DC控制器的芯片,適用于以太網(wǎng)供電(PoE)應用。
  • ?關(guān)鍵特性?:
    • 完整PoE接口:支持檢測、分類、UVLO(欠壓鎖定)及浪涌電流控制,內(nèi)置100V/0.6Ω MOSFET。
    • DC/DC控制器:支持反激、正激及非同步降壓拓撲,可編程開關(guān)頻率(100kHz–500kHz),電流模式控制。
    • 工業(yè)溫度范圍:-40°C至85°C。
  • ?應用場景?:無線接入點、IP電話、安防攝像頭等PoE終端設備。

?2. 功能模塊詳解?

  • ?PoE前端?:
    • ?檢測?:通過24.9kΩ電阻(RDET)實現(xiàn)25kΩ增量電阻簽名,符合IEEE 802.3af標準。
    • ?分類?:通過外部電阻(RCLASS)設置功率等級(0-4類),最高支持12.95W輸入功率。
    • ?UVLO?:TPS23750標準閾值(開啟39.3V/關(guān)閉30.5V),TPS23770兼容傳統(tǒng)系統(tǒng)(開啟35.1V/關(guān)閉30.5V)。
  • ?DC/DC控制器?:
    • ?誤差放大器?:1.5V基準,支持內(nèi)部啟用或外部光耦反饋(通過MODE引腳配置)。
    • ?保護功能?:峰值電流限制(0.5V閾值)、故障檢測(0.75V觸發(fā))、熱關(guān)斷(140°C)。
    • ?軟啟動與hiccup模式?:通過TMR引腳電容設定,限制啟動電流及故障恢復周期。

?3. 典型應用設計?

  • ?拓撲支持?:
    • ?隔離反激?(圖38):適用于需1500V絕緣的場景,支持同步整流以提高效率。
    • ?非隔離反激?(圖39):簡化設計,適合無金屬接口設備。
    • ?降壓拓撲?(圖40):低側(cè)開關(guān)配置,輸出參考正輸入軌,適合低壓差應用。
  • ?輔助電源?:支持PoE與外部適配器(24V–48V)自動切換,提供三種ORing方案(輸入、中間、輸出側(cè))。

?4. 關(guān)鍵設計考慮?

  • ?布局建議?:
    • 功率路徑需短而寬,避免交叉干擾。
    • 分離PoE(VSS參考)與轉(zhuǎn)換器(RTN參考)地平面,PowerPAD連接至VSS散熱。
  • ?熱管理?:
    • 主要熱源:內(nèi)部MOSFET、柵極驅(qū)動、偏置電路。
    • 計算公式:TJ = TA + (P × θJA),建議TJ <125°C。

?5. 文檔附加信息?

  • ?封裝選項?:HTSSOP-20(PWP),支持卷帶(2000顆/卷)或管裝(70顆/管)。
  • ?參考設計?:提供評估模塊(EVM)原理圖及布局示例,涵蓋隔離/非隔離拓撲。

?總結(jié)?
TPS23750/TPS23770為高集成度PoE-PD解決方案,簡化了前端設計與電源轉(zhuǎn)換,適用于多種終端設備。其靈活的配置選項(如拓撲選擇、分類設置)和完備的保護機制(UVLO、熱關(guān)斷)使其在工業(yè)環(huán)境中具備高可靠性。設計時需重點關(guān)注熱耗散、布局優(yōu)化及輔助電源兼容性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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