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TLC6C598 8位移位寄存器LED驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-08-26 14:31 ? 次閱讀
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TLC6C598器件是單片、中壓、低電流功率 8 位移位 寄存器設(shè)計(jì)用于需要相對(duì)中等負(fù)載功率的系統(tǒng),例如 LED。

該器件包含一個(gè) 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器,可為 8 位饋電 D型存儲(chǔ)寄存器。為移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器提供了單獨(dú)的時(shí)鐘。 輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管,輸出額定值為 40 V,連續(xù)電流為 50 mA 灌電流或 200 mA PWM 電流,單脈沖持續(xù)時(shí)間小于 1 ms,平均電流 當(dāng) V 時(shí),能力小于 50 mA CC = 5 伏。該設(shè)備包含內(nèi)置 熱關(guān)斷保護(hù),并在使用以下系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試時(shí)提供高達(dá) 2000 V 的 ESD 保護(hù) 人體模型和 200 V 機(jī)器模型。

TLC6C598表征是在工作環(huán)境溫度下運(yùn)行的 范圍為 ?40°C 至 105°C。
*附件:tlc6c598.pdf

特性

  • 寬 VCC從 3 V 到 5.5 V
  • 輸出最大額定值為 40 V
  • 8個(gè)功率DMOS晶體管輸出,50 mA連續(xù)電流,V CC = 5 V 或 200 mAPWM 電流,單脈沖持續(xù)時(shí)間小于1 ms,平均電流小于50 mA
  • 熱關(guān)斷保護(hù)
  • 增強(qiáng)多級(jí)級(jí)聯(lián)
  • 所有寄存器均通過單輸入清除
  • 低功耗
  • 開關(guān)時(shí)間慢(tr和 t f ),這有助于顯著降低 EMI
  • 16引腳TSSOP-PW封裝

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?

  • 8位串行輸入/并行輸出移位寄存器LED驅(qū)動(dòng)
  • 工作電壓范圍:3V至5.5V
  • 輸出能力:40V最大額定電壓,50mA連續(xù)電流(VCC=5V時(shí))或200mA PWM電流(單脈沖<1ms且平均電流<50mA)
  • 封裝:16引腳TSSOP-PW

?2. 關(guān)鍵特性?

  • 熱關(guān)斷保護(hù)功能(175°C典型觸發(fā)值)
  • 級(jí)聯(lián)功能支持多級(jí)擴(kuò)展
  • 低功耗設(shè)計(jì)
  • 慢速開關(guān)時(shí)間有助于降低EMI
  • 內(nèi)置2000V ESD保護(hù)(人體模型)

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

?4. 功能描述?

  • 包含8位串并轉(zhuǎn)換移位寄存器和8位D型存儲(chǔ)寄存器
  • 獨(dú)立時(shí)鐘控制移位和存儲(chǔ)寄存器
  • 開漏DMOS晶體管輸出
  • 通過SER_OUT引腳實(shí)現(xiàn)級(jí)聯(lián)

?5. 電氣參數(shù)?

  • 邏輯供電電流:88μA(典型值,無時(shí)鐘信號(hào)時(shí))
  • 導(dǎo)通電阻:7.41Ω(典型值,VCC=5V,單通道導(dǎo)通時(shí))
  • 工作溫度范圍:-40°C至105°C

?6. 典型應(yīng)用電路?

  • 支持串聯(lián)級(jí)聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
  • 每個(gè)LED需串聯(lián)限流電阻,計(jì)算公式:Rx = (VSupply - VDx)/I

?7. 封裝與布局?

  • 建議在VCC引腳附近放置0.1μF陶瓷去耦電容
  • PCB設(shè)計(jì)需最大化銅覆蓋面積以增強(qiáng)散熱

該器件專為中功率LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),具有完善的保護(hù)功能和靈活的級(jí)聯(lián)能力,適用于需要多路LED控制的顯示應(yīng)用場(chǎng)景。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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