該TPIC6A595是一款單片、高壓、大電流電源邏輯8位移位寄存器，設(shè)計(jì)用于需要相對高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位，用于電感瞬態(tài)保護(hù)。功率驅(qū)動器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。每個(gè)漏極開路DMOS晶體管都具有獨(dú)立的斬波限流電路，以防止短路時(shí)損壞。
*附件：tpic6a595.pdf

該器件包含一個(gè) 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器，該寄存器為 8 位 D 型存儲寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過移位寄存器時(shí)鐘 （SRCK） 和寄存器時(shí)鐘 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清除 （SRCLR） 為高電平時(shí)，存儲寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時(shí)有效。當(dāng)SRCLR為低電平時(shí)，輸入移位寄存器被清除。當(dāng)輸出使能（G）保持為高電平時(shí)，輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平，并且所有漏極輸出都關(guān)斷。當(dāng)G保持低電平時(shí)，來自存儲寄存器的數(shù)據(jù)對輸出緩沖器是透明的。串行輸出 （SER OUT） 允許將數(shù)據(jù)從移位寄存器級聯(lián)到其他器件。

輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管，輸出額定值為 50V，連續(xù)灌電流能力為 350mA。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí)，DMOS晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí)，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。

提供單獨(dú)的電源接地 （PGND） 和邏輯接地 （LGND） 端子，以促進(jìn)最大的系統(tǒng)靈活性。所有 PGND 端子均內(nèi)部連接，每個(gè) PGND 端子必須外部連接到電源系統(tǒng)接地，以最大限度地減少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之間的單點(diǎn)連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式從外部進(jìn)行。

該TPIC6A595采用熱增強(qiáng)型正直插式 （NE） 封裝和寬體表面貼裝 （DW） 封裝。該TPIC6A595的特點(diǎn)是在 -40 至 125°C 的工作箱溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

特性

• 低 rDS（on）：1Ω（典型值）
• 輸出短路保護(hù)
• 雪崩能量：75mJ
• 8個(gè)350mA DMOS輸出
• 50V 開關(guān)能力
• 設(shè)備是可級聯(lián)的
• 低功耗

參數(shù)

?1. 核心特性?

• ?高性能輸出?：8路開漏DMOS晶體管輸出，每路支持50V耐壓及350mA連續(xù)灌電流能力，內(nèi)置短路保護(hù)和75mJ雪崩能量吸收。
• ?低功耗設(shè)計(jì)?：典型導(dǎo)通電阻1Ω，邏輯與功率地分離設(shè)計(jì)降低干擾。
• ?級聯(lián)功能?：通過SER OUT引腳支持多設(shè)備串聯(lián)擴(kuò)展。

?2. 關(guān)鍵功能?

• ?數(shù)據(jù)控制?：
  • 串行輸入（SER IN）通過上升沿時(shí)鐘（SRCK）移位至8位寄存器。
  • 存儲寄存器在RCK上升沿鎖存數(shù)據(jù)，SRCLR低電平清零寄存器。
  • 輸出使能（G）控制DMOS開關(guān)，支持全局PWM調(diào)光。
• ?保護(hù)機(jī)制?：獨(dú)立電流斬波限流電路，防止輸出短路損壞。

?3. 電氣參數(shù)?

• ?工作條件?：邏輯電壓4.5V5.5V（超壓至7V可能影響可靠性），溫度范圍-40°C125°C。
• ?開關(guān)特性?：傳播延遲典型值30ns（高→低）、125ns（低→高），輸出上升/下降時(shí)間60ns/30ns。

?4. 封裝與型號?

• ?封裝選項(xiàng)?：
  • PDIP-20（NE）：24.0mm×6.86mm，適合通孔安裝。
  • SOIC-24（DW）：15.4mm×7.5mm，表貼封裝。
• ?型號標(biāo)識?：如TPIC6A595DW（SOIC）、TPIC6A595NE（PDIP）。

?5. 應(yīng)用場景?

• ?汽車電子?：儀表盤指示燈、繼電器驅(qū)動。
• ?工業(yè)控制?：電磁閥、電機(jī)驅(qū)動。
• ?LED系統(tǒng)?：多路照明控制與調(diào)光。

?6. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?布局建議?：功率地（PGND）與邏輯地（LGND）單點(diǎn)連接以降低噪聲。
• ?熱管理?：PDIP封裝最大功耗2.5W（25°C時(shí)），需根據(jù)工況降額使用。

?7. 文檔支持?

• 提供詳細(xì)時(shí)序圖、熱阻曲線及測試電路，涵蓋雪崩能量、反向恢復(fù)電流等參數(shù)測量方法。