前情回顧

RZ/G2L的DDR配置

瑞薩RZ/G2L MPU的DDR配置（1）

瑞薩RZ/G2L MPU的DDR配置 （2）

3.2

使用前準(zhǔn)備

在使用配置工具之前，需要做好以下準(zhǔn)備工作：

詳細(xì)了解硬件信息，包括#DDR顆粒的型號(hào)、容量、速率、數(shù)據(jù)寬度等參數(shù)，以及原理圖中DDR顆粒與處理器的連接方式、引腳定義等 。這些信息是進(jìn)行準(zhǔn)確配置的基礎(chǔ)，直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。

確保安裝了支持宏功能的Excel軟件，因?yàn)榕渲霉ぞ呤腔贓xcel宏開(kāi)發(fā)的，需要啟用宏才能正常運(yùn)行。同時(shí)，獲取最新版本的配置工具，并熟悉工具的各個(gè)表格和參數(shù)的含義 。

3.3

具體使用步驟

這是配置工具的界面，橙色的guide表提供了trusted-firmware-a中實(shí)現(xiàn)DDR配置的過(guò)程說(shuō)明。綠色的表可以忽略，黃色的01_Condition，02_Connection，03_Topology這三個(gè)表一般不需要修改，它羅列了各種DDR顆粒型號(hào)的參數(shù)選項(xiàng)，連接方式，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)組合等選項(xiàng)。黃色的04_Analog表定義了各種Connetion#/Condition#以及Topology#下的匹配阻抗等硬件參數(shù)配置。一般也不建議軟件人員修改。軟件人員正常要改的是05_CA_Remap表和GenParame表。

3.3.1

01_Condition與02_Connection表的選擇

以RZ/G2L SMARC EVK為例，它只接了1片1G*16bit的DDR4（MT40A1G16KD - 062E：E）。

首先，分別從配置工具的01_Condition和02_Connection表中找出與該DDR顆粒和原理圖的connection對(duì)應(yīng)選項(xiàng)。在01_Condition表中，依據(jù)DDR顆粒MT40A1G16KD - 062E：E的規(guī)格書(shū)上提供的速率等特性選擇合適的條件選項(xiàng)，如D4 - 01 - 1；在02_Connection表中，依據(jù)原理圖的連接方式和PCB的相關(guān)信息確定對(duì)應(yīng)的連接選項(xiàng)，如C - 011 。

3.3.2

03_Topology表的選擇

根據(jù)上一步確定的信息及DDR4顆粒型號(hào)，從配置工具的03_Topology表中找出對(duì)應(yīng)的Topology選項(xiàng)。在03_Topology表中，通過(guò)查找與DDR顆粒參數(shù)匹配的行和列，確定對(duì)應(yīng)的拓?fù)漕愋蚑 - 1bc（依據(jù)C， H， J， AB， AI， AJ列的關(guān)鍵信息）。拓?fù)漕愋偷倪x擇決定了內(nèi)存的地址映射、信號(hào)連接等關(guān)鍵配置，對(duì)內(nèi)存的正常工作至關(guān)重要。

3.3.3

05_CA_Remap表操作

打開(kāi)配置工具的05_CA_Remap表，選中上一步03_Topology表確定的拓?fù)漕愋蛯?duì)應(yīng)的列（如第J列T - 1bc），然后根據(jù)原理圖完成pin assign操作。在pin assign過(guò)程中，需要將處理器側(cè)的引腳與DDR顆粒側(cè)的引腳進(jìn)行準(zhǔn)確映射。

這里有個(gè)實(shí)用技巧：

原理圖中soc側(cè)有3個(gè)引腳（DDR_CS0/DDR_ODT0/DDR_WE）是沒(méi)有引出的，在pin assign的下拉選項(xiàng)中也有3個(gè)選項(xiàng)（DDR_CS1/DDR_ODT1/DDR_BG1）在DDR顆粒這一側(cè)是不存在的。因此，soc側(cè)的這3個(gè)引腳可以從下拉選項(xiàng)中的這三個(gè)選項(xiàng)自由選擇，只要保證不重復(fù)即可 。

3.3.4

GenParam表操作

打開(kāi)配置工具的GenParam表，在第7行（Product）的下拉選項(xiàng)中選擇RZ/G2L，在第8行（Topology#）的下拉選項(xiàng)中選中之前確定的T - 1bc ，在第9行（Condition#）的下拉選項(xiàng)中選擇D4-01-1，在第10行（Connection#）的下拉選項(xiàng)中選擇C-011。其他相關(guān)參數(shù)，如Speed - Bin（DDR4 - 1600L）、CK period [ps]（1250）、CL（12）、CWL（9）、AL（0）等會(huì)根據(jù)前面幾項(xiàng)的選擇，自動(dòng)填充，無(wú)需手動(dòng)配置 。

3.3.5

生成配置文件

在GenParam表中完成所有參數(shù)設(shè)置后，點(diǎn)擊Generate param按鈕，即可生成配置文件param_mc.c和param_swizzle.c 。生成的文件需按照前面提到的規(guī)則進(jìn)行重命名，以便在后續(xù)的開(kāi)發(fā)中正確使用。

3.3.6

配置文件使用

RZ/G2L的flash-writer和trusted-firmware-a源碼工程都用到配置工具生成的param_mc.c和param_swizzle.c配置文件。配置工具的guide表提供的方法針對(duì)的trusted-firmware-a源碼工程。也可以參考RZ BSP Porting - ARM Trusted Firmware - Renesas-wiki - Renesas Confluence。flash-writer源碼工程中DDR配置文件的使用可以參考RZ BSP Porting - Flash Writer - Renesas-wiki - Renesas Confluence。

3.4

使用技巧與注意事項(xiàng)

在進(jìn)行pin assign時(shí)，原理圖引腳的連線命名可能與soc側(cè)或者DDR顆粒的管腳命名不一一對(duì)應(yīng)，這是配置過(guò)程中的難點(diǎn)。需要仔細(xì)分析原理圖，運(yùn)用邏輯思維和空間想象力，準(zhǔn)確找出DDR顆粒和soc側(cè)的引腳連接關(guān)系 。

配置工具中的01_Condition、02_Connection、03_Topology這三個(gè)表通常不需要修改，它們是基于硬件和內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)預(yù)先設(shè)置好的。04_Analog表主要供PCB設(shè)計(jì)人員參考，如果需要修改，應(yīng)由PCB設(shè)計(jì)工程師根據(jù)硬件設(shè)計(jì)給出建議。

在填寫(xiě)GenParam表中的參數(shù)時(shí)，務(wù)必確保參數(shù)的準(zhǔn)確性，這些參數(shù)直接影響到DDR內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。如果參數(shù)設(shè)置錯(cuò)誤，可能導(dǎo)致內(nèi)存無(wú)法正常工作或性能下降 。

總結(jié)

本文全面介紹了RZ/G2L對(duì)DDR3L和DDR4的支持情況，深入解析了DDR3、DDR4以及DDR3L的技術(shù)細(xì)節(jié)和區(qū)別，詳細(xì)闡述了RZ/G2L的DDR配置工具的使用流程。通過(guò)對(duì)這些內(nèi)容的了解，嵌入式軟件工程師能夠更好地掌握RZ/G2L的DDR適配工作。