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?TLC6A598 8位移位寄存器技術文檔總結

科技綠洲 ? 2025-08-22 10:38 ? 次閱讀
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TLC6A598器件是一款單片、高壓、大電流功率的8位移位寄存器,設計用于需要相對高負載功率的系統(tǒng),例如LED

該器件在輸出端包含一個內置電壓鉗位,用于電感瞬態(tài)保護。功率驅動器應用包括繼電器、螺線管和其他高電流或高壓負載。每個漏極開路DMOS晶體管都具有獨立的斬波限流電路,以防止短路時損壞。
*附件:tlc6a598.pdf

該器件包含一個 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器,該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。輸出為低側漏極開路DMOS晶體管,輸出額定值為50 V,連續(xù)灌電流能力為350 mA。內置負載開路或負載短路診斷機制提供增強的安全保護。該器件提供周期冗余校驗,以驗證移位寄存器中的寄存器值。在回讀模式下,器件提供 6 位 CRC 余數(shù)。MCU可以讀回CRC余數(shù),檢查余數(shù)是否正確,以確定MCU與器件之間的通信環(huán)路是否良好。

TLC6A598表征適用于在 ?55°C 至 125°C 的工作環(huán)境溫度范圍內工作。

特性

  • 航空電子應用的高可靠性和魯棒性
  • 寬工作環(huán)境溫度:–55oC 至 +125oC
  • 寬 VCC從 3 V 到 5.5 V
  • 八個功率DMOS晶體管輸出通道
    • 350mA 連續(xù)電流
    • 1.1-A 限流能力
    • 輸出鉗位電壓,50 V
    • 低R ds(開) , 1 Ω(典型值)
    • Avalance 能量,90 mJ(最大)
  • 保護
    • 過流保護
    • 開路和短路負載檢測
    • 串口通信錯誤檢測
    • 熱關斷保護
  • 增強多級級聯(lián)
  • 所有寄存器均通過單輸入清除
  • 循環(huán)冗余校驗 (CRC)
  • 低功耗
  • 24引腳SOIC DW封裝

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
TLC6A598是德州儀器(TI)推出的高可靠性、高魯棒性8位功率邏輯移位寄存器,專為航空電子等嚴苛環(huán)境設計。核心特性包括:

  • ?工作溫度?:-55°C至+125°C
  • ?電壓范圍?:3V至5.5V
  • ?輸出能力?:8路開漏DMOS晶體管通道,每通道支持350mA連續(xù)電流、1.1A峰值電流
  • ?保護功能?:過流保護、負載開路/短路檢測、串行通信錯誤檢測、熱關斷保護

?2. 關鍵特性?

  • ?高驅動能力?:50V輸出鉗位電壓,支持繼電器、LED、螺線管等高負載。
  • ?級聯(lián)支持?:通過SER OUT引腳實現(xiàn)多設備級聯(lián),增強系統(tǒng)擴展性。
  • ?診斷功能?:內置CRC校驗和故障寄存器,可檢測通信錯誤及負載狀態(tài)(開路/短路)。
  • ?熱管理?:175°C熱關斷閾值,冷卻后自動恢復。

?3. 應用場景?

?4. 封裝與引腳?

  • ?封裝?:24引腳SOIC(DW),尺寸15.7mm × 7.5mm。
  • ?關鍵引腳?:
    • ?SRCLR?(引腳3):移位寄存器清零(低電平有效)。
    • ?DRAIN0-DRAIN7?(引腳1-2,11-14,23-24):開漏輸出。
    • ?SER IN/SER OUT?(引腳22/15):串行數(shù)據(jù)輸入/輸出。

?5. 電氣參數(shù)?

  • ?導通電阻?:1Ω(典型值,VCC=5V, 25°C)。
  • ?時序要求?:SRCK時鐘頻率最高10MHz,傳輸延遲≤30ns。
  • ?ESD防護?:HBM 7000V,CDM 1500V。

?6. 設計注意事項?

  • ?布局建議?:優(yōu)化PCB銅覆蓋率以散熱,VCC引腳就近放置0.1μF去耦電容。

?7. 典型應用電路?

  • ?LED驅動?:支持多路并聯(lián),每路獨立控制。
  • ?繼電器驅動?:需注意感性負載的反向瞬態(tài)電壓。
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