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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）邊緣AI需要更快更大容量的存儲，為了突破接口速率、物理距離等因素，適用于AI推理的新型存儲技術受到更多的關注。華邦電子的CUBE、兆易創(chuàng)新的堆疊存儲，以及北京君正3D DRAM等定制化存儲方案正是基于利基存儲和先進封裝，以近存計算的方式滿足AI推理的存儲需求。SoC廠商、下游終端廠商都在積極適配這一類新型存儲。

華邦電子CUBE

華邦電子推出的CUBE（Customized Ultra-Bandwidth Elements）是一種針對SoC（System on Chip）在DRAM合封上遇到的挑戰(zhàn)所設計的創(chuàng)新內(nèi)存產(chǎn)品。這種緊湊超高帶寬DRAM專為邊緣計算領域設計，通過將SoC裸片置于DRAM裸片上方，CUBE技術能夠在不采用SoC的TSV（Through-Silicon Via）工藝的同時，達到降低成本和尺寸的目的。此外，它還改進了散熱效果，并特別適用于對低功耗、高帶寬以及中低容量內(nèi)存有需求的應用場景。

憑借 16GB/s 至 256GB/s 的帶寬，CUBE 可提供遠高于行業(yè)標準的性能提升。目前基于 20nm 標準，可以提供每顆芯片 1Gb-8Gb 容量，2025 年將有 16nm 標準。引入硅通孔（TSV）可進一步增強性能，改善信號完整性、電源完整性、以 9 um pitch 縮小 IO 的面積和較佳的散熱（CUBE 置下、SoC 置上時）。

CUBE 的 IO 速度于 1K IO 可高達 2Gbps，當與 28nm 和 22nm 等成熟工藝的 SoC 集成， CUBE 則可到達 32GB/s 至 256GB/s 帶寬，相當于 HBM2 帶寬, 也相當于4至32個 LP-DDR4x 4266Mbps x16 IO。

SoC（不帶 TSV，置上）堆疊在 CUBE（帶 TSV，置下）上。如果去除 TSV 區(qū)域損失，其芯片尺寸可能會更小。能夠為邊緣 AI 設備帶來更明顯的成本優(yōu)勢。

行業(yè)應用方面，攝像頭ISP芯片、家用或行業(yè)用IP Camera，給CUBE帶來很大的機會。

兆易創(chuàng)新基于堆疊內(nèi)存的定制化方案

在定制化存儲方面，兆易創(chuàng)新表示，已經(jīng)有先導客戶的先導產(chǎn)品實現(xiàn)發(fā)布和落地。產(chǎn)品實現(xiàn)的性能取得非常好的效果。這對于整個技術和行業(yè)的發(fā)展都起到了標志性的作用。隨著第一個產(chǎn)品的推出和落地，正式開啟定制化存儲，或者說堆疊方案在端側(cè)應用的大門。

兆易創(chuàng)新積極與邏輯芯片客戶合作，覆蓋多種端側(cè)的應用。目前已經(jīng)有一些項目落地，公司也向產(chǎn)業(yè)合作伙伴和業(yè)界證明公司定制化存儲帶來的帶寬、功耗、能效等方面的優(yōu)勢和成果。明年以后有望看到定制化存儲解決方案，在包括AIPC、手機、端側(cè)智能設備、汽車等領域?qū)崿F(xiàn)樣品推出和芯片的量產(chǎn)。

兆易創(chuàng)新在定制化存儲方面的優(yōu)勢包括：一是，先發(fā)優(yōu)勢。公司在實際推進團隊組建和項目開發(fā)，以及和客戶共同推出產(chǎn)品方面處于行業(yè)領先地位。隨著在研項目的增加和客戶的產(chǎn)品迭代，公司可以鞏固和擴大先發(fā)優(yōu)勢，形成良性循環(huán)。

二是，與戰(zhàn)略供應商長期良好穩(wěn)定的關系，給公司帶來產(chǎn)能保障和制程方面的優(yōu)勢。高度定制化的存儲解決方案，需要貼近邏輯芯片客戶的需求，與之進行聯(lián)合研發(fā)。

2024年7月，兆易創(chuàng)新聯(lián)合北京青耘智凌、青耘智帆、青耘智闊三家關聯(lián)企業(yè)共同投資設立北京青耘科技有限公司，其中兆易創(chuàng)新出資2100萬元，持股77.78%。該公司的成立旨在拓展定制化存儲解決方案等創(chuàng)新業(yè)務領域。2025年8月國家知識產(chǎn)權局信息顯示，北京青耘科技有限公司取得一項名為“存儲器控制器和三維堆疊存儲器”的專利，授權公告號CN120199312B，申請日期為2025年05月。

摩根士丹利最新研報表示，WoW（晶圓堆疊）技術采用3D封裝解決方案，讓芯片“上下疊加”，WoW能夠?qū)崿F(xiàn)10倍內(nèi)存帶寬提升和90%功耗降低，有望破解邊緣AI發(fā)展瓶頸。報告稱，兆易創(chuàng)新與長鑫存儲合作開發(fā)，4層堆疊已成熟，8層堆疊也在路線圖中。

北京君正3D DRAM研發(fā)進展順利

北京君正表示，大模型的興起給邊緣側(cè)帶來市場機會，算力可能會需要16T甚至更高，所以公司也開始對計算芯片領域進行整體規(guī)劃；同時大模型需要更高的帶寬和更大容量的存儲器，所以公司開展3D DRAM 產(chǎn)品的研發(fā)。

3D DRAM仍在研發(fā)，進展基本符合預期。作為定制化產(chǎn)品，能滿足客戶個性化需求，相比HBM在帶寬和功耗支持上表現(xiàn)更佳，不少客戶對此感興趣，但整體市場尚處探索階段。

瑞芯微新品內(nèi)置超高帶寬DRAM、翱捷科技就3D DRAM展開項目合作

一些廠商基于3D堆疊內(nèi)存的算力芯片已經(jīng)開始積極部署或落地。

例如，今年7月瑞芯微在第九屆開發(fā)者大會上正式發(fā)布該系列的首顆端側(cè)算力協(xié)處理器RK182X，內(nèi)置自研高神經(jīng)網(wǎng)絡算力和高帶寬嵌入式存儲，能夠較好地滿足端側(cè)模型部署的算力、存力、運力三者動態(tài)平衡需求，高效支持3B、7B等端側(cè)主流參數(shù)的大語言模型及多模態(tài)模型部署，面向汽車座艙、智能家居、教育、辦公與會議、機器人、機器視覺、邊緣網(wǎng)關、工業(yè)智能制造等多場景應用。目前已獲得多個目標場景頭部客戶的合作意向，產(chǎn)品已進入送樣階段。

在被問及新型 3D DRAM 存儲是最近的市場熱點，翱捷科技的相關研發(fā)計劃時，公司表示，隨著大數(shù)據(jù)、人工智能、高性能計算等領域的快速發(fā)展，對高速、大容量、低延遲內(nèi)存的需求不斷增長。我們已經(jīng)對相關領域進行先期研發(fā)，并已經(jīng)在定制業(yè)務上和相關公司進行了深入的項目合作。同時，本公司也在積極探索在自研端側(cè)產(chǎn)品中除手機之外的擴展應用，包括車載、AI 視覺、機器人小腦等，以提升本公司產(chǎn)品的競爭力。

另外，根據(jù)上海市科創(chuàng)政策服務網(wǎng)，上海市發(fā)展引導資金2025年第一批擬支持項目名單中顯示，翱捷科技“3D DRAM堆疊封裝的云端大算力芯片設計平臺建設”在列。

不過，針對近期的傳聞，“華邦電子提供存儲芯片技術與CUBE方案支持，北京君正基于自研的NPU和AI算法，將華邦的存儲技術整合到端側(cè)AI芯片中?！北本┚_回應該信息中所說的合作情況不屬實。

小結(jié)：

摩根士丹利預計，WoW（晶圓堆疊）技術市場規(guī)模將從2025年的1000萬美元激增至2030年的60億美元，復合年增長率達257%。

兆易創(chuàng)新認為，定制化存儲市場空間的彈性非常大。目前還處于技術得到市場認可，并且有早期產(chǎn)品推出的階段，我們判斷這會對整個市場起到非常好的示范效應和推動作用。目前還無法對總市場規(guī)模做準確的判斷。希望定制化存儲能實現(xiàn)跟標準接口的利基存儲可比的營收規(guī)模的體量。

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