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該TPS7H3302是一款具有內置VTTREF緩沖器的耐輻射雙倍數據速率（DDR）3-A終端穩(wěn)壓器。該穩(wěn)壓器專門設計用于為單板計算機、固態(tài)記錄儀和有效載荷處理等空間 DDR 終端應用提供完整、緊湊、低噪聲的解決方案。

該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。該TPS7H3302還包括一個內置的 VTTREF 電源，可跟蹤 VTT 以進一步減小解決方案尺寸。為了實現簡單的電源排序，使能輸入和電源良好輸出（PGOOD）都集成到TPS7H3302中。使能信號還可用于在掛起至 RAM （S3）掉電模式下對 VTT 進行放電。
*附件：tps7h3302-sep.pdf

特性

提供 QMLP TPS7H3302-SP 標準微電路圖（SMD），5962R14228
提供空間增強塑料供應商項目圖紙，VID V62/22615
表征的總電離劑量（TID）
- 輻射硬度保證（RHA）合格，總電離劑量（TID） 100 krad（Si）或 50 krad（Si）
單事件效應（SEE）表征
- 單事件閂鎖（SEL）、單事件柵極破裂（SEGR）、單事件燒毀（SEB）免疫高達 LET = 70 MeV-cm2 /mg
- 單事件瞬態(tài) （SET）、單事件功能中斷（SEFI）和單事件擾動（SEU），表征高達 70 MeVcm2 /mg
支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接應用
輸入電壓：支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
低至 0.9 V 的獨立低壓輸入（VLDOIN）可提高電源效率
3-A 灌電流和源端接穩(wěn)壓器
為電源排序啟用輸入和電源良好輸出
VTT端接穩(wěn)壓器
- 輸出電壓范圍：0.5 至 1.75 V
- 3A 灌電流和源電流
帶檢測輸入的集成精密分壓器網絡
遙感（VTTSNS）
VTTREF 緩沖引用
- VDDQSNS 精度為 49% 至 51% （±3 mA）
- ±10 mA 灌電流和源電流
集成欠壓鎖定（UVLO）和過流限制（OCL）功能
塑料包裝

參數

方框圖

?1. 核心特性?

?輻射防護?
- 總電離劑量（TID）耐受：100 krad(Si)（SP版）/50 krad(Si)（SEP版）
- 單粒子效應（SEE）免疫：包括閂鎖（SEL）、柵極擊穿（SEGR）、燒毀（SEB）等，LET閾值達70 MeV·cm2/mg。
?電氣性能?
- 支持DDR1至DDR4終端應用，輸入電壓范圍2.5V/3.3V，VLDOIN低至0.9V以提升能效。
- 3A源/吸電流能力，集成精密分壓網絡與遠程感應（VTTSNS）。
- 內置VTTREF緩沖參考電壓（精度±1%），支持快速瞬態(tài)響應。

?2. 關鍵功能模塊?

?VTT穩(wěn)壓器?
- 輸出電壓范圍0.5V~1.75V，通過VTTSNS引腳實現遠程負載點調節(jié)。
- 集成使能（EN）和電源良好（PGOOD）信號，支持電源時序控制。
?VTTREF參考輸出?
- 跟蹤VDDQSNS的50%，提供±10mA驅動能力，需外接0.1μF陶瓷電容。
?保護機制?
- 欠壓鎖定（UVLO）、過流限制（OCL）及熱關斷（210°C觸發(fā)）。

?3. 應用場景?

?航天電子系統?
- 衛(wèi)星電源（EPS）、指令數據處理（C&DH）、光學/雷達成像載荷。
?DDR終端設計?
- 適用于單板計算機、固態(tài)記錄器及空間DDR內存終端（如DDR3L/DDR4）。

?4. 設計要點?

?布局建議?
- 輸入/輸出電容需貼近引腳以降低ESR/ESL影響，VTTSNS需獨立走線至負載端。
- 熱焊盤需通過多通孔連接至內部地平面以優(yōu)化散熱。
?電源配置?
- 推薦VLDOIN與VDDQ隔離，或使用RC濾波減少瞬態(tài)干擾。
- 最小輸出電容470μF（組合鉭電容與MLCC），確保穩(wěn)定性。