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TPS7H3302-SP 3A DDR輻射硬化終端穩(wěn)壓器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-09 13:48 ? 次閱讀
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該TPS7H3302是一款具有內(nèi)置VTTREF緩沖器的耐輻射雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)3-A終端穩(wěn)壓器。該穩(wěn)壓器專門設(shè)計(jì)用于為單板計(jì)算機(jī)、固態(tài)記錄儀和有效載荷處理等空間 DDR 終端應(yīng)用提供完整、緊湊、低噪聲的解決方案。

該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。該TPS7H3302還包括一個(gè)內(nèi)置的 VTTREF 電源,可跟蹤 VTT 以進(jìn)一步減小解決方案尺寸。為了實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的電源排序,使能輸入和電源良好輸出 (PGOOD) 都集成到TPS7H3302中。使能信號(hào)還可用于在掛起至 RAM (S3) 掉電模式下對(duì) VTT 進(jìn)行放電。
*附件:tps7h3302-sp.pdf

特性

  • 提供 QMLP TPS7H3302-SP 標(biāo)準(zhǔn)微電路圖 (SMD),5962R14228
  • 提供空間增強(qiáng)塑料供應(yīng)商項(xiàng)目圖紙,VID V62/22615
  • 表征的總電離劑量 (TID)
    • 輻射硬度保證 (RHA) 合格,總電離劑量 (TID) 100 krad(Si) 或 50 krad(Si)
  • 單事件效應(yīng) (SEE) 表征
    • 單事件閂鎖 (SEL)、單事件柵極破裂 (SEGR)、單事件燒毀 (SEB) 免疫高達(dá) LET = 70 MeV-cm2 /mg
    • 單事件瞬態(tài) (SET)、單事件功能中斷 (SEFI) 和單事件擾動(dòng) (SEU),表征高達(dá) 70 MeVcm2 /mg
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接應(yīng)用
  • 輸入電壓:支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
  • 低至 0.9 V 的獨(dú)立低壓輸入 (VLDOIN) 可提高電源效率
  • 3-A 灌電流和源端接穩(wěn)壓器
  • 為電源排序啟用輸入和電源良好輸出
  • VTT端接穩(wěn)壓器
    • 輸出電壓范圍:0.5 至 1.75 V
    • 3A 灌電流和源電流
  • 帶檢測(cè)輸入的集成精密分壓器網(wǎng)絡(luò)
  • 遙感 (VTTSNS)
  • VTTREF 緩沖引用
    • VDDQSNS 精度為 49% 至 51% (±3 mA)
    • ±10 mA 灌電流和源電流
  • 集成欠壓鎖定 (UVLO) 和過流限制 (OCL) 功能
  • 塑料包裝

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?

  • ?型號(hào)?:TPS7H3302-SP(QMLP級(jí))和TPS7H3302-SEP(航天增強(qiáng)塑料級(jí)),支持DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4終端應(yīng)用。
  • ?核心功能?:3A雙向(灌/拉電流)終端穩(wěn)壓器,集成VTTREF緩沖器,專為航天DDR終端設(shè)計(jì)(如衛(wèi)星電源系統(tǒng)、載荷處理等)。

?2. 關(guān)鍵特性?

  • ?輻射耐受性?:
    • 總電離劑量(TID)達(dá)100 krad(Si)(SP)或50 krad(Si)(SEP)。
    • 抗單粒子效應(yīng)(SEE),包括閂鎖(SEL)、燒毀(SEB)等,LET閾值達(dá)70 MeV-cm2/mg。
  • ?電氣性能?:
    • 輸入電壓:支持2.5V/3.3V軌,VLDOIN最低0.9V以提高能效。
    • 輸出電壓范圍:0.5V至1.75V(VTT),精度±1%(VTTREF跟蹤VDDQSNS的49%-51%)。
    • 集成使能(EN)和電源良好(PGOOD)信號(hào),支持電源時(shí)序控制。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

?4. 封裝與型號(hào)選項(xiàng)?

  • ?封裝?:32引腳HTSSOP DAP(6.1mm×11mm,0.184g)。
  • ?型號(hào)差異?:
    • TPS7H3302-SP:QMLP-RHA認(rèn)證,100 krad(Si) TID。
    • TPS7H3302-SEP:航天級(jí)塑料封裝,50 krad(Si) TID。

?5. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

  • ?布局建議?:
    • 輸入/輸出電容需低ESR,VTT遠(yuǎn)端感應(yīng)(VTTSNS)需獨(dú)立走線以減少壓降。
    • 熱焊盤需通過多過孔連接至地平面以優(yōu)化散熱。
  • ?電源管理?:支持S3(掛起到RAM)和偽S5模式,通過EN引腳控制VTT放電。

?6. 性能參數(shù)?

  • ?負(fù)載調(diào)整率?:±30mV(VTT相對(duì)VTTREF,-3A至3A負(fù)載)。
  • ?保護(hù)功能?:欠壓鎖定(UVLO)、過流限制(OCL)及熱關(guān)斷(非標(biāo)稱工作條件)。

?7. 文檔支持?

  • 包含輻射測(cè)試報(bào)告(SLVK132)、評(píng)估板指南(SLVUCK2)及JEDEC兼容性說明。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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