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TDK TLVR電感器在服務(wù)器電源電路的應(yīng)用

TDK中國 ? 來源:TDK中國 ? 2025-08-18 10:46 ? 次閱讀
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精度提供磁芯電壓,則電壓為1V時(shí)的公差必須控制在±30mV。對于服務(wù)器專用電源,即使在超過1000A的大電流負(fù)載驟變的驅(qū)動(dòng)條件下,輸出電壓也必須盡可能保持穩(wěn)定。

應(yīng)用的低電壓大電流發(fā)展趨勢一直在持續(xù),在此之前通常采用高頻化和多相位化來應(yīng)對。

對于多相VR,僅通過一個(gè)相位的占空比控制不足以應(yīng)對大電流負(fù)載波動(dòng),需要對多個(gè)相位進(jìn)行占空比控制。

但相位間的切換需要時(shí)間,因此需要進(jìn)一步提高切換頻率來加快響應(yīng)速度。

雖然提高頻率對改善負(fù)載響應(yīng)有很大的作用,但同樣會極大地增加開關(guān)元件的損耗,因此很難通過提高現(xiàn)有電路配置的多相VR的頻率來達(dá)到服務(wù)器電源追求高能效的要求。

此外,通過使用大容量外部電容器可在一定程度上抑制大電流應(yīng)用的電壓波動(dòng),但這會增加安裝面積和電容器成本。

考慮到上述諸多情況,TLVR(Trans-Inductor Voltage Regulators)是目前應(yīng)對低電壓大電流應(yīng)用中快速負(fù)載波動(dòng)的主流電路配置。

在這種電路配置中,每個(gè)相位開關(guān)連接到一個(gè)帶額外繞組的電感器上,然后將每個(gè)相位的繞組和補(bǔ)償電感器串聯(lián)成回路,以便同時(shí)為每個(gè)相位提供電流。這種TLVR能使半導(dǎo)體處理器獲得較高的瞬態(tài)響應(yīng)性能,滿足負(fù)載要求,同時(shí)降低電源損耗,而且可保持較小的輸出電容值,從而減少安裝面積和系統(tǒng)成本。

wKgZO2iilEOAeVmPAAG7ETPmtdk674.png

圖1:服務(wù)器電源電路

TLVR中的電路配置

圖2解釋了TLVR的運(yùn)行機(jī)制。當(dāng)多相VR中的電流需求突然增加時(shí),為維持輸出電壓,會增加當(dāng)時(shí)開啟的相的占空比,從而增加輸出電流。通過增加特定相的占空比可增加該相的輸出電流,但如果發(fā)生大電流負(fù)載變化,電流值將不夠用,輸出電流的增加將通過增加后續(xù)相的占空比來滿足。

在這種情況下,確保所需電流需求所需的時(shí)間過長,輸出電流的回轉(zhuǎn)率較低,無法充分應(yīng)對快速變化的負(fù)載。

另一方面,在TLVR中,與每個(gè)相位開關(guān)相連的電感器上都增加了額外的繞組,每個(gè)電感器中的額外繞組又與補(bǔ)償電感器串聯(lián)成回路。通過這種電路配置,在電流需求突然大幅增加的情況下,此時(shí)接通的相位的占空比將擴(kuò)大,從而增加輸出電流,并與其他未接通的電感器協(xié)同工作,使所有電感器都能在同一時(shí)刻提供電流。因此,即使在電流負(fù)載發(fā)生較大變化時(shí),也能實(shí)現(xiàn)較高的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),而且電源電壓幾乎不會降低。

TLVR方法不僅能快速供應(yīng)電流,還能有效減少輸出電容,是目前的主流電路配置。

wKgZO2iilGaAEJXgAATLMfLpQr8415.png

圖2:多相和TLVR電路配置的比較(6相)

wKgZO2iilHiAEs6oAALebkGsO-I467.png

圖3:負(fù)載響應(yīng)電路仿真比較結(jié)果

在TLVR中優(yōu)化電路配置的VLBUC電感器

在這里我們將介紹針對TLVR電路配置進(jìn)行了優(yōu)化的雙線圈功率電感器系列VLBUC和Lc補(bǔ)償功率電感器VLBU6565100。

VLBUC12060120系列是一款支持大電流的雙線圈功率電感器,具有高飽和磁通密度、針對高頻開關(guān)專門優(yōu)化的磁性材料和獨(dú)特的電極結(jié)構(gòu)等特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了低損耗。兩個(gè)線圈之間的絕壓高達(dá)DC100V。

此外,VLBU6565100系列適用于Lc補(bǔ)償功率電感器,是一款適合高頻應(yīng)用的低損耗元件。
兩者的工作溫度范圍均為-40至+125°C。

用于6相

wKgZO2iildKAAB8WAAEze-4smj0419.png

圖4:用于Lc補(bǔ)償線圈的VLBUC電感器和VLBU 電感器

wKgZO2iiljWAJWaZAAIhfBt-3jU455.png

備注:Isat_20%:當(dāng)只向初級線圈提供直流電流時(shí),取決于電感飽和。(比初始L值減少20%)

Itemp_40C:取決于自溫升 (40℃),當(dāng)只向初級或次級線圈提供直流電流時(shí)。

Lp (L初級):引腳1 - 引腳4

Lk(L泄漏):引腳1 - 引腳2(引腳3和引腳4短接時(shí))/2

K(耦合因子):1-(Lk/Lp)

wKgZO2iilhGATjT8AADW_fvUFVs863.png

備注:Isat_20%:取決于電感飽和。(比初始L值減少20%)

Isat_30% :取決于電感飽和。(比初始L值減少30%)

Itemp_40C:取決于自溫升 (40℃)

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原文標(biāo)題:TLVR電感器 - 服務(wù)器電源電路突破性能瓶頸的關(guān)鍵所在

文章出處:【微信號:TDK中國,微信公眾號:TDK中國】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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