文章來源：學(xué)習(xí)那些事

原文作者：小陳婆婆

本文介紹了芯片收縮對功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域發(fā)展的影響。

在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓隹绮牧?工藝-封裝-系統(tǒng)的革命：銅-釕-鉬多元金屬化、0.3 mm極致封裝間距、200 W/cm2級三維散熱、混合鍵合與FOPLP量產(chǎn)落地，以及AI驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)-檢測一體化，正共同重塑功率器件的可靠性邊界、集成密度與成本曲線。以上預(yù)示著一個(gè)由“尺寸微縮+異構(gòu)集成+系統(tǒng)級優(yōu)化”定義的下一代功率封裝時(shí)代已經(jīng)到來，本文分述如下：

芯片收縮產(chǎn)生的影響

晶圓級片上系統(tǒng)與系統(tǒng)級封裝

扇入與扇出

芯片收縮產(chǎn)生的影響

在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的過程中，芯片收縮對模擬與功率晶圓級封裝領(lǐng)域的影響呈現(xiàn)出多維度的技術(shù)挑戰(zhàn)。相較于傳統(tǒng)晶圓級IC產(chǎn)品，功率半導(dǎo)體器件因需兼顧高功率密度與高可靠性要求，其封裝技術(shù)發(fā)展始終滯后于數(shù)字邏輯電路的迭代節(jié)奏。當(dāng)前主流功率器件已從350nm/500nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)向180nm/250nm節(jié)點(diǎn)遷移，芯片尺寸的顯著縮小雖帶來集成度提升，卻也引發(fā)了互連系統(tǒng)的根本性重構(gòu)需求。隨著金互連層厚度持續(xù)減薄，單位面積電流密度呈現(xiàn)指數(shù)級增長，導(dǎo)致電遷移效應(yīng)（Electromigration, EM）成為制約器件壽命的關(guān)鍵瓶頸。這一現(xiàn)象不僅加速了銅互連替代方案的研發(fā)進(jìn)程，更促使業(yè)界探索釕（Ru）、鉬（Mo）等新型金屬化材料的應(yīng)用可能性，以應(yīng)對傳統(tǒng)鋁互連在亞微米尺度下的可靠性衰減問題。

在晶圓級封裝工藝層面，技術(shù)迭代正面臨雙重挑戰(zhàn)：一方面，現(xiàn)有晶圓級焊料凸點(diǎn)與銅柱凸點(diǎn)技術(shù)需突破金屬間化合物（IMC）過度生長引發(fā)的機(jī)械失效風(fēng)險(xiǎn)，以及高溫服役環(huán)境下凸點(diǎn)界面空洞化（Kirkendall Voiding）的可靠性問題；另一方面，芯片尺寸收縮迫使封裝間距從0.5mm向0.4mm甚至0.3mm演進(jìn)，這對光刻精度、植球工藝及底部填充材料的流動(dòng)性提出了更嚴(yán)苛的要求。值得注意的是，一些廠商已開始試點(diǎn)混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)，通過銅-銅直接鍵合實(shí)現(xiàn)亞微米級間距互聯(lián)，為功率器件封裝的小型化提供了全新路徑。

散熱問題作為芯片收縮的衍生挑戰(zhàn)，其重要性在功率器件領(lǐng)域尤為凸顯。高功率密度導(dǎo)致的熱流密度突破100W/cm2量級，使得傳統(tǒng)硅基散熱材料已接近物理極限。行業(yè)正在積極布局三維集成散熱架構(gòu)，例如將微通道液冷模塊直接嵌入封裝基板，或采用金剛石/碳化硅復(fù)合材料作為熱擴(kuò)散層。一些企業(yè)通過集成相變材料（PCM）與石墨烯散熱膜，成功將結(jié)溫波動(dòng)控制在±5℃范圍內(nèi)，為高功率密度應(yīng)用提供了示范性解決方案。

晶圓級片上系統(tǒng)與系統(tǒng)級封裝

在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)演進(jìn)的大背景下，晶圓級片上系統(tǒng)（SoC）與系統(tǒng)級封裝（SiP）的技術(shù)路徑呈現(xiàn)出鮮明的互補(bǔ)性特征，共同推動(dòng)著功率集成器件向更高集成度與性能優(yōu)化方向邁進(jìn)。SoC通過將數(shù)字、模擬及功率器件集成于單一硅片，實(shí)現(xiàn)了極致的集成密度與能效比，但其設(shè)計(jì)復(fù)雜度與工藝兼容性挑戰(zhàn)隨著制程微縮而急劇攀升。以臺(tái)積電2025年技術(shù)路線為例，其N2節(jié)點(diǎn)雖通過納米片晶體管與背面供電技術(shù)（SuperPowerRail）將邏輯密度提升至1.23倍，但需面對10nm以下線寬帶來的良率控制難題，這促使業(yè)界將目光轉(zhuǎn)向異構(gòu)集成方案。

SiP技術(shù)在此背景下展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢，通過3D封裝技術(shù)將不同工藝節(jié)點(diǎn)的芯片垂直堆疊，有效平衡了性能與成本。2025年推出的GAA工藝與X-Cube 3D封裝結(jié)合方案，允許將3nm制程的邏輯芯片與14nm制程的功率器件集成于同一封裝體，既規(guī)避了先進(jìn)制程的高成本，又滿足了高功率密度需求。這種技術(shù)路徑在工業(yè)控制領(lǐng)域尤為顯著，英特爾2025年工業(yè)控制白皮書顯示，采用SiP方案的PAC控制器可整合多達(dá)8個(gè)異構(gòu)芯片，使IT/OT融合周期縮短40%，同時(shí)將系統(tǒng)級功耗降低25%。

熱管理技術(shù)的突破為兩者的協(xié)同發(fā)展提供了關(guān)鍵支撐。通過集成相變材料與石墨烯散熱膜，能夠?qū)⒔Y(jié)溫波動(dòng)控制在±5℃范圍內(nèi)，這一創(chuàng)新被應(yīng)用于SiP模塊中，有效解決了多芯片集成的熱耦合問題。2025年量產(chǎn)的混合鍵合技術(shù)，通過銅-銅直接鍵合實(shí)現(xiàn)0.4mm間距互聯(lián)，結(jié)合碳化硅襯底的高熱導(dǎo)率，使功率密度突破200W/cm2量級。

扇入與扇出

在半導(dǎo)體封裝技術(shù)演進(jìn)中，扇入型與扇出型晶圓級封裝（WLCSP）呈現(xiàn)出技術(shù)路徑與市場應(yīng)用的顯著分化，共同推動(dòng)著行業(yè)向更高集成度與性能優(yōu)化方向邁進(jìn)。

扇入型WLCSP作為傳統(tǒng)晶圓級封裝的代表，其技術(shù)成熟度與工藝穩(wěn)定性使其在消費(fèi)電子領(lǐng)域占據(jù)不可替代的地位。該技術(shù)通過重布線層（RDL）實(shí)現(xiàn)芯片I/O端口的橫向擴(kuò)展，支持芯片尺寸與封裝尺寸1:1的極致小型化，適用于低I/O數(shù)（≤200）、小尺寸（≤6mm×6mm）的芯片，如移動(dòng)設(shè)備中的電源管理IC。2025年，行業(yè)聚焦于材料改進(jìn)以提升熱循環(huán)性能，例如采用聚合物基電鍍銅工藝優(yōu)化RDL線寬/間距，從傳統(tǒng)的9/12μm向5/5μm甚至更細(xì)線寬演進(jìn)。同時(shí)，玻璃基板等新型材料的應(yīng)用有效解決了翹曲問題，一些企業(yè)在碳化硅襯底領(lǐng)域的技術(shù)突破，為扇入型封裝提供了高性能材料支撐。然而，其局限性在于封裝尺寸受限于芯片尺寸，難以滿足高I/O密度需求，且在低良率場景下成本優(yōu)勢減弱。

扇出型WLCSP則通過重構(gòu)芯片布局突破了物理限制，支持更大封裝尺寸與更高I/O密度。其核心優(yōu)勢在于RDL層可向外延伸，實(shí)現(xiàn)芯片表面I/O端口的重新分布，從而適配更寬松的焊球間距（如嵌入式晶圓級BGA技術(shù)）。2025年，面板級扇出封裝（FOPLP）成為技術(shù)突破的焦點(diǎn)，采用600mm×600mm大尺寸面板替代傳統(tǒng)晶圓，單片產(chǎn)能提升5倍，成本降低超20%。FOPLP的技術(shù)挑戰(zhàn)集中于大面板下的工藝控制，包括翹曲管理、光刻均勻性優(yōu)化及芯片偏移抑制。例如，通過層壓/噴涂技術(shù)替代傳統(tǒng)旋涂工藝，結(jié)合金屬沉積與電鍍工藝的均勻性提升，有效解決了大尺寸面板的加工難題。此外，玻璃基板因高平整度與熱穩(wěn)定性成為關(guān)鍵材料，支撐了高密度互連（如2/2μm線寬/間距）的實(shí)現(xiàn)。

扇入型封裝憑借成本優(yōu)勢與工藝成熟度，仍主導(dǎo)消費(fèi)電子領(lǐng)域；而扇出型封裝，尤其是FOPLP技術(shù)，正成為高密度集成、異構(gòu)封裝的核心載體。未來，扇出型封裝與3D堆疊技術(shù)的結(jié)合將進(jìn)一步釋放潛力。通過混合鍵合實(shí)現(xiàn)芯片間高密度互連，扇出型封裝可支持多芯片異構(gòu)集成（如SiP），滿足AI芯片對帶寬與低延遲的苛刻需求。同時(shí)，行業(yè)正探索將扇出型封裝與硅通孔（TSV）技術(shù)融合，構(gòu)建3D-RDL中介層，為高性能計(jì)算提供更具成本優(yōu)勢的解決方案。在材料端，碳化硅、玻璃基板等新型材料的規(guī)?；瘧?yīng)用，將持續(xù)推動(dòng)扇出型封裝向更小線寬、更高可靠性的方向演進(jìn)。