該TPIC6A595是一款單片、高壓、大電流電源邏輯8位移位寄存器，設(shè)計用于需要相對高負載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個內(nèi)置電壓鉗位，用于電感瞬態(tài)保護。功率驅(qū)動器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負載。每個漏極開路DMOS晶體管都具有獨立的斬波限流電路，以防止短路時損壞。
*附件：tpic6a595.pdf

該器件包含一個 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器，該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過移位寄存器時鐘 （SRCK） 和寄存器時鐘 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當移位寄存器清除 （SRCLR） 為高電平時，存儲寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時有效。當SRCLR為低電平時，輸入移位寄存器被清除。當輸出使能（G）保持為高電平時，輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平，并且所有漏極輸出都關(guān)斷。當G保持低電平時，來自存儲寄存器的數(shù)據(jù)對輸出緩沖器是透明的。串行輸出 （SER OUT） 允許將數(shù)據(jù)從移位寄存器級聯(lián)到其他器件。

輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管，輸出額定值為 50V，連續(xù)灌電流能力為 350mA。當輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時，DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當數(shù)據(jù)為高電平時，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

提供單獨的電源接地 （PGND） 和邏輯接地 （LGND） 端子，以促進最大的系統(tǒng)靈活性。所有 PGND 端子均內(nèi)部連接，每個 PGND 端子必須外部連接到電源系統(tǒng)接地，以最大限度地減少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之間的單點連接必須以減少邏輯和負載電路之間串擾的方式從外部進行。

該TPIC6A595采用熱增強型正直插式 （NE） 封裝和寬體表面貼裝 （DW） 封裝。該TPIC6A595的特點是在 -40 至 125°C 的工作箱溫度范圍內(nèi)運行。

特性

• 低 rDS（on）：1Ω（典型值）
• 輸出短路保護
• 雪崩能量：75mJ
• 8個350mA DMOS輸出
• 50V 開關(guān)能力
• 設(shè)備是可級聯(lián)的
• 低功耗

參數(shù)

?1. 核心特性?

• ?高性能輸出?：8路開漏DMOS晶體管輸出，每路支持50V耐壓及350mA連續(xù)灌電流能力，內(nèi)置短路保護和75mJ雪崩能量吸收。
• ?低功耗設(shè)計?：典型導(dǎo)通電阻1Ω，邏輯與功率地分離設(shè)計降低干擾。
• ?級聯(lián)功能?：通過SER OUT引腳支持多設(shè)備串聯(lián)擴展。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?數(shù)據(jù)控制?：
  • 串行輸入（SER IN）通過上升沿時鐘（SRCK）移位至8位寄存器。
  • 存儲寄存器在RCK上升沿鎖存數(shù)據(jù)，SRCLR低電平清零寄存器。
  • 輸出使能（G）控制DMOS開關(guān)，支持全局PWM調(diào)光。
• ?保護機制?：獨立電流斬波限流電路，防止輸出短路損壞。

?3. 電氣參數(shù)?

• ?工作條件?：邏輯電壓4.5V5.5V（超壓至7V可能影響可靠性），溫度范圍-40°C125°C。
• ?開關(guān)特性?：傳播延遲典型值30ns（高→低）、125ns（低→高），輸出上升/下降時間60ns/30ns。

?4. 封裝與型號?

• ?封裝選項?：
  • PDIP-20（NE）：24.0mm×6.86mm，適合通孔安裝。
  • SOIC-24（DW）：15.4mm×7.5mm，表貼封裝。
• ?型號標識?：如TPIC6A595DW（SOIC）、TPIC6A595NE（PDIP）。

?5. 應(yīng)用場景?

• ?汽車電子?：儀表盤指示燈、繼電器驅(qū)動。
• ?工業(yè)控制?：電磁閥、電機驅(qū)動。
• ?LED系統(tǒng)?：多路照明控制與調(diào)光。

?6. 設(shè)計注意事項?

• ?布局建議?：功率地（PGND）與邏輯地（LGND）單點連接以降低噪聲。
• ?熱管理?：PDIP封裝最大功耗2.5W（25°C時），需根據(jù)工況降額使用。

?7. 文檔支持?

• 提供詳細時序圖、熱阻曲線及測試電路，涵蓋雪崩能量、反向恢復(fù)電流等參數(shù)測量方法。