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DRV8317三相PWM電機驅動器技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-08-29 15:35 ? 次閱讀
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Texas Instruments DRV8317三相無刷直流電機驅動器提供三個集成MOSFET半橋,用于驅動5V、9V、12V或18V直流電源軌的三相無刷直流 (BLDC) 電機或1節(jié)至4節(jié)電池供電應用。該器件提供集成三相電流檢測,無需外部檢測電阻器。DRV8317具有集成LDO,可提供穩(wěn)定的3.3V電源軌,能夠為MCU、邏輯電路、霍爾傳感器等外部負載提供高達80mA的電流。

數據手冊:*附件:Texas Instruments DRV8317三相電機驅動器數據手冊.pdf

Texas Instruments DRV8317提供可配置的6x或3x PWM控制方案,可用于通過外部微控制器實現有傳感器或無傳感器磁場定向控制 (FOC)、正弦控制或梯形控制。DRV8317能夠驅動高達200kHz的PWM頻率。Texas Instruments DRV8317可通過SPI (DRV8317S) 或引腳(DRV8317H)進行配置,還包括PWM模式、轉換率和電流檢測增益等一些可配置特性。

該器件集成了多種保護特性,包括電源欠壓閉鎖 (UVLO)、過壓保護 (OVP) 和電荷泵欠壓 (CPUV)。DRV8317還具有過流保護 (OCP)、過熱警告 (OTW) 和過熱關斷 (OTS) 特性,從而保護器件、電機和系統(tǒng)免受故障事件的影響。nFAULT引腳可提示故障條件。

特性

  • 三相BLDC電機驅動器
    • 可配置壓擺率,用于降低EMI
    • 編程增益電流檢測
    • 支持高達200kHz的PWM頻率
    • 集成擊穿保護
  • 工作電壓:4.5V至20V
    • 絕對最大電壓:24V
  • 高輸出電流能力
    • 峰值電流驅動能力:5A
  • 低通態(tài)電阻MOSFET
    • RDS(ON) (HS + LS) (TA = 25°C) (130mΩ(典型值))
  • 超低Q電流休眠模式
    • 3μA(最大值)(VVM = 12V,TA = 25°C時)
  • 多種控制接口選項
    • 6個PWM控制接口
    • 3個PWM控制接口
  • 集成電流檢測
    • 無需外部電流檢測電阻器
    • 三相電流檢測輸出
  • SPI和硬件器件型號
    • 10MHz SPI接口型號,實現靈活性
    • 引腳可配置型號,簡單易用
  • 支持1.8V、3.3V和5V邏輯輸入
  • 內置3.3V ± 4.5%、80mA LDO穩(wěn)壓器
  • 集成保護特性
    • VM欠壓閉鎖 (UVLO)
    • VM過壓保護 (OVP)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 過流保護 (OCP)
    • 過熱警告和關斷 (OTW/OTS)
    • 故障狀態(tài)指示引腳 (nFAULT)

簡化示意圖

1.png

DRV8317三相PWM電機驅動器技術解析與應用指南

一、產品概述

DRV8317是德州儀器(TI)推出的三相無刷直流(BLDC)電機驅動芯片,采用WQFN-36封裝(5mm×4mm),具有以下核心特性:

  • ?集成驅動能力?:包含3個半橋MOSFET,總導通電阻130mΩ(典型值),峰值驅動電流5A
  • ?寬電壓工作范圍?:4.5V-20V工作電壓(24V絕對最大值)
  • ?靈活控制接口?:
    • 支持6x/3x PWM控制模式
    • 最高200kHz PWM頻率
    • 可選SPI(DRV8317S)或硬件引腳(DRV8317H)配置
  • ?集成保護功能?:過壓/欠壓保護、過流保護、溫度保護等
  • ?電流檢測創(chuàng)新?:內置三相電流檢測放大器,無需外接檢測電阻

二、關鍵技術創(chuàng)新

1. 智能柵極驅動架構

  • 可配置壓擺率(25-200V/μs)用于EMI優(yōu)化
  • 集成死區(qū)時間控制(150-500ns)
  • 自適應傳播延遲補償(DLYCMP_EN)

2. 集成電流檢測系統(tǒng)

  • 三相獨立電流檢測輸出(SOA/SOB/SOC)
  • 可編程增益(0.25/0.5/1/2V/A)
  • 線性輸出范圍:VREF/2 ±0.25V
  • 典型增益誤差±3%(2.5A內)

3. 多重保護機制

  • ?電源保護?:
    • VM欠壓鎖定(UVLO):4.4V(典型)
    • VM過壓保護(OVP):22V(典型)
  • ?電流保護?:
    • 可調OCP閾值(6-12A)
    • 可配置消隱時間(0.3-1.5μs)
  • ?溫度保護?:
    • 過熱警告(OTW):125°C
    • 熱關斷(OTS):160°C

三、電氣特性詳解

1. 極限參數

參數范圍單位
VM供電電壓-0.3至24V
輸出電流(峰值)5A
工作結溫-40至150°C

2. 典型性能(VS=12V)

  • ?MOSFET特性?:
    • RDS(ON)_HS+LS:130mΩ(25°C)
    • 壓擺率:25-200V/μs(可調)
  • ?電流檢測?:
    • 帶寬:1MHz(典型)
    • 建立時間:1μs(至1%)
  • ?功耗特性?:
    • 工作電流:10mA(典型)
    • 睡眠模式電流:3μA(最大)

四、PCB設計要點

  1. ?布局原則?:
    • 功率路徑與信號路徑分離
    • 敏感信號遠離高頻開關節(jié)點
    • 采用星型接地拓撲
  2. ?熱設計建議?:
    • 散熱焊盤連接至多層地平面
    • 添加多個散熱過孔(建議≥6個)
    • θJA=36.4°C/W(4層板)
  3. ?EMI優(yōu)化措施?:
    • 柵極串聯(lián)電阻控制dV/dt
    • 采用屏蔽電纜連接電機
    • 增加共模扼流圈

五、行業(yè)應用方案

1. 伺服驅動器

  • ?優(yōu)勢?:
    • 集成電流檢測簡化FOC實現
    • 200kHz PWM支持高精度控制
  • ?典型配置?:
    • 壓擺率=50V/μs
    • OCP閾值=8A
    • 啟用延遲補償

2. 散熱風扇

  • ?設計要點?:
    • 使用3x PWM模式簡化控制
    • 配置自動重試保護
    • 啟用低邊電流檢測

3. 無人機電調

  • ?關鍵考慮?:
    • 優(yōu)化柵極驅動減少開關損耗
    • 使用SPI版本靈活配置參數
    • 加強散熱設計

六、故障診斷指南

  1. ?常見問題排查?:
    • ?無輸出?:檢查nSLEEP狀態(tài)、VM UVLO
    • ?電流檢測異常?:驗證CSAREF電壓、增益設置
    • ?過熱保護?:檢查負載電流、散熱條件
  2. ?寄存器狀態(tài)解讀?:
    • DEV_STS[0]=1:故障發(fā)生
    • SUP_STS[4]=1:電荷泵欠壓
    • DRV_STS[6]=1:C相過流
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