該TLC6C5912是一款單片、中壓、低電流功率 12 位移位寄存器 設(shè)計用于需要相對中等負(fù)載功率的系統(tǒng)，例如 LED。

該器件包含一個 12 位串行輸入并行輸出移位寄存器，可為 12 位饋電 D型存儲寄存器。通過移位寄存器和存儲寄存器進行數(shù)據(jù)傳輸 移位寄存器時鐘 （SRCK） 和寄存器時鐘 （RCK） 的邊沿。存儲 寄存器在移位寄存器清除 （CLR） 時將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器 很高。CLR 的低電平會清除設(shè)備中的所有寄存器。保持輸出 使能 （G） 高電平使輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)保持為低電平，所有漏極 輸出關(guān)閉。將 G 保持為低電平，使存儲寄存器中的數(shù)據(jù) 對輸出緩沖區(qū)透明。
*附件：tlc6c5912.pdf

該器件包含一個 12 位串行輸入并行輸出移位寄存器，可為 12 位饋電 D型存儲寄存器。為班次和存儲提供單獨的時鐘 寄存 器。

輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管，輸出額定值為 40 V 和 50 mA 連續(xù)灌電流或 200 mA PWM 電流，單脈沖持續(xù)時間小于 1 ms，平均 電流小于 50 mA 能力 V CC = 5 伏。該設(shè)備包含 內(nèi)置熱關(guān)斷保護，并在使用 人體模型和 200 V 機器模型。

TLC6C5912表征適用于在 ?40°C 至 105°C。

特性

• 寬 VCC范圍為 3 V 至 5.5 V
• 輸出最大額定值為 40 V
• 12 個功率 DMOS 晶體管輸出，50 mA 連續(xù)電流，V CC = 5 V 或200 mA PWM 電流，單脈沖持續(xù)時間小于1 ms，平均電流小于 50 mAr
• 熱關(guān)斷保護
• 增強多級級聯(lián)
• 所有寄存器均通過單輸入清除
• 低功耗
• 慢速開關(guān)時間（t 和 t f ），這有助于顯著降低 EMI
• 20引腳TSSOP-PW封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?電源范圍?：3V至5.5V寬電壓支持，輸出最大額定電壓40V。
• ?輸出能力?：12路功率DMOS晶體管輸出，支持50mA連續(xù)電流（VCC=5V）或200mA PWM電流（單脈沖<1ms且平均電流<50mA）。
• ?保護功能?：內(nèi)置熱關(guān)斷保護，增強級聯(lián)能力，支持通過單一輸入清除所有寄存器。
• ?封裝?：20引腳TSSOP-PW封裝（6.5mm×4.4mm）。

?2. 應(yīng)用場景?

• 家電顯示面板、電梯面板、PLC功能指示燈、七段數(shù)碼管驅(qū)動等。

?3. 功能描述?

• ?寄存器結(jié)構(gòu)?：包含12位串行輸入/并行輸出移位寄存器和12位D型存儲寄存器，數(shù)據(jù)在SRCK（移位寄存器時鐘）和RCK（寄存器時鐘）上升沿傳輸。
• ?控制邏輯?：
  • ? CLR（清除引腳） ?：高電平時存儲寄存器數(shù)據(jù)傳輸至輸出緩沖器，低電平時清除所有寄存器。
  • ? G（輸出使能） ?：低電平使能輸出緩沖器，高電平關(guān)閉所有輸出。
• ?級聯(lián)支持?：通過SER_OUT引腳串聯(lián)多個器件，提升級聯(lián)應(yīng)用可靠性。

?4. 電氣參數(shù)?

• ?ESD防護?：人體模型2000V，機器模型200V。
• ?導(dǎo)通電阻?：單通道導(dǎo)通時典型值6Ω（VCC=5V，25°C），全通道導(dǎo)通時略高。
• ?功耗?：靜態(tài)電流低至0.1μA（無時鐘信號時）。

?5. 典型應(yīng)用電路?

• ?級聯(lián)拓?fù)?/strong>?：通過SER_OUT連接多個器件，MCU控制SRCK、RCK和CLR信號。
• ?LED驅(qū)動設(shè)計?：需根據(jù)LED正向電壓（VDx）和供電電壓（Vsupply）計算限流電阻（Rx = (Vsupply - VDx) / I）。

?6. 熱管理與布局建議?

• ?熱關(guān)斷?：結(jié)溫超過175°C時自動關(guān)斷，降至160°C后恢復(fù)。
• ?PCB設(shè)計?：最大化銅覆蓋率以散熱，推薦在VCC引腳附近放置0.1μF陶瓷去耦電容。

?7. 封裝與訂購信息?

• 型號：TLC6C5912PWR（TSSOP-20），符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，工作溫度-40°C至105°C。