TPS7H3301-SP 是一款 TID 和 SEE 抗輻射雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 3A 終端穩(wěn)壓器，內(nèi)置 VTTREF 緩沖器。該穩(wěn)壓器專門(mén)設(shè)計(jì)用于為單板計(jì)算機(jī)、固態(tài)記錄儀和有效載荷處理等空間 DDR 終端應(yīng)用提供完整、緊湊、低噪聲的解決方案。

TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫(xiě)條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在瞬變期間，VTTREF電源的快速跟蹤功能可最大限度地減少VTT/Vo和VTTREF之間的任何電壓偏移。為了實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的電源排序，TPS7H3301-SP中集成了使能輸入和電源良好輸出（PGOOD）。PGOOD輸出是漏極開(kāi)路的，因此可以連接到多個(gè)漏極開(kāi)路輸出，以監(jiān)控所有電源何時(shí)進(jìn)入穩(wěn)壓狀態(tài)。使能信號(hào)還可用于在掛起至 RAM （S3） 掉電模式下放電 VTT/Vo。
*附件：tps7h3301-sp.pdf

特性

• 5962R14228（1）：
  • 輻射硬度保證 （RHA） 符合總電離劑量 （TID） 100 krad（Si）
  • 單事件閂鎖 （SEL）、單事件柵極破裂 （SEGR）、單事件燒毀 （SEB） 不受 LET 影響 = 70 MeV-cm2/mg（2）
  • 單事件瞬態(tài) （SET）、單事件功能中斷 （SEFI） 和單事件擾動(dòng) （SEU） 表征為 70 MeV-cm2/mg（2）
• 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接應(yīng)用
• 輸入電壓：支持2.5V和3.3V電源軌（3）
• 低至0.9 V的獨(dú)立低壓輸入（VLDOIN），可提高電源效率（3）
• 3-A 灌電流和源端接穩(wěn)壓器包括壓降補(bǔ)償
• 為電源排序啟用輸入和電源良好輸出
• VTT端接穩(wěn)壓器
  • 輸出電壓范圍：0.5 至 1.75 V
  • 3A 灌電流和源電流
• 帶檢測(cè)輸入的集成精密分壓器網(wǎng)絡(luò)
• 遙感 （VTTSNS）
• VTTREF 緩沖引用
  • VDDQSNS 精度為 49% 至 51% （±3 mA）
  • ±10mA 灌電流和源電流
• 集成欠壓鎖定 （UVLO） 和過(guò)流限制 （OCL） 功能

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPS7H3301-SP是一款專為太空應(yīng)用設(shè)計(jì)的輻射硬化雙數(shù)據(jù)速率（DDR）終端穩(wěn)壓器，支持DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4內(nèi)存終端供電。核心特性包括：

• ?輻射防護(hù)?：通過(guò)100 krad(Si)總電離劑量（TID）認(rèn)證，抗單粒子閂鎖（SEL）、燒毀（SEB）等功能中斷（SEFI）至LET=70 MeV-cm2/mg。
• ?高精度輸出?：集成VTTREF緩沖器，輸出電壓范圍0.5~1.75 V，精度達(dá)±3 mA（49%~51% VDDQSNS）。
• ?電流能力?：3A源/吸電流，支持快速瞬態(tài)響應(yīng)，適用于讀寫(xiě)操作中的穩(wěn)定供電。

?2. 關(guān)鍵參數(shù)?

• ?輸入電壓?：2.5V/3.3V主電源（VDD/VIN），VLDOIN低至0.9 V以提升能效。
• ?保護(hù)功能?：欠壓鎖定（UVLO）、過(guò)流限制（OCL）、熱關(guān)斷（210°C閾值）。
• ?封裝?：16引腳CFP陶瓷封裝（9.6×11.0 mm），重量1.55 g，支持-55°C至125°C工作溫度。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• ?航天電子?：?jiǎn)伟逵?jì)算機(jī)、固態(tài)記錄器、載荷處理系統(tǒng)。
• ?終端配置?：通過(guò)遠(yuǎn)程檢測(cè)（VTTSNS）和功率良好信號(hào)（PGOOD）實(shí)現(xiàn)精確電壓跟蹤與時(shí)序控制。

?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?布局建議?：輸入/輸出電容需就近放置以降低ESR/ESL影響，VTTSNS需獨(dú)立走線以減少壓降誤差。
• ?熱管理?：需通過(guò)多通孔連接散熱焊盤(pán)至地層，確保功率耗散（如DDR3應(yīng)用中最大3A電流時(shí)需300mV VLDOIN-VTT裕量）。

?5. 文檔更新?

• ?修訂歷史?：2024年9月更新測(cè)試條件、電氣特性（如VTTSNS測(cè)試范圍擴(kuò)展至±1A）及熱性能計(jì)算。

?6. 支持資源?

• 提供EVM評(píng)估板（TPS7H3301EVM-CVAL）及輻射測(cè)試報(bào)告（SLAK008），詳細(xì)設(shè)計(jì)參考用戶指南SLVUAK2。