半導(dǎo)體CMTI（共模瞬變抗擾度）是衡量隔離器件在高頻共模干擾下維持信號完整性的關(guān)鍵指標(biāo)，其定義為隔離電路兩側(cè)地電位間瞬變電壓的最大耐受變化率（單位：kV/μs或V/ns）?。該指標(biāo)直接反映器件對快速瞬態(tài)干擾的抑制能力，若CMTI不足可能導(dǎo)致信號失真、輸出錯誤甚至系統(tǒng)故障?。高 CMTI 值（如≥±100kV/μs）可確保設(shè)備在強(qiáng)電磁 干擾環(huán)境中保持穩(wěn)定運(yùn)行，減少數(shù)據(jù)損壞或誤動作風(fēng)險。 在機(jī)器人控制等場景中，CMTI 直接影響轉(zhuǎn)矩響應(yīng)速度和 運(yùn)動精度，納秒級延遲可能導(dǎo)致任務(wù)失敗。

?核心特性與重要性：?

?技術(shù)定義?
CMTI通過隔離層兩側(cè)施加的共模瞬變電壓（如±2kV脈沖）測試，以器件輸出信號不出現(xiàn)誤動作的最大dV/dt值作為量化標(biāo)準(zhǔn)?。例如，榮湃數(shù)字隔離器的U系列CMTI達(dá)250kV/μs，意味著在10ns內(nèi)可承受2500V瞬變?nèi)苑€(wěn)定工作?。

?應(yīng)用場景?
在SiC/GaN高頻開關(guān)、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動等場景中，CMTI直接影響系統(tǒng)可靠性。例如，數(shù)明半導(dǎo)體SLMi33x隔離驅(qū)動器通過100kV/μs的CMTI設(shè)計，滿足SiC器件對高壓擺率干擾的嚴(yán)苛需求?。

半導(dǎo)體CMTI（共模瞬態(tài)抗擾度）測試是評估隔離器件在高頻共模瞬變干擾下穩(wěn)定性的關(guān)鍵實驗流程，其核心要點如下：

1. ?測試標(biāo)準(zhǔn)與原理?

?標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)?：遵循IEC 60747-17:2020標(biāo)準(zhǔn)，要求隔離器件在指定CMTI范圍內(nèi)保持功能正常?。

?核心指標(biāo)?：以耐受瞬態(tài)電壓變化率（dV/dt）表示，單位通常為kV/μs或V/ns?。

2. ?測試方法分類?

?靜態(tài)測試?：輸入引腳固定為邏輯電平（高/低），施加共模瞬變干擾，驗證輸出狀態(tài)是否改變?。

?動態(tài)測試?：在動態(tài)信號傳輸中施加瞬變，檢驗輸出信號完整性，防止出現(xiàn)漏脈沖、延遲等錯誤?。

3. ?典型應(yīng)用場景?

?高頻開關(guān)器件?（如SiC/GaN）：需≥100kV/μs的CMTI以抑制快速開關(guān)導(dǎo)致的共模干擾?。

?工業(yè)自動化?：高CMTI可提升機(jī)器人控制精度，避免納秒級延遲導(dǎo)致的任務(wù)失敗?。

4. ?測試注意事項?

?環(huán)境要求?：溫度0~45℃、濕度20%~75%RH，無導(dǎo)電粉塵等污染?。

?選型建議?：根據(jù)系統(tǒng)最大瞬態(tài)變化率選擇CMTI余量充足的器件，防止隔離層擊穿或邏輯錯誤?。

5. ?測試設(shè)備與參數(shù)?

?關(guān)鍵設(shè)備?：高壓脈沖斜坡發(fā)生器用于模擬高速高壓波形，支持多檔幅值和轉(zhuǎn)換時間調(diào)節(jié)?。

?技術(shù)參數(shù)?：典型測試電源（如PPS-CMTI-X）需支持±2kV電壓、40A電流及可調(diào)方波斜率?。

PPS-CMTIX 系列半導(dǎo)體 CMTI 測試系統(tǒng)是我司基于全 參數(shù)化可調(diào)的半導(dǎo)體共模瞬態(tài)抗擾度 CMTI 測試系統(tǒng)。 半導(dǎo)體 CMTI 測試系統(tǒng)的靜態(tài)測試通過施加固定邏 輯電平后引入共模瞬變，驗證輸出狀態(tài)是否改變。動態(tài) 測試在動態(tài)信號傳輸中施加瞬變，檢驗輸出信號完整性。 規(guī)范遵循 IEC 60747-17:2020 標(biāo)準(zhǔn)，要求隔離器件在指定 CMTI 范圍內(nèi)保持功能正常。高性能隔離 IC（如 TI ISOW7841）的 CMTI 可達(dá)≥± 100kV/μs ，支持強(qiáng)干擾環(huán)境。選型依據(jù)需根據(jù)系統(tǒng)最大 瞬態(tài)電壓變化率選擇 CMTI 余量充足的器件，防止隔離層 擊穿或邏輯錯誤。

審核編輯 黃宇