DRV8317提供三個集成MOSFET半橋,用于驅(qū)動具有5V、9V、12V或18V直流電源軌或2s至4s電池的三相無刷直流(BLDC)電機(jī)。該器件提供集成的三相電流檢測,無需外部檢測電阻。DRV8317具有集成LDO,可提供穩(wěn)壓的3.3V電源軌,能夠?yàn)?a target="_blank">MCU、邏輯電路、霍爾傳感器等外部負(fù)載提供高達(dá)80mA的電流,
DRV8317提供可配置的6倍或3倍PWM控制方案,可用于使用外部微控制器實(shí)現(xiàn)有傳感器或無傳感器的磁場定向控制(FOC)、正弦控制或梯形控制。DRV8317能夠驅(qū)動高達(dá) 200 kHz 的 PWM 頻率。DRV8317可通過 SPI (DRV8317S) 或引腳 (DRV8317H) 進(jìn)行高度配置 - PWM 模式、壓擺率、電流檢測增益是一些可配置功能。
*附件:drv8317.pdf
DRV8317集成了許多保護(hù)功能,包括電源欠壓鎖定 (UVLO)、過壓保護(hù) (OVP)、電荷泵欠壓 (CPUV)、過流保護(hù) (OCP)、過溫警告 (OTW) 和過溫關(guān)斷 (OTS),以保護(hù)器件、電機(jī)和系統(tǒng)免受故障事件的影響。故障情況由nFAULT引腳指示。
特性
- 三相BLDC電機(jī)驅(qū)動器
- 用于EMI緩解的可配置壓擺率
- 可編程增益電流檢測
- 支持高達(dá) 200kHz 的 PWM 頻率
- 集成射穿保護(hù)
- 4.5V 至 20V 工作電壓
- 24V 絕對最大電壓
- 高輸出電流能力
- 5A 峰值電流驅(qū)動
- 低導(dǎo)通電阻 MOSFET
- R
DS(開)(HS + LS) 在 T 處一個= 25°C : 130mΩ (典型值)
- R
- 超低Q電流睡眠模式
- 3μA(最大值)(V時)
虛擬機(jī)= 12伏,T一個= 25°C
- 3μA(最大值)(V時)
- 多種控制接口選項(xiàng)
- 6 個 PWM 控制接口
- 3 個 PWM 控制接口
- 集成電流檢測
- 無需外部電流檢測電阻
- 三相電流檢測輸出
- SPI 和硬件設(shè)備變體
- 10MHz SPI 接口變體,靈活性高
- 引腳可配置變體,簡化
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
- 內(nèi)置 3.3V ± 4.5%、80mA LDO 穩(wěn)壓器
- 集成保護(hù)功能
- VM 欠壓鎖定 (UVLO)
- VM 過壓保護(hù) (OVP)
- 電荷泵欠壓 (CPUV)
- 過流保護(hù) (OCP)
- 過溫警告和關(guān)機(jī) (OTW/OTS)
- 故障狀態(tài)指示引腳 (nFAULT)
參數(shù)
?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8317是德州儀器(TI)推出的車規(guī)級三相無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動器,符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn),工作電壓范圍4.5V至20V(峰值24V),支持5A峰值輸出電流。關(guān)鍵特性包括:
- ?高集成度?:集成3個半橋MOSFET(總導(dǎo)通電阻130mΩ)、電荷泵、3.3V/80mA LDO穩(wěn)壓器及三相電流檢測放大器(無需外部分流電阻)。
- ?控制接口?:提供SPI(DRV8317S)和硬件引腳配置(DRV8317H)兩種變體,支持6x/3x PWM控制模式,最高200kHz PWM頻率。
- ?保護(hù)功能?:過流(OCP)、過壓(OVP)、欠壓(UVLO)、電荷泵故障(CPUV)及溫度警告/關(guān)斷(OTW/OTS)。
?2. 核心功能?
- ?電流檢測?:通過SOA/SOB/SOC引腳輸出與相位電流成比例的模擬電壓(增益可調(diào):0.25/0.5/1/2 V/A)。
- ?可編程參數(shù)?:
- 壓擺率控制(4級,25-200V/μs)優(yōu)化EMI性能。
- 死區(qū)時間自動插入防止直通。
- OCP閾值與響應(yīng)模式(鎖存/自動重試)可配置。
- ?工作模式?:支持6x PWM(獨(dú)立高低邊控制)、3x PWM(僅高邊控制)及直接PWM模式。
?3. 應(yīng)用場景?
?4. 封裝與型號?
?5. 保護(hù)機(jī)制?
- ?故障響應(yīng)?:支持鎖存關(guān)閉或自動重試(可調(diào)延遲時間)。
- ?溫度保護(hù)?:FET過熱警告(OTW_FET)和關(guān)斷(OTS_FET),LDO過熱關(guān)斷(OTS_LDO)。
?6. 設(shè)計支持?
- ?典型電路?:需外接VM去耦電容(0.1μF+10μF)、電荷泵電容(1μF)及CSA參考電壓濾波電容(0.1μF)。
- ?布局建議?:優(yōu)先縮短高電流路徑,AGND與PGND分區(qū)布局,散熱焊盤需多點(diǎn)接地。
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