鋰金屬固態(tài)電池因高能量密度被視為下一代儲(chǔ)能核心方案，但其枝晶穿透問(wèn)題制約產(chǎn)業(yè)化。材料微觀結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能表征是突破關(guān)鍵。本文探討（LPSCl）晶粒尺寸工程，解析其通過(guò)調(diào)控微觀結(jié)構(gòu)抑制枝晶、提升臨界電流密度的機(jī)制。

光子灣3D 共聚焦顯微鏡為鋰電研發(fā)提供核心表征支持，可實(shí)現(xiàn)固態(tài)電解質(zhì)表面粗糙度（0.01μm 分辨率）、晶界網(wǎng)絡(luò)及缺陷分布的快速重構(gòu)，助力行業(yè)精準(zhǔn)優(yōu)化界面接觸力學(xué)與抗枝晶性能。

#Photonixbay.01

界面缺陷與體相力學(xué)的雙重挑戰(zhàn)

枝晶是鋰金屬在固態(tài)電池充放電過(guò)程中，在電極/ 電解質(zhì)界面不均勻沉積形成的樹狀晶體結(jié)構(gòu)。鋰金屬陽(yáng)極界面處鋰剝離/ 沉積過(guò)程中形成的孔隙與枝晶生長(zhǎng)，會(huì)導(dǎo)致電池在高電流密度下短路失效。

盡管無(wú)機(jī)固態(tài)電解質(zhì)（如Li?PS?Cl, LPSCl）具備高離子電導(dǎo)率（>1 mS/cm），但其界面粗糙度、晶粒尺寸與體相微觀結(jié)構(gòu)（如孔隙率、晶界分布）如何協(xié)同影響枝晶生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)，仍缺乏系統(tǒng)性研究。

#Photonixbay.02

晶粒工程與光學(xué)精密表征的結(jié)合

SG/LG-LPSCl 表面粗糙度的共聚焦顯微鏡 3D 形貌

研究通過(guò)冷等靜壓技術(shù)制備了兩種典型LPSCl 樣品：

小晶粒LPSCl（SG-LPSCl）：平均晶粒尺寸 < 500 nm，表面粗糙度 R?=1.1 μm；

大晶粒LPSCl（LG-LPSCl）：平均晶粒尺寸 20-40 μm，表面粗糙度 R?=6.5 μm。

利用共聚焦顯微鏡技術(shù)對(duì)樣品表面進(jìn)行3D 形貌分析，發(fā)現(xiàn)晶粒尺寸直接決定表面粗糙度及缺陷密度：LG-LPSCl 因大晶粒邊界突出，經(jīng)拋光后仍存在微米級(jí)凹凸結(jié)構(gòu)，而 SG-LPSCl 表面更為平滑。這一差異為后續(xù)界面應(yīng)力分布與枝晶生長(zhǎng)行為奠定了微觀基礎(chǔ)。

#Photonixbay.03

粗糙度引發(fā)的應(yīng)力集中效應(yīng)

鋰-電解質(zhì)界面應(yīng)力分布與枝晶生長(zhǎng)機(jī)制示意圖

在鋰金屬與LPSCl 的界面接觸過(guò)程中，粗糙度主導(dǎo)了應(yīng)力分布的不均勻性：

LG-LPSCl 界面：高粗糙度導(dǎo)致鋰金屬塑性流動(dòng)不均，形成裂紋狀缺陷。根據(jù)斷裂力學(xué)理論，尖銳缺陷（如裂紋尖端曲率半徑ρ↓）會(huì)顯著提升應(yīng)力集中因子，使局部應(yīng)力遠(yuǎn)超材料斷裂韌性（K IC），引發(fā)脆性斷裂。

SG-LPSCl 界面：低粗糙度促進(jìn)鋰金屬均勻鋪展，形成致密孔隙而非尖銳裂紋，降低初始應(yīng)力集中。

#Photonixbay.04

體相晶粒微觀結(jié)構(gòu)

FIB-SEM 觀察 SG/LG-LPSCl 的界面與體微觀結(jié)構(gòu)

體相晶粒尺寸通過(guò)影響晶界密度與孔隙分布，決定了應(yīng)力傳導(dǎo)路徑：

SG-LPSCl 的優(yōu)勢(shì)：

晶界密度高：平均晶粒尺寸200-500 nm，晶界三叉點(diǎn)（TJ）密度比 LG-LPSCl 高 3 個(gè)數(shù)量級(jí)，形成密集的裂紋偏轉(zhuǎn)屏障。當(dāng)枝晶試圖穿透晶界時(shí)，應(yīng)力方向被迫改變，有效降低尖端應(yīng)力強(qiáng)度。

孔隙協(xié)同作用：17% 的孔隙率雖降低體相強(qiáng)度，但孔隙作為 “應(yīng)力緩沖器”，通過(guò)裂紋橋接機(jī)制分散能量，形成“R 曲線行為”（穩(wěn)定裂紋生長(zhǎng)）。

LG-LPSCl 的缺陷：

大晶粒（20-40 μm）導(dǎo)致晶界稀疏，應(yīng)力沿少數(shù)路徑集中傳導(dǎo)，缺乏有效屏蔽；

低孔隙率（8%）使枝晶可無(wú)阻礙地向體相生長(zhǎng)，最終引發(fā)短路。

#Photonixbay.05

晶粒電化學(xué)性能

不同壓力下的電化學(xué)阻抗譜（PEIS）與界面接觸分析

通過(guò)對(duì)稱電池（Li|LPSCl|Li）恒電流測(cè)試發(fā)現(xiàn)，SG-LPSCl 的臨界電流密度（CCD）達(dá) 0.9 mA/cm2，是 LG-LPSCl（0.4 mA/cm2）的 2.25 倍。關(guān)鍵差異源于：

LG-LPSCl：高粗糙度界面引發(fā)電流聚焦，優(yōu)先在尖銳缺陷處形成枝晶，體相大晶粒缺乏應(yīng)力屏蔽，導(dǎo)致短路提前發(fā)生；

SG-LPSCl：均勻界面與密集晶界共同抑制枝晶生長(zhǎng)，即使在高電流密度下，應(yīng)力仍可通過(guò)多路徑分散，延緩失效。

綜上揭示了固態(tài)電解質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)- 力學(xué)性能 - 電化學(xué)行為的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，而精準(zhǔn)的材料表征是解析這一鏈條的核心。光子灣科技提供的共聚焦顯微鏡3D 形貌分析服務(wù)，可實(shí)現(xiàn)納米至微米級(jí)表面粗糙度、缺陷分布的定量測(cè)量，直接對(duì)接電池界面工程需求。

#Photonixbay.

光子灣3D共聚焦顯微鏡

光子灣3D共聚焦顯微鏡是一款用于對(duì)各種精密器件及材料表面，可應(yīng)對(duì)多樣化測(cè)量場(chǎng)景，能夠快速高效完成亞微米級(jí)形貌和表面粗糙度的精準(zhǔn)測(cè)量任務(wù)，提供值得信賴的高質(zhì)量數(shù)據(jù)。

• 超寬視野范圍，高精細(xì)彩色圖像觀察
• 提供粗糙度、幾何輪廓、結(jié)構(gòu)、頻率、功能等五大分析功能
• 采用針孔共聚焦光學(xué)系統(tǒng)，高穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
• 提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能

固態(tài)電池的商業(yè)化進(jìn)程離不開跨尺度的材料表征與機(jī)理創(chuàng)新。光子灣科技以光學(xué)精密測(cè)量技術(shù)為核心，持續(xù)深耕鋰電領(lǐng)域的微觀結(jié)構(gòu)分析與力學(xué)性能評(píng)估，助力行業(yè)實(shí)現(xiàn)從材料研發(fā)到工藝優(yōu)化的精準(zhǔn)調(diào)控。

感謝您本次的閱讀光子灣將持續(xù)為您奉上更多優(yōu)質(zhì)內(nèi)容，與您共同進(jìn)步。

原文出處：《Li6PS5Cl microstructure and influence on dendrite growth in solid-state batteries with lithium metal anode》

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