Texas Instruments TPS48111Q1EVM評估模塊支持用戶評估TPS48111-Q1驅(qū)動(dòng)器。TPS48111-Q1是一款3.5V至80V智能高側(cè)控制器，設(shè)有預(yù)充電驅(qū)動(dòng)器。TI TPS48111-Q1提供兩級可調(diào)過流保護(hù)，具有可調(diào)斷路器定時(shí)器、快速短路、精確模擬電流監(jiān)控器輸出和遠(yuǎn)程過熱保護(hù)特性。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TPS48111Q1EVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 工作電壓范圍：3.5V至80V
• 使用板載跳線提供5A至50A可調(diào)過流保護(hù)
• 可編程斷路器定時(shí)器
• 模擬電流監(jiān)控輸出
• LED狀態(tài)指示，用于過流和過熱故障

PCB布局

?TI TPS48111Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、核心特性概述?

Texas Instruments的TPS48111Q1EVM是一款基于TPS48111-Q1智能高邊驅(qū)動(dòng)器的評估模塊，專為高可靠性電源開關(guān)設(shè)計(jì)優(yōu)化，具有以下核心優(yōu)勢：

• ?寬電壓工作范圍?：3.5V至80V輸入，支持工業(yè)級電壓波動(dòng)場景。
• ?超強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力?：4A柵極驅(qū)動(dòng)電流，可并聯(lián)驅(qū)動(dòng)多個(gè)MOSFET，支持5A至50A可調(diào)過流保護(hù)。
• ?多重保護(hù)機(jī)制?：集成兩級過流保護(hù)、短路保護(hù)、模擬電流監(jiān)控輸出及遠(yuǎn)程過溫保護(hù)功能。
• ?智能預(yù)充電控制?：獨(dú)立預(yù)充電驅(qū)動(dòng)（G）和輸入（INP_G），支持大容性負(fù)載緩啟動(dòng)。

?二、硬件設(shè)計(jì)亮點(diǎn)?

?1. 關(guān)鍵接口與配置?

• ?輸入/輸出接口?：
  • T1/T4為24V-60V電源輸入，T2/T3連接負(fù)載，采用CB70-14-CY端子（90A載流能力）。
  • 測試點(diǎn)TP10（IMON）提供負(fù)載電流模擬監(jiān)控輸出（比例系數(shù)0.09V/A或0.034V/A可調(diào)）。
• ?跳線配置?：
  • ?J3?：設(shè)置過流保護(hù)閾值（5A/15A/50A或禁用）。
  • ?J1?：故障響應(yīng)時(shí)間選擇（15ms/150ms/鎖存模式）。

?2. 保護(hù)與診斷功能?

• ?故障指示?：紅色LED（D4/D5）分別指示過流和過溫故障。
• ?電流檢測?：通過RS+/RS-端子外接分流電阻，精度±3%。
• ?熱管理?：HSOG-8封裝的MOSFET（IAUS300N08S5N012）搭配2oz銅厚PCB，支持高持續(xù)電流。

?三、典型性能數(shù)據(jù)?

1. ?預(yù)充電特性?（VIN=48V, COUT=440μF）：
   • 預(yù)充電電流峰值8A，輸出電壓緩升時(shí)間約20ms（見圖5-2）。
2. ?動(dòng)態(tài)響應(yīng)?：
   • 主MOSFET開啟響應(yīng)時(shí)間<100ns（INP從低到高切換，見圖5-5）。
   • 短路保護(hù)響應(yīng)時(shí)間<2μs（輸出直接短路至GND，見圖5-9）。
3. ?效率表現(xiàn)?：
   • 48V輸入轉(zhuǎn)12V/10A輸出時(shí)效率達(dá)94%（無預(yù)充電路徑損耗）。

?四、典型應(yīng)用場景?

1. ?車載電子?：符合AEC-Q100認(rèn)證，用于HVAC壓縮機(jī)模塊電源開關(guān)。
2. ?工業(yè)安全系統(tǒng)?：作為電路斷路器，支持自動(dòng)重試（Auto-Retry）或鎖存（Latch）故障模式。
3. ?數(shù)據(jù)中心?：搭配數(shù)字控制器實(shí)現(xiàn)智能PDU（電源分配單元）的快速關(guān)斷保護(hù)。

五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

1. ?PCB布局關(guān)鍵點(diǎn)?：
   • 輸入電容（C16/C17）需貼近VIN引腳，優(yōu)先選用低ESR陶瓷電容（X7R材質(zhì)）。
   • 功率地（PGND）與信號(hào)地分離，采用星型連接至主地平面。
2. ?熱管理建議?：
   • 持續(xù)負(fù)載>30A時(shí)需強(qiáng)制風(fēng)冷（MOSFET結(jié)溫需<125°C）。
3. ?安全警告?：
   • 高壓測試時(shí)禁止觸碰散熱焊盤（實(shí)測滿載表面溫度可達(dá)80°C）。