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共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)的定義、重要性及產(chǎn)生的原因

黃輝 ? 來源:jf_81801083 ? 作者:jf_81801083 ? 2025-09-04 15:29 ? 次閱讀
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共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)是衡量半導(dǎo)體隔離器件在高壓瞬變干擾下保持信號完整性的關(guān)鍵指標(biāo),尤其在SiC/GaN等寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用中至關(guān)重要。以下是核心要點(diǎn):

一. ?定義與單位?

CMTI指隔離器件對共模電壓瞬變(如地線間電壓突變)的耐受能力,量化單位為kV/μs或V/ns?。例如,高性能隔離器CMTI可達(dá)±100kV/μs以上?。

二. ?重要性?

?高速開關(guān)需求?:SiC/GaN器件開關(guān)速度更快,導(dǎo)致更高的dv/dt(電壓變化率),需CMTI≥150kV/μs以避免信號失真或短路風(fēng)險(xiǎn)?56。

?系統(tǒng)穩(wěn)定性?:低CMTI可能導(dǎo)致脈沖丟失、傳播延遲或邏輯錯誤,影響電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變器等系統(tǒng)的安全。

三、CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)的產(chǎn)生原因

主要與電力電子系統(tǒng)中的高壓瞬變干擾相關(guān),其核心驅(qū)動因素包括:

1. ?功率器件開關(guān)動作?

?SiC/GaN器件的高速開關(guān)?:寬禁帶半導(dǎo)體(如SiC、GaN)的快速開關(guān)特性(納秒級)導(dǎo)致高壓側(cè)(如MOSFET漏極)產(chǎn)生極高的電壓變化率(dv/dt),典型值可達(dá)100V/ns以上?。

?寄生參數(shù)耦合?:開關(guān)節(jié)點(diǎn)的高頻振蕩通過米勒電容、寄生電容等路徑耦合至隔離層,形成共模噪聲?。

2. ?系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?

?懸浮地設(shè)計(jì)?:隔離驅(qū)動器的副邊地(如MOSFET源極)隨開關(guān)管動作浮動,與主控地之間形成瞬態(tài)電壓差,引發(fā)共模瞬變?。

?多電平電路?:如光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動中的多相橋臂結(jié)構(gòu),開關(guān)動作疊加導(dǎo)致共模電壓瞬變加劇?。

3. ?電磁環(huán)境干擾?

?外部噪聲源?:電網(wǎng)波動、雷擊或鄰近設(shè)備的高頻干擾通過電源或地線耦合至隔離電路?。

?長線傳輸效應(yīng)?:PCB走線或電纜的寄生電感在高頻下放大瞬態(tài)電壓,進(jìn)一步惡化CMTI性能?。

4. ?隔離技術(shù)限制?

?隔離層寄生電容?:光耦、電容或磁隔離器件的內(nèi)部寄生電容在高dv/dt下形成位移電流,導(dǎo)致信號失真?。

?CMTI閾值不足?:若隔離器件的CMTI低于系統(tǒng)瞬變速率(如<50kV/μs),輸出信號易受干擾?。

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審核編輯 黃宇

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