該TPIC6C595是單片、中壓、低電流 功率 8 位移位寄存器設(shè)計用于需要相對中等負(fù)載功率的系統(tǒng) 例如 LED。該器件在輸出端包含一個內(nèi)置電壓鉗位，用于電感瞬態(tài) 保護。功率驅(qū)動器應(yīng)用包括繼電器、螺線管和其他低電流或 中壓負(fù)載。

該器件包含一個 8 位串行輸入并行輸出移位寄存器，可為 8 位饋電 D型存儲寄存器。通過移位寄存器和存儲寄存器進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸 移位寄存器時鐘 （SRCK） 和寄存器時鐘 （RCK） 的邊沿。設(shè)備 從SRCK上升沿的串行輸出（SER OUT）端口傳輸數(shù)據(jù)。存儲 寄存器在移位寄存器清除 （CLR） 時將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器 很高。當(dāng)CLR為低電平時，輸入移位寄存器被清除。當(dāng)輸出 使能 （G） 保持為高電平，輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)都保持為低電平，并且所有 漏極輸出關(guān)閉。當(dāng)G保持低電平時，來自存儲寄存器的數(shù)據(jù) 對輸出緩沖區(qū)透明。當(dāng)輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時，DMOS晶體管 輸出關(guān)閉。當(dāng)數(shù)據(jù)為高電平時，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。這 SER OUT 允許將數(shù)據(jù)從移位寄存器級聯(lián)到其他器件。
*附件：tpic6c595.pdf

輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管，輸出額定值為 33V 至 100mA 連續(xù)灌電流能力。每個輸出都提供一個 T 時 250mA 最大電流限制 C = 25°C。 電流限制降低 隨著結(jié)溫的升高，提供額外的設(shè)備保護。該設(shè)備還提供 使用人體模型和 200 V 機器進(jìn)行測試時，可達(dá)到 2500 V 的 ESD 保護 型。

該TPIC6C595的特點是在 ?40°C 至 125°C。

特性

• 低 r DS（開） ， 7 Ω典型值
• 雪崩能量，30 mJ
• 8個功率DMOS晶體管輸出
  ，連續(xù)電流為100 mA
• 250mA 限流能力
• ESD 保護，2500 V
• 輸出箝位電壓，33 V
• 設(shè)備是可級聯(lián)的
• 低功耗

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPIC6C595是德州儀器（TI）推出的單片中壓、低電流功率邏輯8位移位寄存器，專用于驅(qū)動LED等中等負(fù)載功率系統(tǒng)。其核心特性包括：

• ?8路開漏DMOS晶體管輸出?：每路支持100mA連續(xù)灌電流，峰值限流250mA（25°C時）
• ?集成電壓鉗位?：33V輸出鉗位電壓，提供電感瞬態(tài)保護
• ?級聯(lián)功能?：通過SER OUT引腳可實現(xiàn)多器件級聯(lián)
• ?寬溫操作?：工作溫度范圍-40°C至125°C

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電氣參數(shù)?：
  • 典型導(dǎo)通電阻7Ω（50mA時）
  • ESD保護：2500V（人體模型）/200V（機器模型）
  • 30mJ雪崩能量耐受
• ?封裝選項?：SOIC-16（9.9×3.91mm）、TSSOP-16（5×4.4mm）、PDIP-16（19.3×6.35mm）

?3. 功能描述?

• ?串行輸入接口?：8位串入并出移位寄存器，通過SRCK（移位時鐘）和RCK（存儲寄存器時鐘）上升沿觸發(fā)數(shù)據(jù)傳輸
• ?輸出控制?：
  • G引腳低電平時輸出使能
  • CLR低電平清除所有寄存器
• ?保護機制?：電流限制隨結(jié)溫升高自動降低，增強器件可靠性

?4. 典型應(yīng)用?

• ?汽車儀表盤?：驅(qū)動指示燈（Tell-Tale燈）和LED照明
• ?工業(yè)控制?：繼電器/電磁閥驅(qū)動
• ?擴展應(yīng)用?：多器件級聯(lián)可控制16路及以上負(fù)載（需配合MCU SPI接口）

?5. 設(shè)計注意事項?

• ?熱管理?：建議PCB布局時最大化銅覆蓋率，增加散熱過孔
• ?電流計算?：LED驅(qū)動需根據(jù)電源電壓（9-16V）和正向壓降計算限流電阻
• ?電壓要求?：邏輯供電需穩(wěn)定在4.5-5.5V范圍

?6. 文檔結(jié)構(gòu)?
手冊包含完整的技術(shù)規(guī)格、時序圖、測試電路、封裝尺寸及訂購信息，并提供了典型應(yīng)用電路示例（如汽車集群LED驅(qū)動方案）。