該TPIC6B596是一款單片、高壓、中電流功率 8 位移位寄存器，設(shè)計(jì)用于需要相對(duì)高負(fù)載功率的系統(tǒng)。該器件在輸出端包含一個(gè)內(nèi)置電壓鉗位，用于電感瞬態(tài)保護(hù)。電源驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他中電流或高壓負(fù)載。

該器件包含一個(gè) 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器，該寄存器為 8 位 D 型存儲(chǔ)寄存器供電。數(shù)據(jù)分別通過移位寄存器時(shí)鐘 （SRCK） 和寄存器時(shí)鐘 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存儲(chǔ)寄存器傳輸。當(dāng)移位寄存器清除 （SRCLR） 為高電平時(shí)，存儲(chǔ)寄存器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器。寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)僅在 RCK 較低時(shí)有效。當(dāng)SRCLR為低電平時(shí)，器件中的所有寄存器都被清除。當(dāng)輸出使能（G）保持為高電平時(shí)，輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平，并且所有漏極輸出都關(guān)斷。當(dāng)G保持低電平時(shí)，來自存儲(chǔ)寄存器的數(shù)據(jù)對(duì)輸出緩沖器是透明的。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時(shí)，DMOS-晶體管輸出關(guān)斷。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時(shí)，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。串行輸出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿從器件中時(shí)鐘輸出，為級(jí)聯(lián)應(yīng)用提供額外的保持時(shí)間。這將為時(shí)鐘信號(hào)可能偏斜、器件彼此不靠近或系統(tǒng)必須承受電磁干擾的應(yīng)用提供更高的性能。
*附件：tpic6b596.pdf

輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管，輸出額定值為 50V，連續(xù)灌電流能力為 150mA。每個(gè)輸出在TC = 25°C時(shí)提供500mA的典型電流限制。 電流限制隨著結(jié)溫的升高而降低，以提供額外的器件保護(hù)。

該TPIC6B596的表征是在 ?40°C 至 125°C 的工作外殼溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 低 rDS（on）：5Ω
• 雪崩能量：30mJ
• 八個(gè)功率 DMOS 晶體管輸出，連續(xù)電流為 150 mA
• 500mA典型限流能力
• 輸出箝位電壓：50V
• 增強(qiáng)多級(jí)級(jí)聯(lián)
• 所有寄存器均通過單輸入清除
• 低功耗

參數(shù)

?1. 核心特性?

• ?低導(dǎo)通電阻?：5Ω
• ?輸出能力?：8路功率DMOS晶體管輸出，每路支持150mA連續(xù)電流，典型限流500mA
• ?保護(hù)功能?：50V輸出鉗位電壓，30mJ雪崩能量保護(hù)
• ?級(jí)聯(lián)支持?：通過SEROUT引腳實(shí)現(xiàn)多級(jí)級(jí)聯(lián)，時(shí)鐘下降沿輸出增強(qiáng)抗干擾能力
• ?工作溫度?：-40°C至125°C

?2. 典型應(yīng)用?

• 汽車電子：儀表盤集群、指示燈控制
• 工業(yè)驅(qū)動(dòng)：繼電器、電磁閥控制
• LED照明：多通道LED驅(qū)動(dòng)

?3. 功能描述?

• ?寄存器結(jié)構(gòu)?：8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存儲(chǔ)寄存器，數(shù)據(jù)在SRCK（移位時(shí)鐘）和RCK（存儲(chǔ)時(shí)鐘）上升沿同步傳輸。
• ?控制邏輯?：
  • SRCLR低電平清除所有寄存器
  • G引腳控制輸出使能（低電平有效）
  • 輸出為低側(cè)開漏DMOS晶體管，支持PWM調(diào)光

?4. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?電氣特性?：
  • 邏輯供電電壓：4.5V~5.5V（超出5.5V可能影響可靠性）
  • 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：典型值5Ω（ID=100mA時(shí)）
• ?開關(guān)特性?：
  • 傳輸延遲：tPLH≤150ns，tPHL≤90ns
  • 最大時(shí)鐘頻率：10MHz（級(jí)聯(lián)模式）

?5. 封裝與訂購信息?

• ?封裝選項(xiàng)?：
  • SOIC-20（DW）：12.8mm×7.5mm
  • PDIP-20（N）：25.4mm×6.35mm
• ?型號(hào)后綴說明?：
  • DWR表示卷帶包裝，N表示塑料雙列直插

?6. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• 避免VCC<4.5V工作，可能導(dǎo)致功能異常
• 雪崩能量測(cè)試需配置L=200mH電感，IAS=0.5A
• 熱管理建議：RθJA（SOIC）為90°C/W，需考慮散熱設(shè)計(jì)