在碳中和目標(biāo)推動(dòng)下，太陽能發(fā)電系統(tǒng)正迅速普及。其中，微型太陽能逆變器作為分布式光伏系統(tǒng)的核心部件，對(duì)效率、可靠性和體積都提出了極高要求。尤其是在高溫、高濕、高輻照的復(fù)雜戶外環(huán)境中，其內(nèi)部功率器件的性能會(huì)影響系統(tǒng)的發(fā)電效率和壽命。

微型太陽能逆變器通常直接安裝在光伏組件背面，工作環(huán)境惡劣，對(duì)元器件的高溫耐受性、開關(guān)損耗和可靠性都提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。尤其是在MPPT(最大功率點(diǎn)跟蹤)和DC-AC轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)中，MOS需頻繁開關(guān)，其導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性以及二極管的反向恢復(fù)性能，直接影響整機(jī)效率和發(fā)熱情況。

MDD推出的MDDG10R04P，100V N溝道增強(qiáng)型功率MOS，有優(yōu)異的電氣性能和可靠性，成為微型太陽能逆變器中的理想開關(guān)器件，幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率和更長(zhǎng)的使用壽命。

應(yīng)用場(chǎng)景

微型太陽能逆變器

傳統(tǒng)MOSFET在高溫環(huán)境下導(dǎo)通電阻上升明顯，開關(guān)速度慢，反向恢復(fù)電荷(Qrr)大，容易導(dǎo)致效率下降和EMI問題。而MDDG10R04P通過屏蔽柵技術(shù)和優(yōu)化的工藝設(shè)計(jì)，有效解決了這些痛點(diǎn)。

核心性能優(yōu)勢(shì)

MDDG10R04P

01 極低的導(dǎo)通電阻

在VGS=10V、ID=100A的條件下，RDS(ON)最大僅為4.4 mΩ，典型值低至3.2 mΩ。這意味著在相同電流下導(dǎo)通損耗更小，系統(tǒng)溫升更低，尤其適用于高溫環(huán)境下的持續(xù)運(yùn)行。

02 優(yōu)異的開關(guān)性能

開關(guān)延遲時(shí)間短(開啟≈25ns，關(guān)閉≈45ns)，上升/下降時(shí)間快(tr≈55ns，tf≈16ns)

低柵極電荷(Qg≈52nC)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，可降低驅(qū)動(dòng)電路損耗。

03 出色的體二極管特性

反向恢復(fù)電荷(Qrr)僅為100nC;

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)短至85ns;

顯著降低反向恢復(fù)損耗和EMI干擾，適用于高頻整流和同步整流應(yīng)用。

04 高可靠性設(shè)計(jì)

100%經(jīng)過UIS測(cè)試，抗雪崩能力強(qiáng);

工作結(jié)溫范圍-55℃至+150℃，適應(yīng)戶外嚴(yán)苛環(huán)境;

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

電性曲線圖

在微型太陽能逆變器中，MOSFET常用于Boost升壓電路和全橋/半橋逆變拓?fù)洹DDG10R04P憑借自身具備的：高效率轉(zhuǎn)換、更小的散熱設(shè)計(jì)、高可靠性、良好的EMI特性，保障了電路平穩(wěn)運(yùn)行。

選型推薦

除MDDG10R04P外，MDD還新推出一系列MOS針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，提供多封裝如TOLL、PDFN3*3、PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等，以滿足各行業(yè)匹配需求