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?TPS7H3302-SP/TPS7H3302-SEP 輻射硬化DDR終端穩(wěn)壓器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-09 13:53 ? 次閱讀
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該TPS7H3302是一款具有內(nèi)置VTTREF緩沖器的耐輻射雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)3-A終端穩(wěn)壓器。該穩(wěn)壓器專門設(shè)計(jì)用于為單板計(jì)算機(jī)、固態(tài)記錄儀和有效載荷處理等空間 DDR 終端應(yīng)用提供完整、緊湊、低噪聲的解決方案。

該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。該TPS7H3302還包括一個(gè)內(nèi)置的 VTTREF 電源,可跟蹤 VTT 以進(jìn)一步減小解決方案尺寸。為了實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的電源排序,使能輸入和電源良好輸出 (PGOOD) 都集成到TPS7H3302中。使能信號(hào)還可用于在掛起至 RAM (S3) 掉電模式下對(duì) VTT 進(jìn)行放電。
*附件:tps7h3302-sep.pdf

特性

  • 提供 QMLP TPS7H3302-SP 標(biāo)準(zhǔn)微電路圖 (SMD),5962R14228
  • 提供空間增強(qiáng)塑料供應(yīng)商項(xiàng)目圖紙,VID V62/22615
  • 表征的總電離劑量 (TID)
    • 輻射硬度保證 (RHA) 合格,總電離劑量 (TID) 100 krad(Si) 或 50 krad(Si)
  • 單事件效應(yīng) (SEE) 表征
    • 單事件閂鎖 (SEL)、單事件柵極破裂 (SEGR)、單事件燒毀 (SEB) 免疫高達(dá) LET = 70 MeV-cm2 /mg
    • 單事件瞬態(tài) (SET)、單事件功能中斷 (SEFI) 和單事件擾動(dòng) (SEU),表征高達(dá) 70 MeVcm2 /mg
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接應(yīng)用
  • 輸入電壓:支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
  • 低至 0.9 V 的獨(dú)立低壓輸入 (VLDOIN) 可提高電源效率
  • 3-A 灌電流和源端接穩(wěn)壓器
  • 為電源排序啟用輸入和電源良好輸出
  • VTT端接穩(wěn)壓器
    • 輸出電壓范圍:0.5 至 1.75 V
    • 3A 灌電流和源電流
  • 帶檢測(cè)輸入的集成精密分壓器網(wǎng)絡(luò)
  • 遙感 (VTTSNS)
  • VTTREF 緩沖引用
    • VDDQSNS 精度為 49% 至 51% (±3 mA)
    • ±10 mA 灌電流和源電流
  • 集成欠壓鎖定 (UVLO) 和過(guò)流限制 (OCL) 功能
  • 塑料包裝

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

?1. 核心特性?

  • ?輻射防護(hù)?
    • 總電離劑量(TID)耐受:100 krad(Si)(SP版)/50 krad(Si)(SEP版)
    • 單粒子效應(yīng)(SEE)免疫:包括閂鎖(SEL)、柵極擊穿(SEGR)、燒毀(SEB)等,LET閾值達(dá)70 MeV·cm2/mg。
  • ?電氣性能?
    • 支持DDR1至DDR4終端應(yīng)用,輸入電壓范圍2.5V/3.3V,VLDOIN低至0.9V以提升能效。
    • 3A源/吸電流能力,集成精密分壓網(wǎng)絡(luò)與遠(yuǎn)程感應(yīng)(VTTSNS)。
    • 內(nèi)置VTTREF緩沖參考電壓(精度±1%),支持快速瞬態(tài)響應(yīng)。

?2. 關(guān)鍵功能模塊?

  • ?VTT穩(wěn)壓器?
    • 輸出電壓范圍0.5V~1.75V,通過(guò)VTTSNS引腳實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)。
    • 集成使能(EN)和電源良好(PGOOD)信號(hào),支持電源時(shí)序控制。
  • ?VTTREF參考輸出?
    • 跟蹤VDDQSNS的50%,提供±10mA驅(qū)動(dòng)能力,需外接0.1μF陶瓷電容。
  • ?保護(hù)機(jī)制?
    • 欠壓鎖定(UVLO)、過(guò)流限制(OCL)及熱關(guān)斷(210°C觸發(fā))。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

  • ?航天電子系統(tǒng)?
    • 衛(wèi)星電源(EPS)、指令數(shù)據(jù)處理(C&DH)、光學(xué)/雷達(dá)成像載荷。
  • ?DDR終端設(shè)計(jì)?
    • 適用于單板計(jì)算機(jī)、固態(tài)記錄器及空間DDR內(nèi)存終端(如DDR3L/DDR4)。

?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

  • ?布局建議?
    • 輸入/輸出電容需貼近引腳以降低ESR/ESL影響,VTTSNS需獨(dú)立走線至負(fù)載端。
    • 熱焊盤需通過(guò)多通孔連接至內(nèi)部地平面以優(yōu)化散熱。
  • ?電源配置?
    • 推薦VLDOIN與VDDQ隔離,或使用RC濾波減少瞬態(tài)干擾。
    • 最小輸出電容470μF(組合鉭電容MLCC),確保穩(wěn)定性。

?5. 封裝與型號(hào)?

  • ?封裝?:32引腳HTSSOP帶散熱焊盤(6.1mm×11mm,0.184g)。
  • ?型號(hào)選項(xiàng)?
    • ?TPS7H3302-SP?:QMLP-RHA認(rèn)證,100 krad(Si)耐受。
    • ?TPS7H3302-SEP?:航天增強(qiáng)塑料封裝,50 krad(Si)耐受。
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    發(fā)表于 11-02 18:51
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    的頭像 發(fā)表于 08-26 09:45 ?428次閱讀
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    ?TPS7H3301-SP 輻射硬化3A DDR終端穩(wěn)壓器技術(shù)文檔總結(jié)

    TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端
    的頭像 發(fā)表于 09-09 14:45 ?498次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 10-08 10:40 ?350次閱讀
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    ?TPS7H401x-SEP系列同步降壓轉(zhuǎn)換技術(shù)文檔總結(jié)

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    的頭像 發(fā)表于 09-26 11:03 ?413次閱讀
    ?<b class='flag-5'>TPS7H401x-SEP</b>系列同步降壓轉(zhuǎn)換<b class='flag-5'>器</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>文檔</b><b class='flag-5'>總結(jié)</b>